|
جزئیات محصول:
|
| شماره قطعه: | IDL10G65C5 | تکنولوژی: | SiC (سیلیکون کاربید) شاتکی |
|---|---|---|---|
| ولتاژ - معکوس DC (Vr) (حداکثر): | 650 ولت | فعلی - میانگین اصلاح شده (Io): | 10A |
| جریان - نشت معکوس @ Vr: | 180 میکروا @ 650 v | ظرفیت @ Vr، F: | 300pf @ 1V ، 1MHz |
IDL10G65C5 یک دیود شاتکی CoolSiC™ (کاربید سیلیکون) 650 ولت، 2 آمپر در بسته بندی DPAK real2pin است که با ترکیبی از فناوری ویفر نازک و فرآیند اتصال انتشار اختصاصی، بهبود قابل توجهی در عملکرد را به دست می آورد.
| دسته بندی محصول | دیودهای شاتکی SiC |
|---|---|
| سبک نصب | SMD/SMT |
| بسته بندی / مورد | VSON-4 |
| پیکربندی | تک |
| جریان رو به جلو (If) | 10 آمپر |
| ولتاژ معکوس تکراری (Vrrm) | 650 ولت |
| ولتاژ رو به جلو (Vf) | 1.8 ولت |
| جریان هجومی رو به جلو (Ifsm) | 50 آمپر |
| جریان معکوس (Ir) | 2 میکرو آمپر |
| حداقل دمای عملیاتی | -55 درجه سانتیگراد |
| حداکثر دمای عملیاتی | +150 درجه سانتیگراد |
| اتلاف توان (Pd) | 113 وات |
| شماره قطعه | بسته بندی |
|---|---|
| CSDM65295TVCQ | QFN-FCMOD-72 |
| TPSM828511RDYR | QFN-FCMOD-9 |
| TPSM828512RDYR | QFN-FCMOD-9 |
| TPSM8287A12BASRDVR | B0QFN-39 |
| TPSM8287A12BBSRDVR | B0QFN-39 |
| TPSM828303APVCBR | QFN-FCMOD-10 |
| TPSM828303ARDSR | QFN-FCMOD-9 |
| TLVM23615RDNR | QFN-FCMOD-11 |
| TPSM560R6HRDAR | B3QFN-15 |
| TPSM831D31MOA | QFM-28 |
| TPSM82823SILR | USIP-10 |
| LMZM33602RLRR | B3QFN-18 |
| LMZM33603RLRR | B3QFN-18 |
| TPSM84424MOLR | QFM-24 |
| TPSM84824MOLR | QFM-24 |
| NXH100B120H3Q0STG | ماژول |
| NXH500B100H7Q2F2SHG | ماژول |
| BCM6719A0KEFBG | BGA |
| BCM4918A0KFBEG | FCBGA |
| BCM67142A0KEFBG | BGA |
| BCM67192A0KEFBG | BGA |
| BCM6772A0KFEBG | BGA |
| BCM6774A0KFEBG | FCBGA |
| BCM6776A0KFEBG | FCBGA |
| BCM68850 | BGA |
| STGD25N36LZAG | TO-252-3 |
| IIS3DWB10IS | LGA-16 |
| CYT6BJ8DDBQ0AEEGS | TQFP-176 |
| CYT6BJ8DDBQ0AESGS | TQFP-176 |
| CYT6BJBDHBQ0BZEGS | PG-LFBGA-272 |
تماس با شخص: Sales Manager
تلفن: 86-13410018555
فکس: 86-0755-83957753