چین تراشه آی سی حافظه

• 

  تراشه آی سی MT29F8G08ABACAWP-AIT:C 8 گیگابیت موازی حافظه 48 TSOP IC سطح پایه

  شماره بخش:MT29F8G08ABACAWP-AIT:C

  نوع زمان بندی:غیرمستقیم

  سازمان:1 G x 8

  اکنون تماس بگیرید
• 

  آی سی تراشه MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E 267 مگاهرتز حافظه موازی 512 گیگابیت آی سی 132-VBGA

  شماره بخش:MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E

  نوع زمان بندی:ناهمزمان، همزمان

  سرعت:533 MT/s

  اکنون تماس بگیرید
• 

  مدارهای مجتمع الکترونیکی MT28EW01GABA1LPC-0SIT حافظه IC 64-LBGA

  شماره بخش:MT28EW01GABA1LPC-0SIT

  حافظه:1 گیگابیت

  رابط حافظه:موازی

  اکنون تماس بگیرید
• 

  آی سی تراشه MT29F2G08ABAGAWP-AAT:G 2Gbit موازی 20NS 48-TSOP حافظه فلش آی سی

  شماره بخش:MT29F2G08ABAGAWP-AAT:G

  ولتاژ - عرضه:2.7V ~ 3.6V

  دمای کار:-40 درجه سانتی گراد ~ 105 درجه سانتی گراد (TA)

  اکنون تماس بگیرید
• 

  تراشه مدار مجتمع MT29F2G16ABAGAWP-AIT:G آی سی حافظه فلش NAND 48-TFSOP

  شماره بخش:MT29F2G16ABAGAWP-AIT:G

  پاک کردن بلوک:2 میلی ثانیه

  مجموعه دستورات:پروتکل ONFI NAND Flash

  اکنون تماس بگیرید
• 

  MT29F256G08AUCABH3-10ITZ: پایه IC سطحی با حافظه 256 گیگابیت 100 مگاهرتز 100-LBGA

  شماره بخش:MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A

  فرکانس ساعت:100 مگاهرتز

  حافظه:256 گیگابیت

  اکنون تماس بگیرید
• 

  تراشه مدار مجتمع MT29F2T08EMLEEJ4-R:E 2 ترابایت حافظه موازی آی سی 132-VBGA

  شماره بخش:MT29F2T08EMLEEJ4-R:E

  سازمان حافظه:256G x 8

  رابط حافظه:موازی

  اکنون تماس بگیرید
• 

  آی سی حافظه تراشه مدار مجتمع 132-VBGA سطحی MT29F2T08EMLEEJ4-T:E

  شماره بخش:MT29F2T08EMLEEJ4-T:E

  عرض گذرگاه داده:8 بیت

  سازمان:256 G x 8

  اکنون تماس بگیرید
• 

  مدارهای مجتمع الکترونیکی MT29F4T08EULEEM4-T:E FLASH - آی سی حافظه NAND

  شماره بخش:MT29F4T08EULEEM4-T:E

  نوع نصب:ارتفاع سطح

  دمای کار:0°C ~ 70°C

  اکنون تماس بگیرید
• 

  آی سی حافظه تراشه مدار مجتمع MT25QL02GCBB8E12-0AAT 2 گیگابیت SPI 133 مگاهرتز

  شماره بخش:MT25QL02GCBB8E12-0AAT

  پاک کردن عملکرد:80 کیلوبایت در ثانیه

  زیر بخش:4 کیلوبایت

  اکنون تماس بگیرید
• 

  MT29F2G01ABBGD12-AAT:G 2Gbit SPI 83MHz حافظه IC 24-T-PBGA سطحی

  شماره بخش:MT29F2G01ABBGD12-AAT:G

  اندازه حافظه:2 گیگابیت

  رابط حافظه:SPI

  اکنون تماس بگیرید
• 

  1 ترابایت موازی 132-VBGA سطح پایه MT29F1T08EELEEJ4-R:E آی سی حافظه NAND

  شماره بخش:MT29F1T08EELEEJ4-R:E

  تکنولوژی:FLASH - NAND (TLC)

  ولتاژ - عرضه:2.6 ولت ~ 3.6 ولت

  اکنون تماس بگیرید