ترازستورهای HEMT

چیپ مدار یکپارچه GTVA262701FA-V2-R2 270W RF GaN در ترانزیستورهای SiC HEMT

توضیحات محصولGTVA262701FA-V2-R2

GTVA262701FA-V2-R2 یک ترانزیستور حرکت الکترون بالا (HEMT) 270 وات GaN بر روی SiC برای استفاده در برنامه های تقویت کننده قدرت سلولی چند استاندارد است.و یک بسته نصب سطحی گرمایی تقویت شده با فلنج بدون گوش.

مشخصاتازGTVA262701FA-V2-R2

ویژگی هایGTVA262701FA-V2-R2

• توسعه تکنولوژی SiC HEMT
• مطابقت ورودی
• عملکرد CW پالس معمولی: عرض پالس 10 μs، 10٪ چرخه کار، 2690 MHz، 48 V
- قدرت خروجی در P3dB = 270 W
- کارايي = 66%
- افزايش = 18.1 ديسيبل
• مدل بدن انسان کلاس 1B (بر اساس ANSI / ESDA / JEDEC JS-001)
• قادر به کنترل قدرت خروجی 10: 1 VSWR @ 48 V ، 60 W (WCDMA)
• بدون Pb و سازگار با RoHS

سایر اجزای الکترونیکی موجود

سوالات عمومی
سوال: محصولات شما اصیل هستند؟
A: بله، تمام محصولات اصلی هستند، واردات جدید اصلی هدف ما است.
سوال: شما چه گواهینامه ای دارید؟
A: ما یک شرکت صدور گواهینامه ISO 9001: 2015 و عضو ERAI هستیم.
س: آیا می توانید سفارش کمی یا نمونه را پشتیبانی کنید؟ آیا نمونه رایگان است؟
A: بله، ما از سفارش نمونه و سفارش کوچک پشتیبانی می کنیم. هزینه نمونه با توجه به سفارش یا پروژه شما متفاوت است.
سوال: چطور سفارشم را ارسال کنم؟ آیا امن است؟
A: ما از اکسپرس برای حمل و نقل استفاده می کنیم، مانند DHL،Fedex،UPS،TNT،EMS. ما همچنین می توانیم از انتقال دهنده پیشنهادی شما استفاده کنیم.محصولات در بسته بندی خوب و اطمینان از ایمنی و ما مسئول آسیب محصول به سفارش خود را.
سوال: زمان تحویل چطوره؟
A: ما می توانیم قطعات موجود را در عرض 5 روز کاری ارسال کنیم. اگر بدون موجودی، ما زمان سرب را بر اساس مقدار سفارش شما تایید خواهیم کرد.