TC58NYG2S0HBAI4 تراشه حافظه IC 4Gbit NAND Flash Memory IC TFBGA63

TC58NYG2S0HBAI4 حافظه IC تراشه 4Gbit NAND Flash حافظه IC TFBGA63

خلاصه محصولات TC58NYG2S0HBAI4

TC58NYG2S0HBAI4 یک واحد 1.8V 4 گیگابیت (4,563,402،752 بیت) NAND حافظه برقی پاک و قابل برنامه نویسی (NAND E2PROM) به عنوان (4096 + 256) بایت سازماندهی شده است.

TC58NYG2S0HBAI4 دارای دو ثبت ثابت 4352 بایت است که اجازه می دهد داده های برنامه و خواندن بین ثبت و آرایه سلول حافظه در افزایش 4352 بایت منتقل شود.عملیات پاک کردن در یک واحد بلوکی واحد (256 کیبایت + 16 کیبایت) اجرا می شود.: 4352 بایت x 64 صفحه).

مشخصات TC58NYG2S0HBAI4

ویژگی های TC58NYG2S0HBAI4

سازمان x8
آرایه سلول های حافظه: 4352 x 128K x 8
ثبت نام: 4352 x 8
اندازه صفحه: 4352 بایت
اندازه بلوک: (256K x 16K) بایت
منبع برق - VCC: 1.7V تا 1.95V
8 بیت ECC برای هر 512 بایت مورد نیاز است.

سایر اجزای الکترونیکی موجود

سوالات عمومی
سوال: محصولات شما اصیل هستند؟
A: بله، تمام محصولات اصلی هستند، واردات جدید اصلی هدف ما است.
سوال: شما چه گواهینامه ای دارید؟
A: ما یک شرکت صدور گواهینامه ISO 9001: 2015 و عضو ERAI هستیم.
س: آیا می توانید سفارش کمی یا نمونه را پشتیبانی کنید؟ آیا نمونه رایگان است؟
A: بله، ما از سفارش نمونه و سفارش کوچک پشتیبانی می کنیم. هزینه نمونه با توجه به سفارش یا پروژه شما متفاوت است.
سوال: چطور سفارشم را ارسال کنم؟ آیا امن است؟
A: ما از اکسپرس برای حمل و نقل استفاده می کنیم، مانند DHL،Fedex،UPS،TNT،EMS. ما همچنین می توانیم از انتقال دهنده پیشنهادی شما استفاده کنیم.محصولات در بسته بندی خوب و اطمینان از ایمنی و ما مسئول آسیب محصول به سفارش خود را.
سوال: زمان تحویل چطوره؟
A: ما می توانیم قطعات موجود را در عرض 5 روز کاری ارسال کنیم. اگر بدون موجودی، ما زمان سرب را بر اساس مقدار سفارش شما تأیید خواهیم کرد.