|
جزئیات محصول:
|
| شماره قطعه: | IPW60R017C7 | Vgs (حداکثر): | ± 20 ولت |
|---|---|---|---|
| اتلاف برق (حداکثر): | 446 وات (Tc) | دمای عملیاتی: | -55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ) |
| نوع نصب: | از طریق سوراخ | ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds: | 9890 pF @ 400 V |
| برجسته کردن: | IPW60R017C7,IPW60R017C7 تراشه مدار یکپارچه,ترانزیستورهای N-Channel MOSFET |
||
سری ماسفت های سوپر جانکشن (SJ) CoolMOS™ C7 با ولتاژ 600 ولت، حدود 50% کاهش در تلفات خاموشی (Eoss) را در مقایسه با CoolMOS™ CP ارائه می دهد و عملکرد فوق العاده ای را در توپولوژی های PFC، TTF و سایر توپولوژی های سوئیچینگ سخت ارائه می دهد.
| پارامتر | مقدار |
|---|---|
| شماره قطعه | IPW60R017C7 |
| نوع FET | کانال N |
| تکنولوژی | ماسفت (اکسید فلزی) |
| ولتاژ درین به سورس (Vdss) | 600 ولت |
| جریان - درین پیوسته (Id) در دمای 25 درجه سانتیگراد | 109 آمپر (Tc) |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10 ولت |
| Rds روشن (حداکثر) در Id, Vgs | 17 میلی اهم در 58.2 آمپر، 10 ولت |
| Vgs(th) (حداکثر) در Id | 4 ولت در 2.91 میلی آمپر |
| شارژ گیت (Qg) (حداکثر) در Vgs | 240 نانو کولن در 10 ولت |
| شماره قطعه | بسته بندی |
|---|---|
| 5CEFA4M13I7N | BGA |
| LM5175RHFR | VQFN28 |
| TPS650942A0RSKR | VQFN64 |
| TPS63070RNMR | VQFN-15 |
| MSP430F2481TPMR | LQFP64 |
| STM32H743IIT6 | LQFP176 |
تماس با شخص: Sales Manager
تلفن: 86-13410018555
فکس: 86-0755-83957753