A2T27S020GNR1 چیپ مدار یکپارچه حالت تقویت کانال N RF Power ترانزیستورهای LDMOS

A2T27S020GNR1 چیپ مدار یکپارچه حالت تقویت کانال N RF Power ترانزیستورهای LDMOS

توضیحات محصول A2T27S020GNR1
A2T27S020GNR1 2.5 W قدرت RF ترانزیستورهای LDMOS برای برنامه های ایستگاه پایه سلولی طراحی شده اند که محدوده فرکانس 400 تا 2700 MHz را پوشش می دهند.

مشخصات A2T27S020GNR1

ویژگی های A2T27S020GNR1
محدوده ولتاژ منفی بزرگتر دروازه-منبع برای بهبود عملکرد کلاس C
طراحی شده برای سیستم های اصلاح خطای پیش تحریف دیجیتال
درایور پهن باند جهانی
تطابق با RoHS

سایر اجزای الکترونیکی موجود

سوالات عمومی
سوال: محصولات شما اصیل هستند؟
A: بله، تمام محصولات اصلی هستند، واردات جدید اصلی هدف ما است.
سوال: شما چه گواهینامه ای دارید؟
A: ما یک شرکت صدور گواهینامه ISO 9001: 2015 و عضو ERAI هستیم.
س: آیا می توانید سفارش کمی یا نمونه را پشتیبانی کنید؟ آیا نمونه رایگان است؟
A:بله، ما از سفارش نمونه و سفارش کوچک پشتیبانی می کنیم. هزینه نمونه با توجه به سفارش یا پروژه شما متفاوت است.
سوال: چطور سفارشم را ارسال کنم؟ آیا امن است؟
A: ما از اکسپرس برای حمل و نقل استفاده می کنیم، مانند DHL،Fedex،UPS،TNT،EMS. ما همچنین می توانیم از انتقال دهنده پیشنهادی شما استفاده کنیم.محصولات در بسته بندی خوب و اطمینان از ایمنی و ما مسئول آسیب محصول به سفارش خود را.
سوال: زمان تحویل چطوره؟
A: ما می توانیم قطعات موجود را در عرض 5 روز کاری ارسال کنیم. اگر بدون موجودی، ما زمان سرب را بر اساس مقدار سفارش شما تأیید خواهیم کرد.