وبلاگ شرکت در مورد تأمین محصول گالیوم نیترید رنساس: توان گالیوم نیترید، درایورهای گالیوم نیترید، مراحل توان گالیوم نیترید

عرضه محصولات Renesas GaN: GaN Power، GaN FET Drivers، GaNFET Power Stages

شرکت الکترونیک Shenzhen Mingjiada Co., Ltd.تخصص ما در فروش قطعات الکترونیکی است. ما طیف گسترده ای از محصولات، مدیریت دقیق زنجیره تامین و پشتیبانی فنی جامع را ارائه می دهیم.شرکت متعهد به ارائه مشتریان با یک، تجربه خرید قطعات الکترونیکی مناسب و با کیفیت بالا.

مزایای خدمات تامین ما

سطح انبار تضمین شده: ما در تمام طول سال انبار فراوانی از تراشه های الکترونیک را حفظ می کنیم تا تحویل سریع نمونه ها را تضمین کنیم.ما ميتونيم به طور قابل اعتماد ترتيب تحویل بدهيم، به این ترتیب زمان تحویل مشتریان ما را کوتاه می کنیم؛

کنترل کیفیت سختگیرانه: تمام محصولات به طور مستقیم از تولید کنندگان اصلی از طریق کانال های رسمی تهیه می شوند.هر کالا در هنگام ورود به آن، از یک بازرسی کیفیت ثانویه برای اطمینان از اصالت و جلوگیری از قرار دادن کالا های بازسازی شده، تحت کنترل قرار می گیرد.ما اسناد قابل ردیابی از تولید کنندگان اصلی را ارائه می دهیم و کل طیف محصولات ما با استانداردهای زیست محیطی RoHS مطابقت دارد؛

راه حل های خرید انعطاف پذیر: سفارشات نمونه فقط از یک واحد شروع می شود، در حالی که خرید های انبوه برای تخفیف های طبقه بندی شده واجد شرایط هستند.شرکای بلند مدت برای به حداقل رساندن خطر اختلال در تولید ناشی از نوسانات در زمان تولید اصلی اختصاص داده می شوند.

I. دستگاه های برق Renesas GaN: سوئیچ های برق هسته ای با ضرر کم و قابلیت اطمینان بالا

دستگاه های برق Renesas GaN بر روی HEMT های GaN حالت ارتقا ولتاژ بالا متمرکز شده اند،شامل مدل های پرچمدار از نسل چهارم سری 650V و دستگاه های ولتاژ پایین با معماری cascadeآنها به طور کامل به نقاط درد مرتبط با سوئیچ های سنتی سیلیکون MOSFET مانند از دست دادن سوئیچ های بالا می پردازند.عملکرد ضعیف فرکانس بالا و از دست دادن بازیافت معکوس بالا و به عنوان دستگاه های سوئیچ هسته ای برای سیستم های تبدیل قدرت استفاده می شوداین دستگاه ها با ولتاژ های عملیاتی که از 650 ولت تا 1200 ولت و مقادیر مقاومت (Rds ((on)) که از 15mΩ تا 480mΩ می باشد، نیازهای قدرت را در طیف کامل از 30 ولت تا 10 کیلو وات برآورده می کنند.آنها در طیف گسترده ای از گزینه های بسته بندی در دسترس هستند، از جمله نه نوع اصلی مانند DPAK، TO-247 و TOLL، و پشتیبانی از طرح های خنک کننده سمت بالا، به طور قابل توجهی بهینه سازی بهره وری حرارتی و طرح کلی سیستم.

از نظر مزیت های فنی اصلی، دستگاه های قدرت GaN نسل چهارم Renesas® به طور قابل توجهی ویژگی های شارژ دروازه و بازیابی معکوس را بهینه کرده اند.آنها از دست دادن بازیافت معکوس معمول دستگاه های سیلیکونی سنتی را از بین می برند و سرعت سوئیچ را بسیار بیشتر از دستگاه های مبتنی بر سیلیکون ارائه می دهنداین کار به طور موثر باعث کاهش تلفات هدایت متقابل و افزایش کارایی تبدیل کلی سیستم می شود.دستگاه ها دارای ولتاژ فوق العاده ای هستند و در برابر تداخل مقاوم هستند.، که آنها را برای شرایط ورودی ولتاژ DC بالا و ولتاژ گسترده مناسب می کند. آنها به خوبی برای برنامه های کاربردی پیشرفته مانند معماری ولتاژ بالا 800V مراکز داده AI مناسب هستند،اینورترهای خورشیدی، سیستم های ذخیره سازی انرژی، سیستم های UPS صنعتی و نقاط شارژ خودرو.

مدل های نماینده عبارتند از TP65H030G4PRS، TP65H030G4PWS و TP65H030G4PQS3 GaN FET 650V ولتاژ بالا که به طور خاص برای چگالی بالا طراحی شده اند.کاربردهای تبدیل قدرت با کارایی بالاتعادل مقاومت کم با ثبات فرکانس بالا، آنها انتخاب ترجیح داده شده برای منابع برق تجاری با قدرت بالا و تجهیزات انرژی جدید هستند.دستگاه های GaN با معماری Cascode-Renesas® مزایای MOSFET های سیلیکونی ولتاژ پایین را با مزایای HEMT های ولتاژ بالا GaN ترکیب می کنند، به دست آوردن ویژگی های ایمنی به طور معمول در حالی که با منطق محرک دستگاه های سیلیکونی سنتی سازگار است، در نتیجه به طور قابل توجهی هزینه های مهاجرت طراحی برای کاربران را کاهش می دهد.

II. راننده های ترانزیستور اثر میدان Renesas GaN: یک هسته محرک اختصاصی برای سازگاری دقیق، سرعت بالا و ثبات

ویژگی های عملکرد فرکانس بالا و سرعت بالا دستگاه های GaN الزامات بسیار سختگیرانه تری را برای دقت اعمال می کند.سرعت پاسخ و مصونیت از تداخل سیگنال های محرک نسبت به MOSFET های سنتی سیلیکون؛ درایورهای استاندارد مبتنی بر سیلیکون قادر به برابری با مزایای عملکرد دستگاه های GaN نیستند. Renesas’ proprietary GaN field-effect transistor drivers are deeply optimised for the electrical characteristics of GaN HEMTs and serve as the key supporting chips for unlocking the ultimate performance of GaN devices and ensuring stable system operation.

مزیت های اصلی این سری درایورها در سه ابعاد کلیدی متمرکز شده است. اول، قابلیت درایو با سرعت بالا، با تاخیر های بسیار کوتاه گسترش و پاسخ سریع سوئیچ،به طور کامل با سرعت سوئیچ در سطح نانو ثانیه دستگاه های GaN مطابقت دارد، استفاده کامل از مزایای عملکرد فرکانس بالا برای کمک به سیستم ها برای افزایش فرکانس سوئیچ، کاهش اندازه اجزای منفعل و افزایش تراکم قدرت.مکانیسم های حفاظت جامع: این درایورها دارای عملکردهای محافظتی متعدد از جمله حفاظت از جریان بیش از حد، محافظت از ولتاژ بالا، قفل ولتاژ پایین و محافظت از درجه حرارت بالا هستند.آنها وضعیت عملیاتی دستگاه های GaN را در زمان واقعی نظارت می کنند، به سرعت در شرایط عملیاتی غیرطبیعی قطع می شود تا از خرابی و آسیب دستگاه در شرایط ولتاژ بالا و فرکانس بالا جلوگیری شود و در نتیجه قابلیت اطمینان سیستم را به طور قابل توجهی افزایش دهد.ادغام و سازگاری بالا: برخی از مدل ها شامل منابع تغذیه ای جدا شده و مدارهای نیمه پل درایو هستند که از درایو هم زمان هم از طرف بالا و هم از طرف پایین پشتیبانی می کنند.و با توپولوژی های اصلی مانند نیمه پل سازگار هستندآنها همچنین با کل طیف وسیعی از دستگاه های قدرت GaN Renesas مطابقت دارند، طراحی مدار محیطی را ساده می کنند و تداخل پارامترهای انگل PCB را کاهش می دهند.

برای شرایط سخت عملیاتی، رنزاس درجات هوافضا، درایورهای GaN بسیار قابل اعتماد و مقاوم را که قادر به مقاومت در برابر تشعشعات فضایی هستند، راه اندازی کرده است.اثرات یک رویداد و دمای بسیار بالا و پایین، که آنها را برای کاربردهای پیشرفته و با قابلیت اطمینان بالا مانند منابع برق هوافضا و تجهیزات صنعتی تخصصی مناسب می کند.RTKA226110DE0040BU)، تأیید عملکرد سیستم های GaN با استفاده از توپولوژی های نیمه پل می تواند به سرعت تکمیل شود، به طور قابل توجهی چرخه های R&D و عیب یابی را کاهش می دهد.

III. Renesas GaNFET Power Stage: یک راه حل انرژی بسیار یکپارچه و کم کم

مرحله قدرت GaNFET محصول اصلی فناوری GaN یکپارچه Renesas است.این از طراحی سنتی “مكونات مجزا به علاوه راننده ” جدا می شود و یک سوئیچ قدرت GaN FET را به شدت ادغام می کند.، یک درایور دروازه اختصاصی، مدارهای کمکی و یک ساختار مدیریت حرارتی در یک بسته واحد، تشکیل یک ماژول قدرت یکپارچه پلگ و پلی.این یکی از راه حل های بهینه برای امروزه است، سیستم های انرژی کوچک

در مقایسه با راه حل های جداگانه، GaNFET Power Stage مزایای بسیار قابل توجهی دارد.آن را به طور چشمگیری طراحی سیستم را با ادغام کل زنجیره محرک قدرت به یک دستگاه واحد ساده می کند، حذف نیاز به مدارهای تطابق خارجی پیچیده. این به شدت طرح PCB را ساده می کند، باعث کاهش induktansi انگل و ظرفیت در مدارهای می شود.و به حداقل رساندن نوسانات سوئیچ و از دست دادن در منبع، بنابراین به طور کامل نقاط درد مرتبط با راه حل های جداگانه، مانند طرح های آشفته و تطبیق پارامتر دشوار را حل می کند.آنها از دست دادن بسیار کم و بهره وری بسیار بالا را ارائه می دهند.طراحی یکپارچه مسیر جریان را کوتاه می کند، کاهش رسانایی و از دست دادن سوئیچ را کاهش می دهد.این به طور موثر تداخل فرکانس بالا را سرکوب می کند و کارایی تبدیل کلی سیستم را بهبود می بخشد.، با کارایی کامل بار به راحتی بیش از 96 درصد است.

علاوه بر این، سری Renesas® با قابلیت اطمینان بالا از مراحل قدرت GaN FET به طور خاص برای شرایط عملیاتی شدید طراحی شده است.آنها می توانند هم به اثرات دوز یونیزاسیون کل (TID) و هم به حوادث تک (SEE) مقاومت کنند.، که آنها را برای کاربردهای تخصصی مانند تبدیل DC / DC هوافضا، کنترل دقیق موتور و سیستم های قدرت RF مناسب می کند.محصولات درجه تجاری از بسته بندی های فشرده BGA و بسته بندی سطح استفاده می کنند، با داشتن یک اثر کوچک و از بین رفتن حرارتی عالی، آنها را به طور گسترده ای برای برنامه های تولید انبوه مانند منابع برق شارژ سریع، منابع برق صنعتی مناسب می کند،منابع برق سرورها و کنورترهای ذخیره انرژیکاربران فقط نیاز به ورود سیگنال های کنترل دیجیتال برای دستیابی به کنترل سوئیچ قدرت دارند، که نیاز به تنظیم پارامتر پیچیده و کاهش قابل توجهی از موانع تحقیق و توسعه و هزینه های تولید انبوه را از بین می برد.

IV. ارزش اصلی و سناریوهای کاربرد راه حل های کامل GaN Renesas

از طریق مجموعه محصولات جامع خود که شامل "تجهیزات قدرت + رانندگان اختصاصی + مراحل قدرت یکپارچه" است، Renesas پوشش کامل سیستم های قدرت GaN را به دست آورده است.از طرح های مجزا تا راه حل های یکپارچه، به طور کامل نیازهای مشتری را در سطوح مختلف قدرت، سناریوهای کاربرد و نیازهای طراحی:

1- کاربردهای سبک وزن و کوچک تا متوسط: با استفاده از مراحل قدرت GaN FET یکپارچه، این راه حل ها دستگاه های فشرده و با کارایی بالا را امکان پذیر می کنند.مناسب برای تجهیزات 30W 500W مانند آداپتورهای شارژ سریع, منابع برق اینترنت اشیا و منابع برق صنعتی کوچک

2- کاربردهای تجاری متوسط تا بالا: ترکیب دستگاه های قدرت GaN با ترکیب های راننده های جداگانه اختصاصی، این راه حل ها به طور انعطاف پذیر از LLC، PFC و توپولوژی های پل کامل پشتیبانی می کنند.که تجهیزات 500W5kW مانند منابع برق مرکز داده های AI را تامین می کند، اینورترهای فتوولتائیک، سیستم های ذخیره سازی انرژی خانگی و شارژر های داخل هواپیما؛

3قابلیت اطمینان فوق العاده بالا کاربرد های ویژه: قابلیت اطمینان بالامراحل قدرت GaNFET مقاوم و راه حل های راننده، نیازهای عملیاتی شرایط عملیاتی شدید در هوافضا را برآورده می کنند.، تجهیزات دفاعی و پیشرفته صنعتی.