آرایه گیت قابل برنامه ریزی 10M50DCF256I7G با پهنای باند بالا میدان تأخیر کم

آرایه گیت قابل برنامه ریزی 10M50DCF256I7G با پهنای باند بالا میدان تأخیر کم

توضیحات محصول از10M50DCF256I7G

بلوک‌های eSRAM 10M50DCF256I7G یک نوآوری جدید است.این بلوک‌های بزرگ SRAM تعبیه‌شده به‌خوبی به بافت هسته متصل می‌شوند و بدون نیاز به کنترل‌کننده حافظه جداگانه، مستقیماً در دسترس هستند.هر بلوک eSRAM به صورت 8 کانال، 40 بانک در هر کانال، با ظرفیت کل 47.25 مگابیت با نرخ کلاک تا 750 مگاهرتز تنظیم شده است.در بلوک eSRAM، هر کانال دارای عرض گذرگاه 72 بیت خواندن و 72 بیت نوشتن است و هر کانال یک READ و یک WRITE دارد.این به هر بلوک eSRAM اجازه می دهد تا از پهنای باند کل (خواندن + نوشتن) تا 864 گیگابیت بر ثانیه پشتیبانی کند.

ویژگی های محصول 10M50DCF256I7G

ویژگی های10M50DCF256I7G

• کنترلر فلش NAND

• توصیفگر یکپارچه مبتنی بر DMA

• پشتیبانی از سخت افزار ECC قابل برنامه ریزی

• پشتیبانی از دستگاه های فلش 8 و 16 بیتی

• کنترلر دیجیتال امن SD/SDIO/MMC

• DMA مبتنی بر توصیفگر یکپارچه

• دستورات دیجیتال CE-ATA پشتیبانی می شود

• فرکانس کاری 50 مگاهرتز

• کنترل کننده دسترسی مستقیم به حافظه (DMA).

• تا 32 رابط دست دادن محیطی را پشتیبانی می کند

کنترلر حافظه سخت 10M50DCF256I7G

سوالات متداول
س. آیا محصولات شما اورجینال هستند؟
A: بله، همه محصولات اصلی هستند، واردات اصلی جدید هدف ما است.
س: کدام گواهینامه ها را دارید؟
A: ما شرکت گواهی ISO 9001:2015 و عضو ERAI هستیم.
س: آیا می توانید سفارش یا نمونه کمی را پشتیبانی کنید؟ آیا نمونه رایگان است؟
A: بله، ما از سفارش نمونه و سفارش کوچک پشتیبانی می کنیم. هزینه نمونه با توجه به سفارش یا پروژه شما متفاوت است.
س: چگونه سفارش خود را ارسال کنم؟آیا ایمن است؟
A: ما برای ارسال از اکسپرس استفاده می کنیم، مانند DHL، Fedex، UPS، TNT، EMS. همچنین می توانیم از فوروارد پیشنهادی شما استفاده کنیم. محصولات در بسته بندی خوبی خواهند بود و ایمنی را تضمین می کنند و ما مسئول خسارت محصول به سفارش شما هستیم.
س: در مورد زمان سرب چطور؟
A: ما می توانیم قطعات سهام را در عرض 5 روز کاری ارسال کنیم. اگر بدون موجودی باشد، بر اساس مقدار سفارش شما زمان تحویل را برای شما تأیید می کنیم.