بسیار سریع ارسال شد، و بسیار مفید بود، جدید و اصلی بود، به شدت توصیه می شود.
—— نیشیکاوا از ژاپن
خدمات حرفه ای و سریع، قیمت قابل قبول برای کالا.ارتباط عالی، محصول همانطور که انتظار می رود.من این تامین کننده را به شدت توصیه می کنم.
—— لوئیس از ایالات متحده
کیفیت بالا و عملکرد قابل اعتماد: "مكونات الکترونیکی که از [شینزن مینگجیادا الکترونیک شرکت لمیتد] دریافت کرده ایم با کیفیت بالا هستند و عملکرد قابل اعتماد در دستگاه های ما را نشان داده اند".
—— ریچارد از آلمان
قیمت های رقابتی: قیمت های ارائه شده توسط بسیار رقابتی است، که آن را انتخاب عالی برای نیازهای خرید ما می کند.
—— تیم از مالزی
خدمات مشتری ارائه شده توسط عالی است. آنها همیشه پاسخگو و مفید هستند، اطمینان از نیازهای ما به سرعت برآورده می شود.
—— وینسنت از روسیه
قیمت های عالی، تحویل سریع، و خدمات عالی به مشتریان.
—— نیشیکاوا از ژاپن
قطعات قابل اعتماد، حمل و نقل سریع و پشتیبانی عالی.
—— سام از ایالات متحده
قطعات با کیفیت بالا و یک فرآیند سفارش بی پیچ و خم. به شدت ShenZhen Mingjiada الکترونیک Co.، Ltd را برای هر پروژه الکترونیک توصیه می کنم!
—— لینا از آلمان
چت IM آنلاین در حال حاضر
LMG3425R030RQZR Gan Fet Gate Driver VQFN54 Integrated Half Bridge Gan Driver
LMG3425R030RQZR Gan Fet Gate Driver VQFN54 Integrated Half Bridge Gan Driver
توضیحات
پیکربندی:
معکوس، غیر معکوس
بسته / مورد:
VQFN-54
ولتاژ تغذیه:
7.5 ولت - 18 ولت
دمای عملیاتی:
-40 درجه سانتی گراد ~ 125 درجه سانتی گراد
زمان برخاستن:
2.5 ns
زمان سقوط:
21 ns
برجسته کردن:
LMG3425R030RQZR Gan Fet Gate Driver, Gan Fet Gate Driver VQFN54, VQFN54 Integrated Half Bridge Gan Driver
,
Gan Fet Gate Driver VQFN54
,
VQFN54 Integrated Half Bridge Gan Driver
درایور گیت LMG3425R030RQZR GaN FET با درایور یکپارچه و حالت دیود ایده آل VQFN54
شرح
LMG342xR030 GaN FET با درایور و حفاظت یکپارچه، طراحان را قادر می سازد تا به سطوح جدیدی از چگالی توان و کارایی در سیستم های الکترونیک قدرت دست یابند.LMG342xR030 دارای یک درایور سیلیکونی است که سرعت سوئیچینگ را تا 150 ولت بر ثانیه امکان پذیر می کند.بایاس گیت دقیق یکپارچه TI منجر به سوئیچینگ SOA بالاتر در مقایسه با درایورهای گیت سیلیکونی گسسته می شود.این ادغام، همراه با بسته اندوکتانس پایین TI، سوئیچینگ تمیز و حداقل زنگ را در توپولوژی های منبع تغذیه سوئیچینگ سخت ارائه می دهد.قدرت درایو گیت قابل تنظیم امکان کنترل سرعت حرکت از 20 ولت در ثانیه تا 150 ولت در ثانیه را فراهم می کند که می تواند برای کنترل فعال EMI و بهینه سازی عملکرد سوئیچینگ استفاده شود.LMG3425R030 دارای حالت دیود ایده آل است که با فعال کردن کنترل زمان مرده تطبیقی تلفات ربع سوم را کاهش می دهد.
مشخصات فنی
آی سی های درایور - مختلف
سمت بالا، پایین سمت
SMD/SMT
VQFN-54
1 راننده
1 خروجی
7.5 ولت
18 V
معکوس، غیر معکوس
2.5 ns
21 ns
- 40 درجه سانتیگراد
+ 125 درجه سانتیگراد
برنامه های کاربردی
منبع تغذیه صنعتی با چگالی بالا
اینورترهای خورشیدی و موتورهای صنعتی
منابع تغذیه بدون وقفه
شبکه تجاری و PSU سرور
یکسو کننده های مخابراتی تجاری
امکانات
واجد شرایط برای JEDEC JEP180 برای هارد سوئیچینگ
توپولوژی ها
•
600
-V GaN-on-Si FET با درایور دروازه یکپارچه
–
ولتاژ بایاس گیت با دقت بالا یکپارچه
–
200-V/ns CMTI
–
2.2
فرکانس سوئیچینگ مگاهرتز
–
30-V/ns تا 150-V/ns نرخ ضربه برای بهینه سازی
عملکرد سوئیچینگ و کاهش EMI
–
از منبع تغذیه 7.5 ولت تا 18 ولت کار می کند
•
حفاظت قوی
–
جریان اضافه چرخه به چرخه و قفل کوتاه
حفاظت مدار با پاسخ کمتر از 100 ثانیه
–
مقاومت در برابر ولتاژ 720 ولت در هنگام تعویض سخت
–
محافظت از خود در برابر دمای بیش از حد داخلی
و نظارت بر UVLO
•
مدیریت توان پیشرفته
–
خروجی PWM دمای دیجیتال
–
حالت دیود ایده آل تلفات ربع سوم را کاهش می دهد
که در
LMG3425R030
واجد شرایط JEDEC JEP180 برای توپولوژی های سوئیچینگ سخت
600-V GaN-on-Si FET با درایور دروازه یکپارچه
ولتاژ بایاس گیت با دقت بالا یکپارچه
200-V/ns CMTI
فرکانس سوئیچینگ 2.2 مگاهرتز
نرخ slew 30-V/ns تا 150-V/ns برای بهینه سازی عملکرد سوئیچینگ و کاهش EMI
از منبع تغذیه 7.5 ولت تا 18 ولت کار می کند
حفاظت قوی
حفاظت از جریان اضافه چرخه به چرخه و اتصال کوتاه قفل با پاسخ کمتر از 100 ثانیه
مقاومت در برابر ولتاژ 720 ولت در هنگام تعویض سخت
محافظت از خود در برابر دمای بیش از حد داخلی و نظارت بر UVLO
مدیریت توان پیشرفته
خروجی PWM دمای دیجیتال
حالت دیود ایده آل تلفات ربع سوم را در LMG3425R030 کاهش می دهد
اندازه‌گیری برای تعیین تأخیرهای انتشار و نرخ کشت
واجد شرایط برای JEDEC JEP180 برای هارد سوئیچینگ
توپولوژی ها
•
600
-V GaN-on-Si FET با درایور دروازه یکپارچه
–
ولتاژ بایاس گیت با دقت بالا یکپارچه
–
200-V/ns CMTI
–
2.2
فرکانس سوئیچینگ -MHz
–
30-V/ns تا 150-V/ns نرخ ضربه برای بهینه سازی
عملکرد سوئیچینگ و کاهش EMI
–
از منبع تغذیه 7.5 ولت تا 18 ولت کار می کند
•
حفاظت قوی
–
جریان اضافه چرخه به چرخه و قفل کوتاه
حفاظت مدار با پاسخ کمتر از 100 ثانیه
–
مقاومت در برابر ولتاژ 720 ولت در هنگام تعویض سخت
–
محافظت از خود در برابر دمای بیش از حد داخلی
و نظارت بر UVLO
•
مدیریت توان پیشرفته
–
خروجی PWM دمای دیجیتال
–
حالت دیود ایده آل تلفات ربع سوم را کاهش می دهد
که در
LMG3425R030
واجد شرایط برای JEDEC JEP180 برای هارد سوئیچینگ
توپولوژی ها
•
600
-V GaN-on-Si FET با درایور دروازه یکپارچه
–
ولتاژ بایاس گیت با دقت بالا یکپارچه
–
200-V/ns CMTI
–
2.2
فرکانس سوئیچینگ -MHz
–
30-V/ns تا 150-V/ns نرخ ضربه برای بهینه سازی
عملکرد سوئیچینگ و کاهش EMI
–
از منبع تغذیه 7.5 ولت تا 18 ولت کار می کند
•
حفاظت قوی
–
جریان اضافه چرخه به چرخه و قفل کوتاه
حفاظت مدار با پاسخ کمتر از 100 ثانیه
–
مقاومت در برابر ولتاژ 720 ولت در هنگام تعویض سخت
–
محافظت از خود در برابر دمای بیش از حد داخلی
و نظارت بر UVLO
•
مدیریت توان پیشرفته
–
خروجی PWM دمای دیجیتال
–
حالت دیود ایده آل تلفات ربع سوم را کاهش می دهد
که در
LMG3425R030
سوالات متداول س. آیا محصولات شما اورجینال هستند؟ A: بله، همه محصولات اصلی هستند، واردات اصلی جدید هدف ما است. س: کدام گواهینامه ها را دارید؟ A: ما شرکت گواهی ISO 9001:2015 و عضو ERAI هستیم. س: آیا می توانید سفارش یا نمونه کمی را پشتیبانی کنید؟ آیا نمونه رایگان است؟ A: بله، ما از سفارش نمونه و سفارش کوچک پشتیبانی می کنیم. هزینه نمونه با توجه به سفارش یا پروژه شما متفاوت است. س: چگونه سفارش خود را ارسال کنم؟آیا این امن است؟ A: ما برای ارسال از اکسپرس استفاده می کنیم، مانند DHL، Fedex، UPS، TNT، EMS. همچنین می توانیم از فوروارد پیشنهادی شما استفاده کنیم. محصولات در بسته بندی خوبی خواهند بود و ایمنی را تضمین می کنند و ما مسئول خسارت محصول به سفارش شما هستیم. س: در مورد زمان سرب چطور؟ A: ما می توانیم قطعات سهام را در عرض 5 روز کاری ارسال کنیم. اگر بدون موجودی باشد، بر اساس مقدار سفارش شما زمان تحویل را برای شما تأیید می کنیم.
پیام شما باید بین 20 تا 3000 کاراکتر باشد!
