جزئیات محصول:
|
شماره قطعه: | IMBG65R163M1HXTMA1 | ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن): | 18 ولت |
---|---|---|---|
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs: | 217 میلی اهم @ 5.7 آمپر، 18 ولت | Vgs(th) (حداکثر) @ ID: | 5.7 ولت @ 1.7 میلی آمپر |
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs: | 10 nC @ 18 V | Vgs (حداکثر): | +23 ولت، -5 ولت |
ترانزیستورهای ماسفت قدرتی IMBG65R163M1HXTMA1 تراشه مدار مجتمع TO-263-8
توضیحات محصول ازIMBG65R163M1HXTMA1
بسته فشرده IMBG65R163M1HXTMA1 SMD SiC MOSFET، فناوری ماسفت CoolSiC™ مزایای منحصر به فرد عملکرد دستگاه، استحکام و سهولت استفاده را با به حداکثر رساندن خواص فیزیکی قدرتمند کاربید سیلیکون افزایش می دهد.
مشخصات ازIMBG65R163M1HXTMA1
شماره قطعه: | IMBG65R163M1HXTMA1 |
سلسله
|
CoolSIC™ M1
|
نوع FET
|
کانال N
|
فن آوری
|
SiCFET (سیلیکون کاربید)
|
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
|
650 V
|
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد
|
17A (Tc)
|
ویژگی هایIMBG65R163M1HXTMA1
سایر قطعات الکترونیکی موجود در انبار
شماره قطعه | بسته |
MAX72024C | BGA924 |
MGA-13116 | QFN |
ADS42JB46IRGCR | VQFN-64 |
MSP430F5310IZQE | BGA80 |
MSP430F5328IZQE | BGA80 |
STM32L485JCY6TR | BGA |
سوالات متداول
س: آیا محصولات شما اورجینال هستند؟
A: بله، همه محصولات اصلی هستند، واردات اصلی جدید هدف ما است.
س: کدام گواهینامه ها را دارید؟
A: ما شرکت گواهی ISO 9001:2015 و عضو ERAI هستیم.
س: آیا می توانید از سفارش یا نمونه مقدار کمی پشتیبانی کنید؟ آیا نمونه رایگان است؟
A: بله، ما از سفارش نمونه و سفارش کوچک پشتیبانی می کنیم. هزینه نمونه با توجه به سفارش یا پروژه شما متفاوت است.
س: چگونه سفارش خود را ارسال کنم؟آیا ایمن است؟
A: ما برای ارسال از اکسپرس استفاده می کنیم، مانند DHL، Fedex، UPS، TNT، EMS. همچنین می توانیم از فوروارد پیشنهادی شما استفاده کنیم. محصولات در بسته بندی خوبی خواهند بود و ایمنی را تضمین می کنند و ما مسئول آسیب رساندن به محصول به سفارش شما هستیم.
س: در مورد زمان سرب چطور؟
A: ما می توانیم قطعات سهام را در عرض 5 روز کاری ارسال کنیم. اگر بدون موجودی باشد، بر اساس مقدار سفارش شما زمان تحویل را برای شما تأیید می کنیم.
تماس با شخص: Sales Manager
تلفن: 86-13410018555
فکس: 86-0755-83957753