logo
  • Persian
    English
    French
    German
    Italian
    Russian
    Spanish
    Greek
    Japanese
    Korean
    Arabic
    Hindi
    Turkish
    Indonesian
    Vietnamese
    Bengali
    Persian
درخواست نقل قول |
خانه محصولاتآی سی GaN

IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm SiC Trench MOSFET TO247

همه محصولات

تراشه مدار مجتمع

(19791)

آی سی بی تی

(544)

ماژول های IGBT خودرو

(2132)

میکروکنترلر MCU

(14036)

آی سی GaN

(143)

تراشه پردازنده هوش مصنوعی

(1208)

آرایه دروازه قابل برنامه ریزی فیلد

(6736)

آی سی اترنت

(1024)

اتصال دهنده ها

(3473)

تراشه آی سی حافظه

(2478)

آی سی سنسور

(2248)

تراشه اینترنت اشیا

(235)

ماژول 5G

(132)

تراشه وای فای 6

(142)

تراشه آی سی آیفون

(55)

ماژول ارتباط بی سیم

(3388)

ترموستات کنترل کننده دما

(8)
نظرات مشتریان
بسیار سریع ارسال شد، و بسیار مفید بود، جدید و اصلی بود، به شدت توصیه می شود.

—— نیشیکاوا از ژاپن

خدمات حرفه ای و سریع، قیمت قابل قبول برای کالا.ارتباط عالی، محصول همانطور که انتظار می رود.من این تامین کننده را به شدت توصیه می کنم.

—— لوئیس از ایالات متحده

کیفیت بالا و عملکرد قابل اعتماد: "مكونات الکترونیکی که از [شینزن مینگجیادا الکترونیک شرکت لمیتد] دریافت کرده ایم با کیفیت بالا هستند و عملکرد قابل اعتماد در دستگاه های ما را نشان داده اند".

—— ریچارد از آلمان

قیمت های رقابتی: قیمت های ارائه شده توسط بسیار رقابتی است، که آن را انتخاب عالی برای نیازهای خرید ما می کند.

—— تیم از مالزی

خدمات مشتری ارائه شده توسط عالی است. آنها همیشه پاسخگو و مفید هستند، اطمینان از نیازهای ما به سرعت برآورده می شود.

—— وینسنت از روسیه

قیمت های عالی، تحویل سریع، و خدمات عالی به مشتریان.

—— نیشیکاوا از ژاپن

قطعات قابل اعتماد، حمل و نقل سریع و پشتیبانی عالی.

—— سام از ایالات متحده

قطعات با کیفیت بالا و یک فرآیند سفارش بی پیچ و خم. به شدت ShenZhen Mingjiada الکترونیک Co.، Ltd را برای هر پروژه الکترونیک توصیه می کنم!

—— لینا از آلمان

چت IM آنلاین در حال حاضر

IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm SiC Trench MOSFET TO247

IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm SiC Trench MOSFET TO247
IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm SiC Trench MOSFET TO247
IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm SiC Trench MOSFET TO247 IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm SiC Trench MOSFET TO247

تصویر بزرگ :  IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm SiC Trench MOSFET TO247

جزئیات محصول:
محل منبع: CN
نام تجاری: Original Factory
گواهی: Lead free / RoHS Compliant
شماره مدل: IMZA120R014M1HXKSA1
پرداخت:
مقدار حداقل تعداد سفارش: 10
قیمت: Contact for Sample
جزئیات بسته بندی: کارخانه اصلی
زمان تحویل: 5-8 روز کاری
شرایط پرداخت: T/T، L/C، Western Union
مخاطب

IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm SiC Trench MOSFET TO247

توضیحات
نوع FET: کانال N تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1200 V
Vgs (حداکثر): +20 ولت، -5 ولت اتلاف نیرو (حداکثر): 455 وات (Tc)
دمای عملیاتی: -55 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد (TJ) نوع نصب: از طریق سوراخ
بسته / مورد: TO-247-4 ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن): 15 ولت، 18 ولت
برجسته کردن:

IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC

,

GaN IC 1200 ولت

,

Gan Fet ترانزیستور 14 mohm

بسته بندی ترانزیستورهای IMZA120R014M1HXKSA1 1200V 14mΩ SiC Trench MOSFET TO247

 

شرح

ماسفت CoolSiC™ 1200 V و 14 mΩ SiC در بسته بندی TO247-4 مبتنی بر یک فرآیند نیمه هادی ترانشه پیشرفته است که برای ترکیب عملکرد با قابلیت اطمینان بهینه شده است.در مقایسه با سوئیچ های سنتی مبتنی بر سیلیکون (Si) مانند IGBT و MOSFET، ماسفت SiC یک سری از مزیت ها را ارائه می دهد.این موارد عبارتند از، پایین‌ترین سطح شارژ گیت و ظرفیت خازنی دستگاه که در سوئیچ‌های 1200 ولت مشاهده می‌شود، عدم تلفات بازیابی معکوس دیود بدنه مقاوم در برابر کموتاسیون داخلی، تلفات سوئیچینگ کم مستقل از دما، و ویژگی‌های روشن حالت بدون آستانه.ماسفت های CoolSiC™ برای توپولوژی های سوئیچینگ سخت و رزونانس مانند مدارهای تصحیح ضریب توان (PFC)، توپولوژی های دو جهته و مبدل های DC-DC یا اینورترهای DC-AC ایده آل هستند.

 

خلاصه ویژگی ها

  • بهترین در سوئیچینگ کلاس و تلفات هدایت
  • ولتاژ آستانه بالا معیار، Vth > 4 V
  • ولتاژ دروازه خاموش 0 ولت برای درایو گیت آسان و ساده
  • محدوده ولتاژ منبع گیت گسترده
  • دیود بدنه مقاوم و کم تلفات دارای امتیاز برای کموتاسیون سخت
  • تلفات کلید خاموش خاموش مستقل دما
  • فناوری اتصال .XT برای بهترین عملکرد حرارتی در کلاس

 

نوع FET: کانال N ولتاژ تخلیه به منبع (Vdss): 1200 V
Vgs (حداکثر): +20 ولت، -5 ولت اتلاف نیرو (حداکثر): 455 وات (Tc)
بسته / مورد: TO-247-4 ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن): 15 ولت، 18 ولت

 

فواید

  • بالاترین راندمان
  • کاهش تلاش خنک کننده
  • عملکرد فرکانس بالاتر
  • افزایش چگالی توان
  • کاهش پیچیدگی سیستم

 

برنامه های کاربردی

  • تشکیل باتری
  • شارژ سریع EV
  • کنترل موتور و درایوها
  • راه حل های سیستم های انرژی فتوولتائیک
  • منبع تغذیه بدون وقفه (UPS)

 

نمودارها

IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm SiC Trench MOSFET TO247 0

 

سوالات متداول

س. آیا محصولات شما اورجینال هستند؟
A: بله، همه محصولات اصلی هستند، واردات اصلی جدید هدف ما است.
س: کدام گواهینامه ها را دارید؟
A: ما شرکت گواهی ISO 9001:2015 و عضو ERAI هستیم.
س: آیا می توانید سفارش یا نمونه کمی را پشتیبانی کنید؟ آیا نمونه رایگان است؟
A: بله، ما از سفارش نمونه و سفارش کوچک پشتیبانی می کنیم. هزینه نمونه با توجه به سفارش یا پروژه شما متفاوت است.
س: چگونه سفارش خود را ارسال کنم؟آیا این امن است؟
A: ما برای ارسال از اکسپرس استفاده می کنیم، مانند DHL، Fedex، UPS، TNT، EMS. همچنین می توانیم از فوروارد پیشنهادی شما استفاده کنیم. محصولات در بسته بندی خوبی خواهند بود و ایمنی را تضمین می کنند و ما مسئول خسارت محصول به سفارش شما هستیم.
س: در مورد زمان سرب چطور؟
A: ما می توانیم قطعات سهام را در عرض 5 روز کاری ارسال کنیم. اگر بدون موجودی باشد، بر اساس مقدار سفارش شما زمان تحویل را برای شما تأیید می کنیم.

برچسب:

VQFN54 یکپارچه شده Half Bridge Gan Driver,

LMG3422R030RQZR GaN FET,

Gan Fet Gate Driver VQFN54

اطلاعات تماس
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

تماس با شخص: Sales Manager

تلفن: 86-13410018555

فکس: 86-0755-83957753

ارسال درخواست خود را به طور مستقیم به ما (0 / 3000)

در باره

تراشه مدار مجتمع

VN7008AJTR مدار یکپارچه چیپ درایور سمت بالا 96A سوئیچ های سمت بالا PowerSSO-16

ADG1433YCPZ چیپ مدار یکپارچه iCMOSTM سوئیچ 4.7Ohm سوئیچ های آنالوگ CMOS صنعتی

LT6700CS6-1 تراشه مدار یکپارچه مایکرو برق ولتاژ پایین دو برابر با 400mV مرجع

آی سی اترنت

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 سوئیچ PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 سوئیچ PCIe

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC آلاسکا Ultra Gigabit Ethernet PHY گیرنده ها

پیغام بگذارید

سیاست حفظ حریم خصوصی | چین خوب کیفیت تراشه مدار مجتمع تامین کننده. © 2022 - 2025 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.. All Rights Reserved.