W632GU6RB-11 تراشه حافظه IC 2 گیگابیت DDR3L SDRAM 933 مگاهرتز ولتاژ پایین برای سیستم های تعبیه شده

W632GU6RB-11 یک تراشه حافظه 2 گیگابایتی DDR3L SDRAM است. DDR3L نسخه کم ولتاژ DDR3 است که مصرف برق را به طور قابل توجهی کاهش می دهد در حالی که قابلیت های انتقال داده با سرعت بالا را حفظ می کند و آن را برای سیستم های تعبیه شده با نیاز به بهره وری انرژی و پهنای باند ایده آل می کند.

W632GU6RB-11 دارای معماری 16M × 8 بانک × 16 بیتی، با ظرفیت کل 2 گیگابایت و عرض گذرگاه داده 16 بیتی (x16) است. این تراشه از ولتاژ هسته 1.35 ولت (VDD) و ولتاژ I/O 1.35 ولت/1.5 ولت (VDDQ) پشتیبانی می کند، در حالی که با سطوح I/O استاندارد 1.5 ولت DDR3 سازگار است و امکان انتخاب انعطاف پذیر در طول طراحی سیستم را فراهم می کند. این تراشه در بسته بندی 96 توپ VFBGA با ابعاد فقط 7.5 میلی متر × 13 میلی متر قرار دارد و آن را برای برنامه های تعبیه شده با محدودیت فضا مناسب می کند.

• منبع تغذیه: 1.35 ولت (معمولی)، VDD، VDDQ = 1.283 ولت تا 1.45 ولت
• سازگار با نسخه های قبلی با VDD، VDDQ = 1.5 ولت ± 0.075 ولت
• معماری نرخ داده دوگانه: دو انتقال داده در هر چرخه ساعت
• هشت بانک داخلی برای عملیات همزمان
• معماری پیش‌خوانی 8 بیتی
• تأخیر CAS: 5، 6، 7، 8، 9، 10، 11، 13 و 14
• حالت‌های طول انفجار 8 (BL8) و برش انفجار 4 (BC4): ثابت از طریق رجیستر حالت (MRS) یا قابل انتخاب در لحظه (OTF)
• ترتیب انفجار خواندن قابل برنامه‌ریزی: متناوب یا متوالی نیبل
• استروب‌های داده دیفرانسیلی دوطرفه (DQS و DQS#) با داده‌ها ارسال/دریافت می‌شوند
• هم‌تراز با لبه داده خوانده شده و هم‌تراز با مرکز داده نوشته شده
• DLL گذار DQ و DQS را با ساعت هم‌تراز می‌کند
• ورودی‌های ساعت دیفرانسیلی (CK و CK#)
• دستورات در هر لبه مثبت CK وارد می‌شوند، داده‌ها و ماسک داده به هر دو لبه جفت استروب داده دیفرانسیلی (نرخ داده دوگانه) ارجاع داده می‌شوند
• CAS ارسال شده با تأخیر افزایشی قابل برنامه‌ریزی (AL = 0، CL - 1 و CL - 2) برای بهبود بهره‌وری گذرگاه دستور، آدرس و داده
• تأخیر خواندن = تأخیر افزایشی به علاوه تأخیر CAS (RL = AL + CL)
• عملیات پیش‌شارژ خودکار برای انفجارهای خواندن و نوشتن
• رفرش، خود-رفرش، خود-رفرش خودکار (ASR) و رفرش خودکار بخشی از آرایه (PASR)
• کاهش مصرف برق در حالت پیش‌شارژ و کاهش مصرف برق در حالت فعال
• ماسک‌های داده (DM) برای داده‌های نوشتن
• تأخیر نوشتن CAS قابل برنامه‌ریزی (CWL) بر اساس فرکانس عملیاتی
• تأخیر نوشتن WL = AL + CWL
• رجیستر چند منظوره (MPR) برای خواندن یک دنباله بیت کالیبراسیون زمان‌بندی سیستم از پیش تعریف شده
• پشتیبانی از کالیبراسیون زمان‌بندی در سطح سیستم از طریق سطح‌بندی نوشتن و الگوی خواندن MPR
• کالیبراسیون ZQ برای درایور خروجی و ODT با استفاده از مقاومت مرجع خارجی به زمین
• پین RESET# ناهمزمان برای توالی راه‌اندازی و عملکرد بازنشانی هنگام روشن شدن
• پایان‌دهی قابل برنامه‌ریزی روی تراشه (ODT) برای جفت‌های استروب داده، ماسک داده و دیفرانسیلی
• حالت ODT پویا برای بهبود یکپارچگی سیگنال و امپدانس‌های پایان‌دهی از پیش انتخاب شده در طول نوشتن
• اندازه صفحه 2 کیلوبایت

• سیستم‌های تعبیه شده: کاربردهایی که به حافظه‌های پنهان با ظرفیت متوسط و سرعت بالا نیاز دارند، مانند کنترل صنعتی، رابط‌های انسان و ماشین (HMI) و پایانه‌های جمع‌آوری داده
• تجهیزات شبکه: بافر کردن داده در دستگاه‌های ارتباطی مانند روترها، سوئیچ‌ها و گیت‌وی‌ها
• لوازم الکترونیکی مصرفی: محصولات مصرفی حساس به هزینه مانند تلویزیون‌های دیجیتال، جعبه‌های تنظیم بالا و بلندگوهای هوشمند
• الکترونیک خودرو: سیستم‌های سرگرمی داخل خودرو و دستگاه‌های ناوبری (نسخه دمای صنعتی باید انتخاب شود)
• بینایی صنعتی: بافر فریم برای دوربین‌های بینایی ماشین و کارت‌های ضبط تصویر