CMPA601C025F GaN IC GaN MMIC 40W 25dB بهره 6 گیگاهرتز تا 12 گیگاهرتز گالیوم نیترید HEMT MMIC تقویت کننده توان

CMPA601 یک مدار مجتمع مایکروویو یکپارچه (MMIC) مبتنی بر ترانزیستور با تحرک الکترون بالا (HEMT) گالیوم نیترید (GaN) بر روی زیرلایه کاربید سیلیکون است که از فرآیند ساخت با طول گیت 0.25 میکرومتر استفاده می کند. GaN روی SiC خواص برتری نسبت به سیلیکون، گالیوم آرسنید یا GaN روی Si ارائه می دهد، از جمله ولتاژ شکست بالاتر، سرعت رانش الکترون اشباع بالاتر و هدایت حرارتی بالاتر. HEMT های GaN همچنین چگالی توان بیشتر و پهنای باند وسیع تری نسبت به ترانزیستورهای Si، GaAs و GaN روی Si ارائه می دهند. این MMIC از رویکرد طراحی تقویت کننده با تطبیق واکنشی بهره می برد که پهنای باند بسیار وسیعی را امکان پذیر می کند.

• بهره سیگنال کوچک 34 دسی بل
• توان اشباع معمول PSAT 40 وات
• عملیات تا 28 ولت
• ولتاژ شکست بالا
• عملیات در دمای بالا
• اندازه 0.172 x 0.239 x 0.004 اینچ

• تقویت کننده های پهنای باند
• تقویت کننده های رادار
• تقویت کننده های تجهیزات تست
• تقویت کننده های اختلال