شماره بخش:S80KS2563GABHM023
رده محصولات:DRAM
تکنولوژی:PSRAM (شبه SRAM)
شماره بخش:CY7C1441KV33-133AXI
زمان دسترسی:6.5 ns
ولتاژ - عرضه:3.135 ~ 3.6 ولت
شماره بخش:S70KS1283GABHB020
سیگنال های اتوبوس:11
گذرگاه داده:8 بیتی
شماره بخش:MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G
خواندن تصادفی:25 میکرو ثانیه
برنامه صفحه:300µs (TYP)
شماره بخش:MT29F2G01ABAGDWB-IT:G
جریان عرضه - حداکثر:35 میلی آمپر
اندازه:8 میلی متر در 6 میلی متر
شماره بخش:MT29F1G08ABAEAWP-IT:E
اندازه دستگاه:1 گیگابایت: 1024 بلوک
اندازه صفحه x16:1056 کلمه (1024 + 32 کلمه)
شماره بخش:MT29F2G08ABAGAH4-IT:G
نوع حافظه:غیر فرار
اندازه حافظه:2 گیگابیت
شماره بخش:MT29F4G08ABAEAWP-IT:E
ولتاژ - منبع تغذیه (حداکثر):3.6 ولت
ولتاژ - منبع تغذیه (حداقل):2.7 ولت
شماره بخش:MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A
tRC/tWC:20 ثانیه (MIN)
صفحه را بخوانید:35µs (MAX)
مقدار حداقل تعداد سفارش:10
جزئیات بسته بندی:بسته استاندارد
زمان تحویل:3-5 روز کاری
شماره بخش:MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A
سازمان:16 × 8
جریان عرضه - حداکثر:50 میلی آمپر
مقدار حداقل تعداد سفارش:10
قیمت:Contact for Sample
جزئیات بسته بندی:بسته استاندارد