HMC349AMS8GE GaAs SPDT سوئیچ مدار مجتمع تراشه 100MHz تا 4GHz طراحی غیر بازتابی با ایزولاسیون بالا

HMC349 یک سوئیچ گالیوم آرسناید (GaAs)، شبه مورفیک ترانزیستور با تحرک الکترون بالا (PHEMT)، تک قطبی، دو پرتابه (SPDT) است که از 100 مگاهرتز تا 4 گیگاهرتز مشخص شده است.

HMC349 با ارائه ایزولاسیون بالا 57 دسی بل، افت درج کم 0.9 دسی بل، IP3 ورودی بالا 52 dBm و P1dB ورودی بالا 34 dBm، برای کاربردهای زیرساخت سلولی مناسب است.

HMC349 با ولتاژ تغذیه مثبت تکی از 3 ولت تا 5 ولت کار می کند و یک رابط کنترل سازگار با CMOS/TTL را ارائه می دهد.

HMC349 در یک بسته کوچک هشت پین با پد در معرض عرضه می شود.

• طراحی بدون بازتاب، 50 اهم
• ایزولاسیون بالا: 57 دسی بل تا 2 گیگاهرتز
• افت درج کم: 0.9 دسی بل تا 2 گیگاهرتز
• خطی بودن ورودی بالا
• فشرده سازی توان 1 دسی بل (P1dB): 34 dBm معمول
• نقطه تلاقی مرتبه سوم (IP3): 52 dBm معمول
• قابلیت تحمل توان بالا
• مسیر عبوری 33.5 dBm
• مسیر ترمینال شده 26.5 dBm
• تغذیه مثبت تکی: 3 ولت تا 5 ولت
• کنترل سازگار با CMOS/TTL
• کنترل تمام حالت خاموش
• بسته کوچک هشت پین با پد در معرض (MINI_SO_EP)

• زیرساخت سلولی/4G
• زیرساخت بی سیم
• رادیوهای موبایل
• تجهیزات تست