ترانزیستورهای MOSFET کانال N-Channel IMBG120R220M1H 1200V کاربید سیلیکون TO-263-8

ترانزیستورهای MOSFET کانال N-Channel IMBG120R220M1H 1200V کاربید سیلیکون TO-263-8

توضیحات محصول ازIMBG120R220M1H

IMBG120R220M1H ترانزیستورهای ماسفت ترانچ سیلیکون کاربید 1200 ولتی CoolSiC™ کانال N با فناوری اتصال .XT است.

مشخصات ازIMBG120R220M1H

ویژگی هایIMBG120R220M1H

• تلفات سوئیچینگ بسیار کم
• زمان مقاومت در برابر اتصال کوتاه 3 میکرو ثانیه
• ولتاژ آستانه گیت معیار، VGS(th) = 4.5V
• فناوری اتصال .XT برای بهترین عملکرد حرارتی در کلاس
• فاصله خزش و ترخیص بسته > 6.1 میلی متر

سایر قطعات الکترونیکی موجود در انبار

سوالات متداول

س: آیا محصولات شما اورجینال هستند؟
A: بله، همه محصولات اصلی هستند، واردات اصلی جدید هدف ما است.
س: کدام گواهینامه ها را دارید؟
A: ما شرکت گواهی ISO 9001:2015 و عضو ERAI هستیم.
س: آیا می توانید از سفارش یا نمونه مقدار کمی پشتیبانی کنید؟ آیا نمونه رایگان است؟
A: بله، ما از سفارش نمونه و سفارش کوچک پشتیبانی می کنیم. هزینه نمونه با توجه به سفارش یا پروژه شما متفاوت است.
س: چگونه سفارش خود را ارسال کنم؟آیا ایمن است؟
A: ما برای ارسال از اکسپرس استفاده می کنیم، مانند DHL، Fedex، UPS، TNT، EMS. همچنین می توانیم از فوروارد پیشنهادی شما استفاده کنیم. محصولات در بسته بندی خوبی خواهند بود و ایمنی را تضمین می کنند و ما مسئول آسیب رساندن به محصول به سفارش شما هستیم.
س: در مورد زمان سرب چطور؟
A: ما می توانیم قطعات سهام را در عرض 5 روز کاری ارسال کنیم. اگر بدون موجودی باشد، بر اساس مقدار سفارش شما زمان تحویل را برای شما تأیید می کنیم.