چین تراشه مدار مجتمع

• 

  ترانزیستورهای سی سی پاور ماسفت SCT4062KW7TL با تراشه مدار مجتمع TO-263-8 کانال N

  شماره قطعه:SCT4062KW7TL

  رده محصولات:ماسفت

  نوع FET:کانال N

  اکنون تماس بگیرید
• 

  تراشه مدار مجتمع SCT2280KEGC11 ترانزیستورهای کانال N TO-247-3 از طریق سوراخ

  شماره قطعه:SCT2280KEGC11

  جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد:14A (Tc)

  شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs:36 nC @ 18 V

  اکنون تماس بگیرید
• 

  ترانزیستورهای N-channel SCT3080ARHRC15 SiC Power MOSFET 650V تراشه مدار مجتمع

  شماره قطعه:SCT3080ARHRC15

  بسته / مورد:TO-247-4L

  حالت کانال:تقویت

  اکنون تماس بگیرید
• 

  تراشه مدار مجتمع SCT3022KLGC11 1200V 95A 427W ترانزیستورهای سوراخ دار

  شماره قطعه:SCT3022KLGC11

  Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs:28.6 میلی اهم @ 36 آمپر، 18 ولت

  Vgs (حداکثر):+22 ولت، -4 ولت

  اکنون تماس بگیرید
• 

  ترانزیستورهای تک ماسفت تراشه آی سی تراشه N-Channel 750V 56A 176W SCT4026DRHRC15

  شماره قطعه:SCT4026DRHRC15

  نوع نصب:از طریق سوراخ

  دمای عملیاتی:175 درجه سانتی گراد (TJ)

  اکنون تماس بگیرید
• 

  ترانزیستورهای کانال N سیلیکون کاربید SCTH60N120G2-7 TO-263-8 سطحی

  شماره قطعه:SCTH60N120G2-7

  حالت کانال:تقویت

  پیکربندی:تنها

  اکنون تماس بگیرید
• 

  تراشه مدار مجتمع SCTW40N120G2VAG پاور ماسفت ترانزیستورهای کانال N TO-247-3

  شماره قطعه:SCTW40N120G2VAG

  ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن):18 ولت

  جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد:33A (Tc)

  اکنون تماس بگیرید
• 

  ترانزیستورهای کانال N سیلیکون کاربید SCTWA30N120 TO-247-3

  شماره قطعه:SCTWA30N120

  Vds - ولتاژ شکست منبع تخلیه:1.2 کیلو ولت

  Rds On - مقاومت در برابر منبع تخلیه:100 میلی اهم

  اکنون تماس بگیرید
• 

  ترانزیستورهای کانال N تراشه مدار مجتمع TW048N65C,S1F TO-247-3 سیلیکون کاربید

  شماره قطعه:TW048N65C,S1F

  Vgs(th) (حداکثر) @ ID:5 ولت @ 1.6 میلی آمپر

  زمان برخاستن:43 ns

  اکنون تماس بگیرید
• 

  تراشه مدار مجتمع SCT10N120AG 1200V 12A ترانزیستورهای کانال N TO-247-3

  شماره قطعه:SCT10N120AG

  حداقل دمای عملیاتی:- 55 درجه سانتیگراد

  حداکثر دمای عملیاتی:+ 200 درجه سانتیگراد

  اکنون تماس بگیرید
• 

  تراشه مدار یکپارچه TW030N120C,S1F ماسفت های تک ترانزیستور TO-247-3

  شماره قطعه:TW030N120C,S1F

  ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds:2925 pF @ 800 V

  شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs:82 nC @ 18 V

  اکنون تماس بگیرید
• 

  ترانزیستورهای N-Channel TW015N65C,S1F تراشه مدار مجتمع TO-247-3 ترانزیستورها

  شماره قطعه:TW015N65C,S1F

  فن آوری:SiCFET (سیلیکون کاربید)

  ظرفیت ورودی:4850pF

  اکنون تماس بگیرید