وبلاگ شرکت در مورد Wolfspeed گسسته سیلیکون کاربید MOSFET C3M0075120K 1200 V / 75 mΩ، حالت تقویت کانال N

شرکت شنژن مینگجیادا الکترونیک، با مسئولیت محدود — تامین کننده سهام کارخانه اصلی Wolfspeed MOSFET سیلیکون کاربید (SiC) گسستهC3M0075120K 1200 ولت / 75 mΩ، حالت تقویت کانال N

C3M0075120K بررسی اجمالی محصول
C3M0075120K یک MOSFET قدرت سیلیکون کاربید (SiC) با حالت تقویت کانال N با ولتاژ 1200 ولت و 75 mΩ است که توسط Wolfspeed توسعه یافته است. این محصول از فناوری نسل سوم SiC MOSFET با طراحی بسته‌بندی بهینه شده با پین منبع درایو مستقل استفاده می‌کند. این طراحی به C3M0075120K این امکان را می‌دهد که در کاربردهای ولتاژ بالا عملکرد فوق‌العاده‌ای داشته باشد، در حالی که مقاومت کم در حالت روشن، عملکرد سوئیچینگ با سرعت بالا و ظرفیت خازنی کم را ارائه می‌دهد.

C3M0075120K ویژگی‌ها
ولتاژ مسدودکننده بالا و مقاومت کم در حالت روشن: C3M0075120K دارای ولتاژ درین-سورس 1200 ولت و مقاومت در حالت روشن به اندازه 75mΩ است که به آن امکان می‌دهد راندمان بالایی را در کاربردهای ولتاژ بالا حفظ کند.
عملکرد سوئیچینگ با سرعت بالا: C3M0075120K دارای قابلیت سوئیچینگ با سرعت بالا است و ویژگی‌های ظرفیت خازنی کم آن به آن امکان می‌دهد که در کاربردهای با فرکانس بالا عملکرد فوق‌العاده‌ای داشته باشد.
دیود بدنه سریع: دیود بدنه سریع آن دارای بار بازیابی معکوس کم (Qrr) است که تلفات سوئیچینگ را کاهش می‌دهد.
قابلیت اطمینان بالا: C3M0075120K با استانداردهای RoHS مطابقت دارد، فاقد هالوژن است و برای قابلیت اطمینان و دوام بالا طراحی شده است.
مزایای بسته بندی: C3M0075120K از بسته TO-247-4 با فاصله خزشی 8 میلی‌متری بین درین و سورس استفاده می‌کند. این طراحی بسته بندی ایمنی الکتریکی و عملکرد حرارتی محصول را افزایش می‌دهد.

C3M0075120K مشخصات فنی
ولتاژ درین-سورس (VDS): 1200 ولت (Tc=25°C)
حداکثر ولتاژ گیت-سورس (VGS): -8 ولت تا +19 ولت (گذرا)
ولتاژ گیت-سورس عملیاتی (VGS): -4 ولت/15 ولت (ایستا)
جریان درین پیوسته DC (ID): 31 آمپر (VGS=15V, Tc=25°C, Tj≤150°C)
جریان درین پالس (IDM): 123 آمپر (VGS=15V, Tc=25°C)
اتلاف توان (PD): 114 وات (Tc=25°C, Tj=150°C)
دمای اتصال عملیاتی و دمای ذخیره سازی (Tj/Tstg): -55°C تا +150°C
دمای لحیم کاری (Tj): 260°C (مطابق با JEDEC J-STD-020)
گشتاور نصب (M5): 1.8 تا 2.5 نیوتن متر (با استفاده از پیچ‌های M3 یا 6-32)
مقاومت در حالت روشن درین-سورس (RDS(on)): 75 mΩ تا 90 mΩ (VGS = 15 V, ID = 20 A, Tj = 25°C/150°C)
ولتاژ آستانه گیت (VGS(th)): 1.8 ولت تا 3.6 ولت (VS = VDS = 100 V, T = 25°C/150°C)

کاربردها
C3M0075120K برای کاربردهای مختلف ولتاژ بالا و توان بالا، از جمله موارد زیر مناسب است:
انرژی تجدیدپذیر: مانند اینورترهای خورشیدی و سیستم‌های ذخیره انرژی، که می‌تواند راندمان تبدیل سیستم و چگالی توان را بهبود بخشد.
شارژرهای باتری خودروهای برقی: در شارژرهای داخلی و سیستم‌های شارژ سریع استفاده می‌شود، عملکرد سوئیچینگ سریع آن به دستیابی به شارژ کارآمد کمک می‌کند.
مبدل‌های DC/DC ولتاژ بالا: در کاربردهای تبدیل DC ولتاژ بالا، C3M0075120K می‌تواند تلفات سوئیچینگ را کاهش داده و راندمان تبدیل را بهبود بخشد.
منابع تغذیه سوئیچینگ: مناسب برای انواع منابع تغذیه سوئیچینگ، بهبود راندمان منبع تغذیه و چگالی توان.
گرمایش و سرمایش صنعتی: در سیستم‌های گرمایش و سرمایش صنعتی، C3M0075120K راندمان و قابلیت اطمینان سیستم را افزایش می‌دهد.
کنترل و درایو موتور: در سیستم‌های درایو موتور استفاده می‌شود، عملکرد دینامیکی و راندمان سیستم را بهبود می‌بخشد.
جوشکاری و گرمایش القایی: در کاربردهای جوشکاری و گرمایش القایی، C3M0075120K خروجی توان بالا را فراهم می‌کند.
منبع تغذیه کمکی: در کاربردهای منبع تغذیه کمکی مانند سیستم‌های خنک کننده مرکز داده، C3M0075120K تلفات سیستم را به طور قابل توجهی کاهش می‌دهد.

با عملکرد برجسته و کاربرد گسترده، C3M0075120K به یک انتخاب ایده‌آل برای بسیاری از کاربردهای ولتاژ بالا و توان بالا تبدیل شده است.

نحوه خرید؟
تلفن: +86 13410018555 (آقای چن)
ایمیل: sales@hkmjd.com
وب سایت: www.integrated-ic.com
آدرس: اتاق 1239-1241، ساختمان Xinyazhou Guoli، جاده Zhenzhong، منطقه Futian، شهر شنژن

Mingjiada Electronics، به عنوان یک توزیع کننده قطعات الکترونیکی حرفه‌ای، اصالت C3M0075120K را تضمین می‌کند، از نمونه‌های با حجم کم و سفارشات با حجم زیاد پشتیبانی می‌کند و از استعلام‌ها استقبال می‌کند!