ترانزیستورهای سیلیکون کاربید IMBG65R039M1HXTMA1 تراشه مدار مجتمع TO-263-8

 ترانزیستورهای سیلیکون کاربید IMBG65R039M1HXTMA1 تراشه مدار مجتمع TO-263-8

توضیحات محصول ازIMBG65R039M1HXTMA1

IMBG65R039M1HXTMA1 یک دستگاه N-Channel 650V CoolSiC M1 SiC Trench Power است که بر روی فناوری کاربید سیلیکون جامد ساخته شده است.

مشخصات ازIMBG65R039M1HXTMA1

ویژگی هایIMBG65R039M1HXTMA1

• دیود سریع بدنه قوی کموتاسیون
• کاهش هزینه و پیچیدگی سیستم
• استحکام و قابلیت اطمینان سیستم بالاتر

برنامه های کاربردی ازIMBG65R039M1HXTMA1

• سرور
• مخابرات
• منبع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)

سایر قطعات الکترونیکی موجود در انبار

سوالات متداول

س: آیا محصولات شما اورجینال هستند؟
A: بله، همه محصولات اصلی هستند، واردات اصلی جدید هدف ما است.
س: کدام گواهینامه ها را دارید؟
A: ما شرکت گواهی ISO 9001:2015 و عضو ERAI هستیم.
س: آیا می توانید از سفارش یا نمونه مقدار کمی پشتیبانی کنید؟ آیا نمونه رایگان است؟
A: بله، ما از سفارش نمونه و سفارش کوچک پشتیبانی می کنیم. هزینه نمونه با توجه به سفارش یا پروژه شما متفاوت است.
س: چگونه سفارش خود را ارسال کنم؟آیا ایمن است؟
A: ما برای ارسال از اکسپرس استفاده می کنیم، مانند DHL، Fedex، UPS، TNT، EMS. همچنین می توانیم از فوروارد پیشنهادی شما استفاده کنیم. محصولات در بسته بندی خوبی خواهند بود و ایمنی را تضمین می کنند و ما مسئول آسیب رساندن به محصول به سفارش شما هستیم.
س: در مورد زمان سرب چطور؟
A: ما می توانیم قطعات سهام را در عرض 5 روز کاری ارسال کنیم. اگر بدون موجودی باشد، بر اساس مقدار سفارش شما زمان تحویل را برای شما تأیید می کنیم.