ترانزیستورهای 650 ولتی IMW65R057M1H ماسفت های کاربید سیلیکونی کانال N-Channel TO-247-3 Single FETs

ترانزیستورهای 650 ولتی IMW65R057M1H ماسفت‌های کاربید سیلیکونی با کانال N TO-247-3 تک FET

توضیحات محصول ازIMW65R057M1H

IMW65R057M1H 650 V 35A (Tc) 133W (Tc) ماسفت های کانال N ترانزیستورها، از طریق سوراخ، رفتار سوئیچینگ بهینه شده در جریان های بالاتر است.

مشخصات ازIMW65R057M1H

ویژگی های IMW65R057M1H

• Vds - ولتاژ شکست منبع تخلیه: 650 ولت
• شناسه - جریان تخلیه مداوم: 35 A
• Rds روشن - مقاومت منبع تخلیه: 74 میلی اهم
• Vgs - ولتاژ گیت منبع: - 5 ولت، + 23 ولت
• Vgs th - ولتاژ آستانه دروازه منبع: 5.7 ولت

سایر انواع محصولات تامینی

سوالات متداول

س: آیا محصولات شما اورجینال هستند؟
A: بله، همه محصولات اصلی هستند، واردات اصلی جدید هدف ما است.
س: کدام گواهینامه ها را دارید؟
A: ما شرکت گواهی ISO 9001:2015 و عضو ERAI هستیم.
س: آیا می توانید از سفارش یا نمونه مقدار کمی پشتیبانی کنید؟ آیا نمونه رایگان است؟
A: بله، ما از سفارش نمونه و سفارش کوچک پشتیبانی می کنیم. هزینه نمونه با توجه به سفارش یا پروژه شما متفاوت است.
س: چگونه سفارش خود را ارسال کنم؟آیا ایمن است؟
A: ما برای ارسال از اکسپرس استفاده می کنیم، مانند DHL، Fedex، UPS، TNT، EMS. همچنین می توانیم از فوروارد پیشنهادی شما استفاده کنیم. محصولات در بسته بندی خوبی خواهند بود و ایمنی را تضمین می کنند و ما مسئول آسیب رساندن به محصول به سفارش شما هستیم.
س: در مورد زمان سرب چطور؟
A: ما می توانیم قطعات سهام را در عرض 5 روز کاری ارسال کنیم. اگر بدون موجودی باشد، بر اساس مقدار سفارش شما زمان تحویل را برای شما تأیید می کنیم.