وبلاگ شرکت در مورد عرضه Renesas AT45DB081E-SHN-T DataFlash 8Mbit SPI سریال NOR حافظه فلش IC

عرضه رنزاسAT45DB081E-SHN-TDataFlash 8Mbit SPI سریال NOR حافظه فلش IC

[شرکت الکترونیک Shenzhen Mingjiada Co., Ltd.]عرضه بلند مدت (رنیساس)AT45DB081E-SHN-T8Mbit DataFlash ٫ 1.7V تا 3.6V Range، SPI Serial NOR Flash Memory IC. در زیر اطلاعات محصول برای AT45DB081E-SHN-T DataFlash ارائه شده است:

شماره قسمت:AT45DB081E-SHN-T

بسته بندی: SOIC-8

نوع: DataFlash SPI سریال یا حافظه فلش IC

AT45DB081E-SHN-T DataFlash is a member of our System Enhancing class of code and data storage solutions designed with an advanced dual SRAM buffer architecture that makes it the most efficient memory for data logging.

AT45DB081E-SHN-T همچنین شامل مجموعه ای از ویژگی های پیشرفته است که قدرت سیستم را صرفه جویی می کند، هزینه پردازنده را کاهش می دهد، توسعه نرم افزار را ساده می کند،و ارائه گزینه های جامع امنیت و یکپارچگی داده ها.

ویژگی های محصولAT45DB081E-SHN-T

نوع حافظه: غیر قابل فرار
فرمت حافظه: FLASH
تکنولوژی: فلش
اندازه حافظه: 8Mbit
سازمان حافظه: 264 بایت x 4096 صفحه
رابط حافظه: SPI
فرکانس ساعت: 85 مگاهرتز
زمان چرخه نوشتن - کلمه، صفحه: 8μs، 4ms
ولتاژ - منبع: 1.7V ~ 3.6V
دمای کار: -40°C ~ 85°C (TC)
نوع نصب: نصب سطحی
بسته بندی / کیس: 8-SOIC (0.209 "، 5.30mm عرض)
بسته دستگاه تامین کننده: 8-SOIC

ویژگی های AT45DB081E-SHN-T

● واحد 1.7 ولت - 3.6 ولت
● رابط فرعی سریال (SPI) سازگار
- از حالت های SPI 0 و 3 پشتیبانی می کند
- پشتیبانی از عملیات RapidS"M
● قابلیت خواندن مداوم از طریق کل آرایه
- تا 85 مگاهرتز
- گزینه خواندن کم مصرف تا 15 مگاهرتز
- زمان ساعت به خروجی (tv) حداکثر 6 ns
● اندازه صفحه قابل تنظیم کاربر
- 256 بایت در هر صفحه
- 264 بایت در هر صفحه (پیش فرض)
- اندازه صفحه می تواند از قبل در کارخانه برای 256 بایت پیکربندی شود
●دو ذخیره داده کاملا مستقل SRAM (256/264 بایت)
- اجازه می دهد تا دریافت داده در حالی که برنامه ریزی مجدد آرایه حافظه اصلی
● گزینه های برنامه ریزی انعطاف پذیر
- بایت / صفحه برنامه (1 تا 256/264 بایت) به طور مستقیم به حافظه اصلی
- نوشته ی بافر
- بافر به صفحه ی حافظه ی اصلی
● گزینه های پاکسازی انعطاف پذیر
- پاک کردن صفحه (256/264 بایت)
- پاک کردن بلوک (2 کیلو بایت)
- پاک کردن بخش (64 کیلو بایت)
- پاک کردن تراشه (8 ميگابايت)
●برنامه و پاک کردن تعلیق / ادامه
● ویژگی های پیشرفته سخت افزاری و نرم افزاری حفاظت از داده ها
- حفاظت از بخش های فردی
- قفل کردن بخش های فردی برای اینکه هر بخش به طور دائم فقط برای خواندن باشد
●128 بایت، یک بار قابل برنامه ریزی (OTP)
- 64 بایت کارخانه برنامه ریزی شده با یک شناسه منحصر به فرد
- 64 بایت قابل برنامه ریزی کاربر
● گزینه های تنظیم مجدد کنترل شده توسط سخت افزار و نرم افزار
●JEDEC استاندارد تولید کننده و دستگاه ID خواندن
●صرف انرژی کم
- 400 nA برق فوق العاده عمیق (معمولاً)
- 4.5 μA جریان پایین قدرت عمیق (معمولا)
- 25 μA جریان آماده (معمولا)
- 11 mA جریان Active Read (معمولاً در 20 مگاهرتز)
● دوام: حداقل 100،000 چرخه برنامه / پاک کردن در هر صفحه
● نگهداری داده ها: 20 سال
● با طیف کامل دمای صنعتی مطابقت دارد

AT45DB081E-SHN-T یک حافظه فلش دسترسی دنباله ای با حداقل 1.7 ولت با رابط سریال است که به طور ایده آل برای طیف گسترده ای از برنامه های صوتی ، تصویر ، کد برنامه و ذخیره سازی داده های دیجیتال مناسب است.

AT45DB081E-SHN-T همچنین از رابط سریال RapidS برای برنامه هایی که نیاز به عملکرد بسیار سریع دارند پشتیبانی می کند.650،752 بیت حافظه به عنوان 4,096 صفحه با 256 بایت یا 264 بایت هر سازماندهی شده است.

علاوه بر حافظه اصلی، AT45DB081E-SHN-T همچنین شامل دو بافر SRAM با هرکدام 256 / 264 بایت است. بافرها اجازه دریافت داده ها را در حالی که یک صفحه در حافظه اصلی برنامه ریزی می شود، فراهم می کند.پیوند بین هر دو بافر می تواند به طور چشمگیری توانایی یک سیستم را برای نوشتن یک جریان داده مستمر افزایش دهد. همچنین SRAM بافر می تواند به عنوان حافظه scratchpad سیستم اضافی استفاده شود،و شبیه سازی E2PROM (تغییر پذیری بیت یا بایت) را می توان به راحتی با یک عملیات سه مرحله ای خودکفای خواندن-تغییر-نوشتن اداره کرد.

AT45DB081E-SHN-T ٬ برخلاف حافظه های فلش معمولی که به صورت تصادفی با چندین خط آدرس و یک رابط موازی دسترسی دارند٬DataFlash@ از یک رابط سریال برای دسترسی به داده های خود استفاده می کند. دسترسی دنباله ای ساده به طور چشمگیری تعداد پین های فعال را کاهش می دهد، ترتیب سخت افزاری ساده را تسهیل می کند، قابلیت اطمینان سیستم را افزایش می دهد، سر و صدای سوئیچ را به حداقل می رساند و اندازه بسته را کاهش می دهد.AT45DB081E-SHN-T برای استفاده در بسیاری از برنامه های کاربردی تجاری و صنعتی که در آن تراکم بالا، تعداد پین پایین، ولتاژ پایین و قدرت پایین ضروری است.

ویژگی های اصلی AT45DB081E-SHN-T

شامل یک بافر SRAM R/W قابل کنترل برای حداکثر انعطاف پذیری است
معماری بلوک استاندارد با حذف صفحه 256 بایت اضافه شده برای ثبت اطلاعات با کارایی انرژی
بایت-نویسیدن قابلیت EEPROM سریالی را در یک دستگاه سریال NOR Flash فراهم می کند
قطعات برق فوق العاده عمیق در >400nA کار می کنند
کار Vcc گسترش اجازه می دهد تا حافظه سیستم برای کار در سراسر محدوده ولتاژ
امنیت جامع و ویژگی های شناسایی منحصر به فرد از دستگاه در برابر دستکاری خارجی محافظت می کند

نمودار بلوکی از AT45DB081E-SHN-T

الکترونیک مینگجیاداداده های فلش را عرضه کرده استAT45DB081E-SHN-Tبرای اطلاعات بیشتر در مورد حافظه AT45DB081E-SHN-T، لطفا به وب سایت رسمی Mingjiada Electronics مراجعه کنید (https://www.integrated-ic.com/)