جزئیات محصول:
|
شماره قطعه: | SCTWA50N120 | Rds On - مقاومت در برابر منبع تخلیه: | 52 میلی اهم |
---|---|---|---|
Vgs - ولتاژ گیت-منبع: | - 10 ولت، + 25 ولت | Vgs th - ولتاژ آستانه دروازه منبع: | 1.8 V |
Qg - شارژ دروازه: | 122 nC | Pd - اتلاف نیرو: | 318 وات |
ماسفت 1200 ولتی SCTWA50N120 کاربید سیلیکونی کانال N-Channel Power MOSFET Through Hole HiP247
توضیحات محصول SCTWA50N120
SCTWA50N120 کاربید سیلیکون Power MOSFET 1200 V، 65 A، 59 mΩ (نوع، TJ=150 درجه سانتیگراد) در یک بسته سیم بلند HiP247™.
مشخصات SCTWA50N120
شماره قطعه: | SCTWA50N120 | نوع FET: | کانال N |
---|---|---|---|
فن آوری: | SiCFET (سیلیکون کاربید) | تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): | 1200 V |
جریان - تخلیه پیوسته (Id) @ 25°C: | 65A (Tc) | ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن): | 20 ولت |
ویژگی های SCTWA50N120
کاربردهای SCTWA50N120
سایر انواع محصولات تامینی
شماره قطعه | بسته |
A4970GLBTR | SOP24 |
88E1310 | QFN48 |
A4980KLPTR | HTSOP-28 |
EFM32GG290F1024G | 112-BGA |
EN2340QI | QFN68 |
EN5337QI | QFN38 |
سوالات متداول
س: آیا محصولات شما اورجینال هستند؟
A: بله، همه محصولات اصلی هستند، واردات اصلی جدید هدف ما است.
س: کدام گواهینامه ها را دارید؟
A: ما شرکت گواهی ISO 9001:2015 و عضو ERAI هستیم.
س: آیا می توانید از سفارش یا نمونه مقدار کمی پشتیبانی کنید؟ آیا نمونه رایگان است؟
A: بله، ما از سفارش نمونه و سفارش کوچک پشتیبانی می کنیم. هزینه نمونه با توجه به سفارش یا پروژه شما متفاوت است.
س: چگونه سفارش خود را ارسال کنم؟آیا ایمن است؟
A: ما برای ارسال از اکسپرس استفاده می کنیم، مانند DHL، Fedex، UPS، TNT، EMS. همچنین می توانیم از فوروارد پیشنهادی شما استفاده کنیم. محصولات در بسته بندی خوبی خواهند بود و ایمنی را تضمین می کنند و ما مسئول آسیب رساندن به محصول به سفارش شما هستیم.
س: در مورد زمان سرب چطور؟
A: ما می توانیم قطعات سهام را در عرض 5 روز کاری ارسال کنیم. اگر بدون موجودی باشد، بر اساس مقدار سفارش شما زمان تحویل را برای شما تأیید می کنیم.
تماس با شخص: Sales Manager
تلفن: 86-13410018555
فکس: 86-0755-83957753