ترانزیستورهای N-Channel IMW120R030M1H CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET در بسته بندی TO247-3

Name: ترانزیستورهای N-Channel IMW120R030M1H CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET در بسته بندی TO247-3
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IMW120R030M1H
Availability: InStock

همه محصولات

تراشه مدار مجتمع
(18776)

آی سی بی تی
(524)

ماژول های IGBT خودرو
(1938)

میکروکنترلر MCU
(12604)

آی سی GaN
(51)

تراشه پردازنده هوش مصنوعی
(1169)

آرایه دروازه قابل برنامه ریزی فیلد
(6583)

آی سی اترنت
(940)

اتصال دهنده ها
(2853)

تراشه آی سی حافظه
(2435)

آی سی سنسور
(2180)

تراشه اینترنت اشیا
(232)

ماژول 5G
(132)

تراشه وای فای 6
(138)

تراشه آی سی آیفون
(55)

ماژول ارتباط بی سیم
(3303)

ترموستات کنترل کننده دما
(8)

بهترین محصولات

CYPD6227-96BZXI چیپ مدار یکپارچه دو پورت کنترل کننده USB نوع C IC VFBGA96

MC33984CHFKR2 مدار یکپارچه چیپ رانندگان بار IC سوئیچ های توزیع برق

MCZ33905DD5EKR2 سیستم تراشه مدار یکپارچه تراشه پایه با سرعت بالا CAN و LIN

گواهی

نظرات مشتریان

بسیار سریع ارسال شد، و بسیار مفید بود، جدید و اصلی بود، به شدت توصیه می شود.

—— نیشیکاوا از ژاپن

خدمات حرفه ای و سریع، قیمت قابل قبول برای کالا.ارتباط عالی، محصول همانطور که انتظار می رود.من این تامین کننده را به شدت توصیه می کنم.

—— لوئیس از ایالات متحده

کیفیت بالا و عملکرد قابل اعتماد: "مكونات الکترونیکی که از [شینزن مینگجیادا الکترونیک شرکت لمیتد] دریافت کرده ایم با کیفیت بالا هستند و عملکرد قابل اعتماد در دستگاه های ما را نشان داده اند".

—— ریچارد از آلمان

قیمت های رقابتی: قیمت های ارائه شده توسط بسیار رقابتی است، که آن را انتخاب عالی برای نیازهای خرید ما می کند.

—— تیم از مالزی

خدمات مشتری ارائه شده توسط عالی است. آنها همیشه پاسخگو و مفید هستند، اطمینان از نیازهای ما به سرعت برآورده می شود.

—— وینسنت از روسیه

قیمت های عالی، تحویل سریع، و خدمات عالی به مشتریان.

—— نیشیکاوا از ژاپن

قطعات قابل اعتماد، حمل و نقل سریع و پشتیبانی عالی.

—— سام از ایالات متحده

قطعات با کیفیت بالا و یک فرآیند سفارش بی پیچ و خم. به شدت ShenZhen Mingjiada الکترونیک Co.، Ltd را برای هر پروژه الکترونیک توصیه می کنم!

—— لینا از آلمان

چت IM آنلاین در حال حاضر

ترانزیستورهای N-Channel IMW120R030M1H CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET در بسته بندی TO247-3

تصویر بزرگ : ترانزیستورهای N-Channel IMW120R030M1H CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET در بسته بندی TO247-3

جزئیات محصول:

محل منبع:	CN
نام تجاری:	Original Factory
گواهی:	Lead free / RoHS Compliant
شماره مدل:	IMW120R030M1H

پرداخت:

مقدار حداقل تعداد سفارش:	10
قیمت:	Contact for Sample
جزئیات بسته بندی:	TO247-3
زمان تحویل:	5-8 روز کاری
شرایط پرداخت:	T/T، L/C، Western Union

مخاطب

ترانزیستورهای N-Channel IMW120R030M1H CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET در بسته بندی TO247-3

توضیحات

Part Number:	IMW120R030M1H	Series:	CoolSiC™
FET Type:	N-Channel	Drain to Source Voltage (Vdss):	1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:	56A (Tc)	Power Dissipation (Max):	227W (Tc)
برجسته کردن:	IMW120R030M1H,ترانزیستورهای کانال N IMW120R030M1H,MOSFET خندق 1200V SiC , IMW120R030M1H N-Channel Transistors , 1200V SiC Trench MOSFET

ترانزیستورهای N-channel IMW120R030M1H CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET در بسته بندی TO247-3

توضیحات محصول IMW120R030M1H

ماسفت IMW120R030M1H CoolSiC™ 1200 V، 30 mΩ SiC در بسته بندی TO247-3 بر اساس یک فرآیند نیمه هادی ترانشه پیشرفته ساخته شده است که برای ترکیب عملکرد با قابلیت اطمینان بهینه شده است.در مقایسه با سوئیچ های سنتی مبتنی بر سیلیکون (Si) مانند IGBT و MOSFET، ماسفت SiC یک سری مزیت ها را ارائه می دهد.
IMW120R030M1H این موارد عبارتند از، پایین‌ترین سطوح شارژ گیت و ظرفیت دستگاه که در سوئیچ‌های 1200 ولت دیده می‌شود، بدون تلفات بازیابی معکوس دیود بدنه مقاوم در برابر کموتاسیون داخلی، تلفات سوئیچینگ کم مستقل از دما، و مشخصه حالت روشن بدون آستانه.ماسفت های CoolSiC™ برای توپولوژی های سوئیچینگ سخت و رزونانس مانند مدارهای تصحیح ضریب توان (PFC)، توپولوژی های دو جهته و مبدل های DC-DC یا اینورترهای DC-AC ایده آل هستند.

مشخصات IMW120R030M1H

شماره قطعه:	IMW120R030M1H
رده محصولات:	ماسفت
RoHS:	جزئیات
فن آوری:	SiC
سبک نصب:	از طریق سوراخ
تعداد کانال ها:	1 کانال
Vds - ولتاژ خرابی منبع تخلیه:	1.2 کیلو ولت
شناسه - جریان تخلیه مداوم:	56 الف
Rds On - مقاومت منبع تخلیه:	40 میلی اهم
Vgs - ولتاژ گیت منبع:	- 7 ولت، + 23 ولت
Vgs th - ولتاژ آستانه دروازه منبع:	5.7 V
Qg - شارژ گیت:	63 nC
حداقل دمای عملیاتی:	- 55 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی:	+ 150 درجه سانتیگراد

ویژگی های IMW120R030M1H

بهترین در سوئیچینگ کلاس و تلفات هدایت
ولتاژ آستانه بالا معیار، Vth > 4 V
ولتاژ دروازه خاموش 0 ولت برای درایو گیت آسان و ساده
محدوده ولتاژ منبع گیت گسترده
دیود بدنه مقاوم و کم تلفات دارای امتیاز برای کموتاسیون سخت
تلفات کلید خاموش خاموش مستقل دما

برنامه های کاربردی IMW120R030M1H

شارژ سریع EV
راه حل های سیستم های انرژی فتوولتائیک
منابع تغذیه بدون وقفه (UPS)

نمودارهای IMW120R030M1H

ترانزیستورهای N-Channel IMW120R030M1H CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET در بسته بندی TO247-3 0

سوالات متداول
س. آیا محصولات شما اورجینال هستند؟
A: بله، همه محصولات اصلی هستند، واردات اصلی جدید هدف ما است.
س: کدام گواهینامه ها را دارید؟
A: ما شرکت گواهی ISO 9001:2015 و عضو ERAI هستیم.
س: آیا می توانید سفارش یا نمونه کمی را پشتیبانی کنید؟ آیا نمونه رایگان است؟
A: بله، ما از سفارش نمونه و سفارش کوچک پشتیبانی می کنیم. هزینه نمونه با توجه به سفارش یا پروژه شما متفاوت است.
س: چگونه سفارش خود را ارسال کنم؟آیا ایمن است؟
پاسخ: ما برای ارسال از اکسپرس استفاده می کنیم، مانند DHL، Fedex، UPS، TNT، EMS. همچنین می توانیم از فوروارد پیشنهادی شما استفاده کنیم. محصولات در بسته بندی خوبی خواهند بود و ایمنی را تضمین می کنند و ما مسئول آسیب رساندن به محصول به سفارش شما هستیم.
س: در مورد زمان سرب چطور؟
A: ما می توانیم قطعات سهام را در عرض 5 روز کاری ارسال کنیم. اگر بدون موجودی باشد، بر اساس مقدار سفارش شما زمان تحویل را برای شما تأیید می کنیم.

برچسب:

تماس با شخص: Sales Manager

تلفن: 86-13410018555

فکس: 86-0755-83957753

سایر محصولات

LT8609IMSE#WTRPBF چیپ مدار یکپارچه DC DC تنظیم کننده های سوئیچینگ 10-TFSOP

شماره بخش: LT8609IMSE#WTRPBF

وضعیت محصول: فعال

عملکرد: پایین آمدن

پیکربندی خروجی: مثبت

لیتیوم یون BQ79616PAPRQ1 BQ79616 باتری چند منظوره کنترلر آی سی 64-HTQFP

عملکرد: کنترلر چند منظوره

شیمی باتری: لیتیوم یون

تعداد سلول ها: 1

حفاظت از خطا: بیش از درجه حرارت

تراشه های مجتمع USB3.2 10 گیگابیت بر ثانیه TUSB1002ARGER دو کاناله خطی درایور مجدد QFN24

شماره قطعه: TUSB1002ARGER

تولید - محصول: درایورهای USB

نرخ داده: 10 گیگابیت بر ثانیه

سرعت: سرعت فوق العاده (SS)

تقویت کننده کلاس D تراشه مدار مجتمع Closedloop TAS5805MPWPR TAS5805 HTSSOP28

شماره قطعه: TAS5805MPWPR

ولتاژ منبع تغذیه - حداقل: 3 V

ولتاژ منبع تغذیه - حداکثر: 3.6 V

دمای عملیاتی (حداقل): -25 درجه سانتی گراد

آی سی رگولاتور ولتاژ NCP51200 NCP51200MNTXG تراشه های آی سی تراشه پایان داده نرخ داده

شماره قطعه: NCP51200MNTXG

تعداد خروجی ها: 1

ولتاژ - خروجی: 0.5 ~ 1.8 ولت

ولتاژ - ورودی: 2.375 ~ 3.5 ولت

ترانزیستورهای N-Channel IMW120R030M1H CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET در بسته بندی TO247-3

ترانزیستورهای N-Channel IMW120R030M1H CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET در بسته بندی TO247-3

ترانزیستورهای N-Channel IMW120R030M1H CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET در بسته بندی TO247-3

IMW120R030M1H,ترانزیستورهای کانال N IMW120R030M1H,MOSFET خندق 1200V SiC

IMW120R030M1H N-Channel Transistors

1200V SiC Trench MOSFET

تراشه مدار مجتمع 24-PQFN,

TUSB1002ARGER خطی دو کاناله,