چین تراشه مدار مجتمع

• 

  ترانزیستورهای ماسفت تک FET BUK9M67-60ELX تراشه مدار مجتمع 60 ولت LFPAK33

  شماره قطعه:BUK9M67-60ELX

  سلسله:خودرو، AEC-Q100

  فن آوری:ماسفت (اکسید فلز)

  اکنون تماس بگیرید
• 

  تراشه های آی سی BUK9M20-60ELX LFPAK33 ترانزیستورهای ماسفت سطح منطقی تک کاناله N

  شماره قطعه:BUK9M20-60ELX

  بسته / مورد:SOT-1210، 8-LFPAK33 (5-Lead)

  سبک نصب:SMD/SMT

  اکنون تماس بگیرید
• 

  ترانزیستورهای ماسفت کانال N NTBG060N065SC1 D2PAK-7 تراشه مدار مجتمع 650 ولت

  شماره قطعه:NTBG060N065SC1

  شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs:74 nC @ 18 V

  ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds:1473 pF @ 325 V

  اکنون تماس بگیرید
• 

  تراشه مدار مجتمع NTBG025N065SC1 ترانزیستورهای ماسفت سیلیکون کاربید TO-263-8

  شماره قطعه:NTBG025N065SC1

  شناسه - جریان تخلیه مداوم:106 الف

  Rds On - مقاومت در برابر منبع تخلیه:28.5 میلی اهم

  اکنون تماس بگیرید
• 

  تراشه مدار مجتمع NTH4L075N065SC1 TO-247-4 ترانزیستور N-Channel MOSFET 650 ولت

  شماره قطعه:NTH4L075N065SC1

  شارژ گیت فوق العاده کم:QG (tot) = 61 nC

  ظرفیت خروجی کم:Coss = 107 pF

  اکنون تماس بگیرید
• 

  ترانزیستورهای ماسفت کانال N 650 ولتی NTH4L025N065SC1 از طریق سوراخ TO-247-4 تراشه های آی سی

  شماره قطعه:NTH4L025N065SC1

  حداقل دمای عملیاتی:-55 درجه سانتی گراد (TJ)

  Pd - اتلاف نیرو:348 وات

  اکنون تماس بگیرید
• 

  ترانزیستورهای ماسفت کانال N تراشه مدار مجتمع 1200 ولت NTHL020N120SC1 TO-247-3

  شماره قطعه:NTHL020N120SC1

  Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs:28 میلی اهم @ 60 آمپر، 20 ولت

  ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds:2890 pF @ 800 V

  اکنون تماس بگیرید
• 

  ترانزیستورهای ماسفت 1200 ولت SiC Trench IMBG120R045M1H ترانزیستورهای ماسفت کانال N TO-263-8

  شماره قطعه:IMBG120R045M1H

  زمان مقاومت در برابر اتصال کوتاه:3 میکرو ثانیه

  ولتاژ دروازه خاموش:0 ولت

  اکنون تماس بگیرید
• 

  تراشه مدار مجتمع IMBG120R060M1H TO-263-8 ترانزیستورهای 1200 ولت SiC Trench MOSFET

  شماره قطعه:IMBG120R060M1H

  جریان تخلیه پالسی:94A

  اتلاف نیرو، TC = 25 درجه سانتیگراد:181 وات

  اکنون تماس بگیرید
• 

  ترانزیستورهای MOSFET کانال N-Channel IMBG120R220M1H 1200V کاربید سیلیکون TO-263-8

  شماره قطعه:IMBG120R220M1H

  زمان سقوط:11 ns

  رسانایی رو به جلو - حداقل:1.9 S

  اکنون تماس بگیرید
• 

  ترانزیستورهای ماسفت برقی با تراشه مدار مجتمع MSC025SMA120J

  شماره قطعه:MSC025SMA120J

  حداقل دمای عملیاتی:- 55 درجه سانتیگراد

  حداکثر دمای عملیاتی:+ 175 درجه سانتیگراد

  اکنون تماس بگیرید
• 

  ترانزیستورهای ماسفت کاربید سیلیکون IMW120R140M1H کانال N 1200V 19A 94W Through Hole

  شماره قطعه:IMW120R140M1H

  دمای عملیاتی:-55 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد (TJ)

  قطبیت:ن

  اکنون تماس بگیرید