وبلاگ شرکت در مورد تجهیزات منبع تغذیه ترانزیستور: IGBT، بایپولار قدرت، MOSFET قدرت، GaN، SiC MOSFET

ترانزیستورهای قدرت ST: IGBT، بایپولار قدرت، MOSFETهای قدرت، GaN، SiC MOSFET

شرکت شنژن مینگجیادا الکترونیک، با مسئولیت محدودیک توزیع کننده مستقل و مجاز در سطح جهانی از قطعات الکترونیکی، همچنان به تعهد خود برای ارائه راه حل های محصول ممتاز به مشتریان در سراسر جهان پایبند است.

مجموعه محصولات اصلی ما شامل موارد زیر است:تراشه های 5G، آی سی های انرژی جدید، آی سی های اینترنت اشیا، آی سی های بلوتوث، آی سی های تلماتیک، آی سی های درجه خودرو، آی سی های ارتباطی، آی سی های هوش مصنوعی، آی سی های حافظه، آی سی های حسگر، آی سی های میکروکنترلر، آی سی های فرستنده و گیرنده، آی سی های اترنت، تراشه های وای فای، ماژول های ارتباط بی سیم، کانکتورها و سایر قطعات الکترونیکی.

زمینه های کاربردی:محصولات ما به طور گسترده در بخش های متعددی از جمله خودرو، تجهیزات ارتباطی، محاسبات، لوازم الکترونیکی مصرفی، ابزار پزشکی، تجهیزات صوتی، ابزارهای نمایشگر ویدئویی، سیستم های ارتباطی و منابع تغذیه خودرو استفاده می شود.

فلسفه خدمات:با حفظ اصل 'خدمت به مشتریان و ارائه ارزش'، ما قطعات الکترونیکی متنوع و با کیفیت بالا را به مشتریان ارائه می دهیم.

【IGBTها】

ولتاژهای شکست از 300 تا 1700 ولت. VCE(SAT) کم برای کاهش تلفات هدایت. بهبود پراکندگی انرژی خاموش در مقابل افزایش دما.

انواع محصول

ST طیف گسترده ای از IGBT های قدرت را برای هر محدوده ولتاژ در کاربردهای صنعتی و خودرو ارائه می دهد.

STPOWER 300-400 V (گیره دار) IGBT ها

این IGBT ها که به عنوان درایورهای کویل برای سیستم های احتراق خودرو با عملکرد بالا استفاده می شوند، در ولتاژهای گیره مختلف (با مقادیر معمولی از 350 تا 410 ولت) و سطوح جریان (از 10 تا 30 آمپر) موجود هستند.

STPOWER 600-750 V IGBT ها

IGBT های ST 600، 650 و 750 ولت حداکثر جریان کلکتور تا 320 آمپر را برای کاربردهایی با فرکانس عملیاتی تا 100 کیلوهرتز تامین می کنند.

STPOWER 1200-1350 V IGBT ها

IGBT های ST با ولتاژ نامی بیشتر یا مساوی 1200 ولت، برای حداکثر جریان از 3 تا 75 آمپر در بسته های گسسته مختلف برای کاربردهایی با فرکانس عملیاتی تا 100 کیلوهرتز.

STPOWER IGBT های دای برهنه تا 1700 ولت

IGBT های دای برهنه در مبادلات مختلف موجود هستند، با حداکثر ولتاژ 1700 ولت و جریان کلکتور تا 200 آمپر، برای طیف گسترده ای از کاربردها مانند کنترل موتور، درایوهای سروو، جوشکاری، خورشیدی و اینورترهای کششی برای کاربردهای صنعتی و خودرو.

【بایپولار قدرت】

طیف گسترده ای که شامل ترانزیستورهای دارلینگتون و BJT ها با VCES از 15 تا 1700 ولت است.

ویژگی های کلیدی ترانزیستورهای NPN / PNP بایپولار ST

زمان های سوئیچینگ سریع و ولتاژ اشباع بسیار کم که منجر به کاهش تلفات سوئیچینگ و هدایت می شود

نسخه های دیود یکپارچه برای کاهش تعداد قطعات

پارامتر hFE به خوبی کنترل شده برای افزایش قابلیت اطمینان

بهترین نسبت هزینه به عملکرد

【MOSFETهای قدرت】

طیف گسترده ای از ولتاژهای شکست از -100 تا 1700 ولت، با شارژ گیت کم و مقاومت کم در حالت روشن، همراه با بسته بندی پیشرفته.

انواع محصول

ST طیف چشمگیری از MOSFET های قدرت را برای هر محدوده ولتاژ در کاربردهای صنعتی و خودرو ارائه می دهد، مانند منابع تغذیه حالت سوئیچینگ (SMPS)، روشنایی، کنترل موتور، تولید انرژی و تحرک الکتریکی، شاسی و ایمنی، و بدنه و راحتی.

MOSFET های ولتاژ پایین 20V-30V

MOSFET های قدرت ولتاژ پایین STripFET ما را کشف کنید، با شارژ گیت کم و مقاومت کم در حالت روشن، همراه با راه حل بسته بندی مناسب.

MOSFET های کانال N STPOWER > 30V تا 200V

مجموعه MOSFET های قدرت کانال N STripFET ولتاژ متوسط ​​ما را کشف کنید، که در طیف گسترده ای از بسته های مینیاتوری و با قدرت بالا موجود است.

MOSFET های کانال N STPOWER > 200V تا 700V

آخرین فناوری اتصال فوق العاده ST که برای هر دو توپولوژی سوئیچینگ سخت و تشدید شده طراحی شده است، مناسب برای کاربردهای با قدرت بالا.

> 700V-1700V HV و VHV MOSFET ها

MOSFET های قدرت ولتاژ بالا و بسیار بالای MDmesh ما را کشف کنید، با قابلیت افزایش توان، که منجر به راه حل های با راندمان بالا می شود.

MOSFET های کانال P

MOSFET های کانال P STripFET ما را کشف کنید، که در بسته های بسیار کوچک و اخیراً با دستگاه های گیت ترانشه جدید بزرگ شده اند.

【ترانزیستورهای GaN】

فناوری GaN در کاربردهای با فرکانس بالا برتری دارد و راندمان برتر، چگالی توان بالا و سوئیچینگ فوق العاده سریع را ارائه می دهد.

【SiC MOSFET ها】

از 650 تا 2200 ولت، SiC MOSFET ها راندمان توان را افزایش می دهند، سیستم های فشرده تر و سبک تر را فعال می کنند و برای کاربردهای ولتاژ بالا و با عملکرد بالا ایده آل هستند.

ویژگی های اصلی SiC MOSFET های ما عبارتند از:

دستگاه های درجه خودرو (AG) واجد شرایط

قابلیت تحمل دمای بسیار بالا (حداکثر TJ = 200 درجه سانتیگراد)

عملکرد فرکانس سوئیچینگ بسیار بالا و تلفات سوئیچینگ بسیار کم

مقاومت کم در حالت روشن

درایو گیت سازگار با آی سی های موجود

دیود داخلی بسیار سریع و قوی