چین تراشه مدار مجتمع

• 

  تراشه مدار مجتمع 16 بیتی PCM صوتی یکپارچه AD1851RZ-REEL7

  شماره قطعه:AD1851RZ-REEL7

  THD پلاس نویز:110 دسی بل

  نوع خروجی:جریان، ولتاژ

  اکنون تماس بگیرید
• 

  آرایه گیت قابل برنامه ریزی میدان جاسازی شده 196-LBGA XC7S15-2FTGB196I Surface Mount

  شماره قطعه:XC7S15-2FTGB196I

  ولتاژ منبع تغذیه عملیاتی:1 V

  PLL:6

  اکنون تماس بگیرید
• 

  مدارهای مجتمع الکترونیکی آرایه گیت قابل برنامه ریزی فیلد IC XC7S75-1FGGA484I

  شماره قطعه:XC7S75-1FGGA484I

  کاملا مستقل:2

  رجیسترهای شیفت:32 بیتی

  اکنون تماس بگیرید
• 

  آرایه گیت قابل برنامه ریزی میدانی مدار مجتمع Spartan-7 FPGA XC7S100-1FGGA484I

  شماره قطعه:XC7S100-1FGGA484I

  تعداد بلوک های آرایه منطقی - LAB:8000 آزمایشگاه

  تعداد ورودی/خروجی:ورودی/خروجی 338

  اکنون تماس بگیرید
• 

  تراشه مدار مجتمع ADN4621BRSZ 3750Vrms 2 کانال 2.5Gbps LVDS Digital Isolator

  شماره قطعه:ADN4621BRSZ

  نرخ داده:2.5 گیگابیت بر ثانیه

  حالت مشترک مصونیت گذرا (حداقل):35 کیلو ولت بر ثانیه

  اکنون تماس بگیرید
• 

  پایه 20-SOIC سطحی ISOW7721FDFMR 5000Vrms 2 کانال 100Mbps SPI Digital Isolator

  شماره قطعه:ISOW7721FDFMR

  زمان ظهور / سقوط (نوع):2.5 ثانیه، 2.4 ثانیه

  اعوجاج عرض پالس (حداکثر):5 ثانیه

  اکنون تماس بگیرید
• 

  جداساز دیجیتالی همه منظوره MAX22444CAWE+ 200Mbps سطح پایه 16-SOIC

  شماره قطعه:MAX22444CAWE+

  حداکثر زمان پاییز:3 ns

  حداکثر زمان افزایش:2.4 ns

  اکنون تماس بگیرید
• 

  تراشه مدار مجتمع ISOW7740FDFMR چهار کانال دیجیتال ایزولاتور 20-SOIC 100Mbps

  شماره قطعه:ISOW7740FDFMR

  نرخ داده:100 مگابیت بر ثانیه

  تاخیر انتشار tpLH / tpHL (حداکثر):15.7 ثانیه، 15.7 ثانیه

  اکنون تماس بگیرید
• 

  تراشه مدار مجتمع 6 کانال ایزولاتور دیجیتال 3000Vrms MAX22166CAEE+

  شماره قطعه:MAX22166CAEE+

  ورودی ها - سمت 1/سمت 2:6/0

  قطبیت:یک طرفه

  اکنون تماس بگیرید
• 

  تراشه مدار مجتمع IMZ120R030M1H ترانزیستورهای کانال N سیلیکون کاربید TO-247-4

  شماره قطعه:IMZ120R030M1H

  سلسله:CoolSiC™

  نوع FET:کانال N

  اکنون تماس بگیرید
• 

  MOSFET SiC Trench IMBF170R1K0M1 ماسفت های کانال N ترانزیستورهای TO-263-8 1700 ولت

  شماره قطعه:IMBF170R1K0M1

  فن آوری:SiCFET (سیلیکون کاربید)

  Vgs (حداکثر):+20 ولت، -10 ولت

  اکنون تماس بگیرید
• 

  بسته بندی ترانزیستورهای IMZA65R048M1H Single FET MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4

  شماره قطعه:IMZA65R048M1H

  VGS:-5 - 23 V

  جریان نشتی منبع گیت:100 نانو آمپر

  اکنون تماس بگیرید