MOSFET SiC Trench IMBF170R1K0M1 ماسفت های کانال N ترانزیستورهای TO-263-8 1700 ولت

MOSFET SiC Trench IMBF170R1K0M1 ماسفت های کانال N ترانزیستورهای TO-263-8 1700 ولت

توضیحات محصول ازIMBF170R1K0M1

ترانزیستورهای IMBF170R1K0M1 CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFET سیلیکون کاربید MOSFET است که فرکانس بالاتر را ممکن می کند.

مشخصات ازIMBF170R1K0M1

ویژگی هایIMBF170R1K0M1

• مواد نیمه هادی انقلابی - کاربید سیلیکون
• بهینه شده برای توپولوژی های برگشتی
• ولتاژ منبع دروازه 12V/0V سازگار با اکثر کنترلرهای فلای بک
• تلفات سوئیچینگ بسیار کم
• ولتاژ آستانه گیت معیار، VGS(th) = 4.5V
• dV/dt کاملا قابل کنترل برای بهینه سازی EMI

سایر انواع محصولات تامینی

سوالات متداول

س: آیا محصولات شما اورجینال هستند؟
A: بله، همه محصولات اصلی هستند، واردات اصلی جدید هدف ما است.
س: کدام گواهینامه ها را دارید؟
A: ما شرکت گواهی ISO 9001:2015 و عضو ERAI هستیم.
س: آیا می توانید از سفارش یا نمونه مقدار کمی پشتیبانی کنید؟ آیا نمونه رایگان است؟
A: بله، ما از سفارش نمونه و سفارش کوچک پشتیبانی می کنیم. هزینه نمونه با توجه به سفارش یا پروژه شما متفاوت است.
س: چگونه سفارش خود را ارسال کنم؟آیا ایمن است؟
A: ما برای ارسال از اکسپرس استفاده می کنیم، مانند DHL، Fedex، UPS، TNT، EMS. همچنین می توانیم از فوروارد پیشنهادی شما استفاده کنیم. محصولات در بسته بندی خوبی خواهند بود و ایمنی را تضمین می کنند و ما مسئول آسیب رساندن به محصول به سفارش شما هستیم.
س: در مورد زمان سرب چطور؟
A: ما می توانیم قطعات سهام را در عرض 5 روز کاری ارسال کنیم. اگر بدون موجودی باشد، بر اساس مقدار سفارش شما زمان تحویل را برای شما تأیید می کنیم.