IQFH99N06NM5 ترانزیستور MOSFET قدرت با ولتاژ منبع تخلیه 60 ولت 339A جریان تخلیه مداوم و RDS بسیار پایین ((on) 1.72 mOhms

Name: IQFH99N06NM5 ترانزیستور MOSFET قدرت با ولتاژ منبع تخلیه 60 ولت 339A جریان تخلیه مداوم و RDS بسیار پایین ((on) 1.72 mOhms
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IQFH99N06NM5
Availability: InStock

همه محصولات

تراشه مدار مجتمع
(21274)

آی سی بی تی
(558)

ماژول های IGBT خودرو
(2226)

میکروکنترلر MCU
(14929)

آی سی GaN
(166)

تراشه پردازنده هوش مصنوعی
(1304)

آرایه دروازه قابل برنامه ریزی فیلد
(7008)

آی سی اترنت
(1075)

اتصال دهنده ها
(3512)

تراشه آی سی حافظه
(2616)

آی سی سنسور
(2515)

تراشه اینترنت اشیا
(244)

ماژول 5G
(160)

تراشه وای فای
(153)

تراشه آی سی آیفون
(54)

ماژول ارتباط بی سیم
(3749)

ترموستات کنترل کننده دما
(11)

راه حل های جاسازی شده
(9624)

بهترین محصولات

CYPD6227-96BZXI چیپ مدار یکپارچه دو پورت کنترل کننده USB نوع C IC VFBGA96

MC33984CHFKR2 مدار یکپارچه چیپ رانندگان بار IC سوئیچ های توزیع برق

MCZ33905DD5EKR2 سیستم تراشه مدار یکپارچه تراشه پایه با سرعت بالا CAN و LIN

گواهی

نظرات مشتریان

بسیار سریع ارسال شد، و بسیار مفید بود، جدید و اصلی بود، به شدت توصیه می شود.

—— نیشیکاوا از ژاپن

خدمات حرفه ای و سریع، قیمت قابل قبول برای کالا.ارتباط عالی، محصول همانطور که انتظار می رود.من این تامین کننده را به شدت توصیه می کنم.

—— لوئیس از ایالات متحده

کیفیت بالا و عملکرد قابل اعتماد: "مكونات الکترونیکی که از [شینزن مینگجیادا الکترونیک شرکت لمیتد] دریافت کرده ایم با کیفیت بالا هستند و عملکرد قابل اعتماد در دستگاه های ما را نشان داده اند".

—— ریچارد از آلمان

قیمت های رقابتی: قیمت های ارائه شده توسط بسیار رقابتی است، که آن را انتخاب عالی برای نیازهای خرید ما می کند.

—— تیم از مالزی

خدمات مشتری ارائه شده توسط عالی است. آنها همیشه پاسخگو و مفید هستند، اطمینان از نیازهای ما به سرعت برآورده می شود.

—— وینسنت از روسیه

قیمت های عالی، تحویل سریع، و خدمات عالی به مشتریان.

—— نیشیکاوا از ژاپن

قطعات قابل اعتماد، حمل و نقل سریع و پشتیبانی عالی.

—— سام از ایالات متحده

قطعات با کیفیت بالا و یک فرآیند سفارش بی پیچ و خم. به شدت ShenZhen Mingjiada الکترونیک Co.، Ltd را برای هر پروژه الکترونیک توصیه می کنم!

—— لینا از آلمان

چت IM آنلاین در حال حاضر

IQFH99N06NM5 ترانزیستور MOSFET قدرت با ولتاژ منبع تخلیه 60 ولت 339A جریان تخلیه مداوم و RDS بسیار پایین ((on) 1.72 mOhms

تصویر بزرگ : IQFH99N06NM5 ترانزیستور MOSFET قدرت با ولتاژ منبع تخلیه 60 ولت 339A جریان تخلیه مداوم و RDS بسیار پایین ((on) 1.72 mOhms

جزئیات محصول:

محل منبع:	CN
نام تجاری:	Original Factory
گواهی:	Lead free / RoHS Compliant
شماره مدل:	IQFH99N06NM5

پرداخت:

مقدار حداقل تعداد سفارش:	10
قیمت:	Contact for Sample
جزئیات بسته بندی:	TSON-12
زمان تحویل:	5-8 روز کاری
شرایط پرداخت:	T/T، L/C، وسترن یونیون

مخاطب

IQFH99N06NM5 ترانزیستور MOSFET قدرت با ولتاژ منبع تخلیه 60 ولت 339A جریان تخلیه مداوم و RDS بسیار پایین ((on) 1.72 mOhms

توضیحات

شماره قطعه:	IQFH99N06NM5	Vds - ولتاژ خرابی منبع تخلیه::	60 ولت
شناسه - جریان تخلیه مداوم::	339 الف	Rds On - مقاومت منبع تخلیه::	1.72 میلی اهم
Vgs - ولتاژ گیت منبع::	- 20 ولت، 20 ولت	Vgs th - ولتاژ آستانه دروازه منبع::	2.8 V
برجسته کردن:	ماسفت برق ولتاژ منبع تخلیه 60 ولت,ترانزیستور ماسفت جریان تخلیه مداوم 339A,تراشه مدار مجتمع RDS (روشن) بسیار کم 1.72 میلی اهم , 339A Continuous Drain Current MOSFET Transistor , Ultra-low RDS(on) 1.72 mOhms Integrated Circuit Chip

IQFH99N06NM5 ترازستورهای MOSFET قدرتمند

IQFH99N06NM5 ترازستورهای MOSFET قدرتمند

توضیحات محصول

IQFH99N06NM5 MOSFET قدرت 60V سطح عادی دارای جدیدترین بسته PQFN 8x6 mm2 مبتنی بر کلیپ فشرده و نوآورانه ما است که سطح جریان و قدرت بسیار بالا را فراهم می کند.این قطعه RDS بسیار پایین را ارائه می دهد ((on)) 0.68 mΩ در ترکیب با عملکرد حرارتی برجسته، ارائه بهره وری سیستم بالاتر و تراکم قدرت برای برنامه های مختلف از جمله سیستم های باتری، مدیریت باتری،محرک های ولتاژ پایین، و SMPS.

مشخصات فنی

پارامتر	ارزش
بسته بندی / کیس	TSON-12
قطب گرایی ترانزیستور	کانال N
تعداد کانال ها	کانال 1
Vds - ولتاژ شکستن منبع تخلیه	60 ولت
Id - جریان تخلیه مداوم	339 A
Rds On - مقاومت منبع تخلیه	1.72 ميليومتر
Vgs - ولتاژ منبع دروازه	-20 ولت، 20 ولت
Vgs th - ولتاژ آستانه منبع دروازه	2.8 ولت
Qg - هزینه دروازه	115 بعد از میلاد
حداقل دمای کار	-55 °C
حداکثر دمای کار	+175 °C
Pd - از بین رفتن قدرت	۲۱۴ وات
پیکربندی	مجرد
زمان پاییز	48 ns
ترانسکندکتانس جلو - دقیقه	120 S
نوع محصول	MOSFET ها
وقت بلند شدن	78 ns
زمان تاخیر معمولی خاموش کردن	54 ns
زمان تاخیر معمول روشن شدن	15 ns

ویژگی های کلیدی

تکنولوژی سیلیکون پیشرفته OptiMOSTM
نسبت بالای تراشه به بسته
جریان های فوق العاده بالا در اثر فشرده
انگل های بسته بندی بسیار کم
طراحی بهینه شده قاب سرب و Cu-Clip
سازگاری اثر پا با PQFN 5x6
طرح بندی فشرده با موازی کمتر

مزایای عملکرد

کاهش کاهش ضایعات رسانا
قابلیت قدرت بالا
عملکرد دستگاه برتر
تخفیف ولتاژ
عملکرد حرارتی برتر
صفحه استفاده مجدد برای سطوح قدرت متعدد
عملکرد سوئیچ برتر/EMI

برنامه های کاربردی هدف

راه حل های خودروهای الکتریکی سبک
راه حل های دوچرخه برقی
چندکاپترها و هواپیماهای بدون سرنشین
ابزار برق
رباتیک
سیستم های مدیریت باتری (BMS)

اجزای الکترونیکی مرتبط در موجودی

شماره بخش	بسته بندی
R7S910007CBA	FBGA-320
R7S910026CBA	FBGA-320
R7S910027CBA	FBGA-320
R7S910025CBA	FBGA-320
R7S910036CBA	FBGA-320
R7S910028CBA	FBGA-320
R7S910015CBA	FBGA-320
R7S910016CBA	FBGA-320
R7S910018CBA	FBGA-320
R7S910017CBA	FBGA-320
MCP47CVB02-E/UN	10-MSOP
MCP47CMB22-E/UN	10-MSOP
MCP47CMB12-E/UN	10-MSOP
MCP47CVB21-E/MF	10-DFN
MCP47CVB28-20E/ST	20-TSSOP
MCP48CVB18-20E/ST	20-TSSOP
MCP47CVB11-E/MG	16-QFN
MCP47CVB01-E/MG	16-QFN
MCP47CVB12-E/MG	16-QFN
MCP47CMB21-E/MF	10-DFN
MCP48FEB24-20E/ST	20-TSSOP
MCP48CVB22-E/MG	16-QFN
MCP48CVB02-E/MG	16-QFN
MCP47FEB14-E/MQ	20-VQFN
MCP47CVB24T-20E/ST	20-TSSOP
MCP48CVB08T-E/ML	20-QFN
MCP47CMD22T-E/MF	10-DFN
MCP47CMD01-E/MG	16-QFN
MCP47CVD11-E/MF	10-DFN
MCP48CMD12-E/MF	10-DFN

پرسش های مکرر

سوال: محصولات شما اصیل هستند؟

A: بله، تمام محصولات اصلی هستند، واردات جدید اصلی هدف ما است.

سوال: چه گواهیاتی دارید؟

A: ما یک شرکت دارای گواهینامه ISO 9001: 2015 و عضو ERAI هستیم.

س: آیا می توانید سفارش کمی یا نمونه را پشتیبانی کنید؟ آیا نمونه رایگان است؟

A: بله، ما از سفارش نمونه و سفارش کوچک پشتیبانی می کنیم. هزینه نمونه با توجه به سفارش یا پروژه شما متفاوت است.

سوال: چطور سفارشم را ارسال کنم؟ آیا امن است؟

A: ما از انتقال سریع برای حمل و نقل استفاده می کنیم، مانند DHL، Fedex، UPS، TNT، EMS. ما همچنین می توانیم از انتقال دهنده پیشنهادی شما استفاده کنیم.محصولات در بسته بندی خوب و اطمینان از ایمنی و ما مسئول آسیب محصول به سفارش خود را.

سوال: زمان تحویل چطوره؟

A: ما می توانیم قطعات موجود را در عرض 5 روز کاری ارسال کنیم. اگر بدون موجودی باشد، ما زمان سرب را بر اساس مقدار سفارش شما تأیید خواهیم کرد.

برچسب:

تماس با شخص: Sales Manager

تلفن: 86-13410018555

فکس: 86-0755-83957753

سایر محصولات

LT8609IMSE#WTRPBF چیپ مدار یکپارچه DC DC تنظیم کننده های سوئیچینگ 10-TFSOP

شماره بخش: LT8609IMSE#WTRPBF

وضعیت محصول: فعال

عملکرد: پایین آمدن

پیکربندی خروجی: مثبت

لیتیوم یون BQ79616PAPRQ1 BQ79616 باتری چند منظوره کنترلر آی سی 64-HTQFP

عملکرد: کنترلر چند منظوره

شیمی باتری: لیتیوم یون

تعداد سلول ها: 1

حفاظت از خطا: بیش از درجه حرارت

تراشه های مجتمع USB3.2 10 گیگابیت بر ثانیه TUSB1002ARGER دو کاناله خطی درایور مجدد QFN24

شماره قطعه: TUSB1002ARGER

تولید - محصول: درایورهای USB

نرخ داده: 10 گیگابیت بر ثانیه

سرعت: سرعت فوق العاده (SS)

تقویت کننده کلاس D تراشه مدار مجتمع Closedloop TAS5805MPWPR TAS5805 HTSSOP28

شماره قطعه: TAS5805MPWPR

ولتاژ منبع تغذیه - حداقل: 3 V

ولتاژ منبع تغذیه - حداکثر: 3.6 V

دمای عملیاتی (حداقل): -25 درجه سانتی گراد

آی سی رگولاتور ولتاژ NCP51200 NCP51200MNTXG تراشه های آی سی تراشه پایان داده نرخ داده

شماره قطعه: NCP51200MNTXG

تعداد خروجی ها: 1

ولتاژ - خروجی: 0.5 ~ 1.8 ولت

ولتاژ - ورودی: 2.375 ~ 3.5 ولت

IQFH99N06NM5 ترانزیستور MOSFET قدرت با ولتاژ منبع تخلیه 60 ولت 339A جریان تخلیه مداوم و RDS بسیار پایین ((on) 1.72 mOhms

IQFH99N06NM5 ترانزیستور MOSFET قدرت با ولتاژ منبع تخلیه 60 ولت 339A جریان تخلیه مداوم و RDS بسیار پایین ((on) 1.72 mOhms

IQFH99N06NM5 ترانزیستور MOSFET قدرت با ولتاژ منبع تخلیه 60 ولت 339A جریان تخلیه مداوم و RDS بسیار پایین ((on) 1.72 mOhms

ماسفت برق ولتاژ منبع تخلیه 60 ولت,ترانزیستور ماسفت جریان تخلیه مداوم 339A,تراشه مدار مجتمع RDS (روشن) بسیار کم 1.72 میلی اهم

339A Continuous Drain Current MOSFET Transistor

Ultra-low RDS(on) 1.72 mOhms Integrated Circuit Chip

تراشه مدار مجتمع 24-PQFN,

TUSB1002ARGER خطی دو کاناله,