GT30J122 تراشه مدار مجتمع IGBTهای گسسته 600 ولت ترانزیستور IGBT کانال N سیلیکونی

GT30J122 تراشه مدار مجتمع IGBT های گسسته 600 ولت ترانزیستور IGBT کانال N سیلیکونی‌

توضیحات محصول GT30J122

GT30J122 IGBT های گسسته است - ترانزیستور IGBT کانال N سیلیکونی.

مشخصات GT30J122

ویژگی های GT30J122

نسل 4
حالت تقویت
سوئیچینگ با سرعت بالا: tf = 0.20 µs (typ.) (IC = 50 A)
ولتاژ اشباع کم: VCE(sat) = 1.7 V (typ.) (IC = 50 A)

کاربردهای GT30J122

اختصاص داده شده به کاربردهای سوئیچینگ اینورتر رزونانس جریان
اختصاص داده شده به کاربردهای اصلاح ضریب توان (PFC) سوئیچینگ جزئی

سایر قطعات الکترونیکی موجود در انبار

سؤالات متداول
س. آیا محصولات شما اصلی هستند؟
پاسخ: بله، همه محصولات اصلی هستند، واردات اصلی جدید هدف ما است.
س: چه گواهینامه هایی دارید؟
پاسخ: ما یک شرکت دارای گواهی ISO 9001:2015 و عضو ERAI هستیم.
س: آیا می توانید از سفارش مقدار کم یا نمونه پشتیبانی کنید؟ آیا نمونه رایگان است؟
پاسخ: بله، ما از سفارش نمونه و سفارش کوچک پشتیبانی می کنیم. هزینه نمونه با توجه به سفارش یا پروژه شما متفاوت است.
س: چگونه سفارش خود را ارسال کنم؟ آیا امن است؟
پاسخ: ما از اکسپرس برای ارسال استفاده می کنیم، مانند DHL، Fedex، UPS، TNT، EMS. ما همچنین می توانیم از فورواردری که شما پیشنهاد می کنید استفاده کنیم. محصولات در بسته بندی خوبی قرار خواهند گرفت و ایمنی را تضمین می کنند و ما مسئول آسیب دیدن محصول به سفارش شما هستیم.
س: در مورد زمان تحویل چطور؟
پاسخ: ما می توانیم قطعات موجود در انبار را ظرف 5 روز کاری ارسال کنیم. اگر موجودی نداشته باشیم، زمان تحویل را بر اساس مقدار سفارش شما برای شما تأیید می کنیم.