وبلاگ شرکت در مورد منبع برق: ماژول های IGBT، ماژول های MOSFET، ماژول های قدرت هوشمند، ماژول های SiC

منبع برق: ماژول های IGBT، ماژول های MOSFET، ماژول های قدرت هوشمند، ماژول های SiC

شرکت الکترونیک Shenzhen Mingjiada Co., Ltd.یک تامین کننده حرفه ای از قطعات الکترونیکی است که به هدف "خدمات به مشتریان، سود مشتریان" پایبند است.از طریق بهینه سازی مداوم مدیریت زنجیره تامین و گسترش خطوط محصول، به یک شرکت جهانی در زمینه توزیع قطعات الکترونیکی تبدیل شده است.

محصولات اصلیتراشه های 5G، IC های انرژی جدید، IoT ICs، Bluetooth ICs، Telematics ICs، IC های درجه خودرو، IC های ارتباطی، AI ICs، IC های حافظه، IC های سنسور، IC های میکروکنترلر، IC های گیرنده، Ethernet ICs،تراشه های وای فای، ماژول های ارتباطی بی سیم، کانکتورها و سایر قطعات الکترونیکی

مزیت عرضه

سیستم موجودی عظیم: شرکت دارای بیش از 2 میلیون نوع موجودی مدل های سودمند، پوشش درجه نظامی، درجه صنعتی،ارتباطات و انواع قطعات تکنولوژی بالا سرد و گرم، می تواند به سرعت به نیازهای فوری مشتریان پاسخ دهد، به طور قابل توجهی چرخه تحقیق و توسعه و تولید مشتری را کوتاه کند.

تضمین کیفیت سختگیرانه: تمام قطعات تامین شده از تولید کنندگان اصلی یا کانال های مجاز هستند، که قابلیت ردیابی کامل دسته و خدمات تضمین را فراهم می کنند.شرکت به شدت ISO9001 را اجرا می کند:2014 سیستم مدیریت کیفیت برای اطمینان از قابلیت اطمینان و سازگاری هر محصول.

شبکه لجستیک کارآمد: با شاخه ها و شرکای لجستیک در سراسر جهان، ما قادر به دستیابی به تحویل سریع 1-3 روز و پشتیبانی از مدل منابع انعطاف پذیر به اندازه 1 قطعه هستیم.این قابلیت زنجیره تامین کارآمد به ویژه برای نیازهای دسته های کوچک در مرحله تحقیق و توسعه و پردازش سفارشات فوری مناسب است.

ماژول های IGBT: ترکیب کامل تراکم قدرت بالا و قابلیت اطمینان

ماژول های ترانزیستور دوقطبی گیت عایق (IGBT) به عنوان دستگاه های اصلی سیستم های الکترونیکی قدرت مدرن، بر زمینه برنامه های کاربردی متوسط تا قدرت بالا تسلط دارند.ماژول های IGBT ON به دلیل کم بودن ضایعات شناخته شده اند، فرکانس سوئیچینگ بالا و پایداری قوی، و به طور گسترده ای در تجهیزات کلیدی مانند محرک های موتور الکتریکی، اینورترهای فتوولتائیک، منابع برق بدون وقفه (UPS) ،و تبدیل کننده های فرکانس صنعتیاین ماژول ها از تکنولوژی پیشرفته Trench Field Stop برای دستیابی به تعادل مطلوب بین زیان رسانا و تغییر، به طور قابل توجهی بهبود بهره وری کلی سیستم استفاده می کنند.

مزایای فنی ماژول IGBT ON عمدتاً در سه جنبه منعکس می شود:که به طور قابل توجهی کاهش افت ولتاژ در حالت فعال (VCE ((sat)) و کاهش از دست دادن قدرت در حالت فعالدوم، طراحی بهینه شده لایه انتهای میدان، ماژول را قادر می سازد سرعت سوئیچ سریعتر و از دست دادن سوئیچ کمتر داشته باشد، که برای سناریوهای کاربرد فرکانس بالا مناسب است.و نهايتا، ماژول یک سنسور دمای داخلی و عملکرد تشخیص جریان را ادغام می کند که اجرای کارایی کلی سیستم را تسهیل می کند.ماژول های IGBT در ولتاژ های 600V تا 1700V و در ظرفیت های فعلی از 30A تا صدها آمپر برای پاسخگویی به نیازهای برنامه های کاربردی در سطوح مختلف قدرت در دسترس هستند.

ماژول های MOSFET: ایده آل برای سوئیچینگ با سرعت بالا و تبدیل با کارایی بالا

ماژول های ترانزیستور اثر میدان فلزی اکسید نیمه هادی (MOSFET) مزایای منحصر به فردی را در برنامه های سوئیچ فرکانس بالا نشان می دهند. ماژول های MOSFET ON به طور گسترده ای در تبدیل قدرت استفاده می شوند.لوازم الکترونیکی خودرو، و سیستم های کنترل صنعتی به دلیل عملکرد بسیار عالی سوئیچ و ویژگی های مقاومت کم آنها.بسته ماژولار باعث چگالی قدرت بالاتر می شود، عملکرد حرارتی بهتر و طراحی سیستم ساده، که به ویژه برای سناریوهای کاربرد متوسط تا بالا مناسب است.

ویژگی های فنی ماژول ON MOSFET عمدتاً در چهار جنبه منعکس می شود:ماژول MOSFET با تکنولوژی Super Junction (Super Junction) در کاربردهای ولتاژ بالا مقاومت بسیار پایین (RDS ((on)) را به دست می آورد، که به طور قابل توجهی از دست دادن هدایت را کاهش می دهد؛ دوم، طراحی بهینه گیت امکان تغییر سریعتر را فراهم می کند و از دست دادن انرژی را در طول فرآیند تغییر کاهش می دهد؛ و سوم،ماژول چند تراشه MOSFET را درون آن ادغام می کند، که می تواند از توپولوژی های مختلف مانند پل کامل، نیمه پل و شش گروه پشتیبانی کند؛ در نهایت، فناوری بسته بندی پیشرفته عملکرد هدایت حرارتی خوبی را تضمین می کند،اجازه می دهد تا ماژول در محیط های با دمای بالا با ثبات کار کندسطح ولتاژ ماژول MOSFET از 40V تا 900V را پوشش می دهد که نیازهای متنوعی از تبدیل DC-DC ولتاژ پایین به سیستم تامین برق ولتاژ بالا را برآورده می کند.

ماژول های قدرت هوشمند: تجسم کامل یکپارچه سازی و قابلیت اطمینان بالا

ماژول های قدرت هوشمند (IPM) بالاترین سطح یکپارچه سازی الکترونیک قدرت را نشان می دهند. محصولات IPM ON دستگاه های قدرت ولتاژ بالا، مدارهای دروازه،و عملکردهای محافظت در یک بسته واحد، طراحی سیستم را به طور چشمگیری ساده می کند و قابلیت اطمینان را بهبود می بخشد. به ویژه برای سناریوهای محرک در الکترونیک مصرفی، کنترل صنعتی و کاربردهای خودرو مناسب است.این ماژول ها طیف گسترده ای از قدرت را از 50W تا 10kW ارائه می دهند.، و از توپولوژی های مختلفی مانند اینورترهای سه فاز، PFC (تعدیل فاکتور قدرت) و تنظیم کننده های پل ورودی پشتیبانی می کند.

مزایای اصلی ON IPM عمدتا در چهار جنبه منعکس می شود: اول، طراحی بسیار یکپارچه تعداد اجزای خارجی و سطح PCB را کاهش می دهد، پیچیدگی سیستم و هزینه را کاهش می دهد.;دوم، مدار راننده داخلی ویژگی های سوئیچ دستگاه های قدرت را بهینه می کند در حالی که تداخل الکترومغناطیسی (EMI) را کاهش می دهد؛ سوم،عملکردهای حفاظت جامع (از جمله جریان بیش از حد)IPM خط محصول پوشش می دهد برنامه های کاربردی ولتاژ پایین و متوسط تا 600Vبا قابلیت های جریان از چند آمپر تا ده ها آمپر برای پاسخگویی به نیازهای سطوح مختلف قدرت.

ماژول کربید سیلیکون (SiC): یک معیار تکنولوژی برای دستگاه های انرژی نسل بعدی

ماژول های قدرت سیلیکون کاربید (SiC) نشان دهنده جهت توسعه پیشرفته فناوری نیمه هادی قدرت است.ماژول های SiC ON از ماده نیمه هادی نسل سوم کربید سیلیکون (SiC) به عنوان دستگاه پایه استفاده می کنند، که دارای مزایای قابل توجهی مانند تحمل دمای بالا، ویژگی های فرکانس بالا و از دست دادن هدایت کم است.و باعث ارتقای حوزه های تکنولوژی مانند خودروهای الکتریکی می شود.، اینورترهای خورشیدی و منابع برق مرکز داده. در مقایسه با دستگاه های قدرت سنتی مبتنی بر سیلیکون،ماژول های SiC می توانند بهره وری سیستم را تا ۳ تا ۵ درصد افزایش دهند و مصرف انرژی را تا بیش از ۳۰ درصد کاهش دهند، در حالی که به طور قابل توجهی اندازه و وزن سیستم را کاهش می دهد، آنها را به یک راه حل ایده آل برای پاسخگویی به چالش های بهره وری انرژی و چگالی قدرت تبدیل می کند.

مزایای فنی ماژول های ON SiC عمدتاً در پنج جنبه منعکس می شود:قدرت میدان الکتریکی بالا از مواد SiC به دستگاه اجازه می دهد تا در ولتاژ های بالاتر کار کند در حالی که ضخامت منطقه حرکت را کاهش می دهد.، که مقاومت روشن شدن را کاهش می دهد؛ دوم، ویژگی های ممنوعه پهنای باند وسیع SiC (3.26eV) اجازه می دهد دستگاه در دمای بالاتر (بیش از 200 °C) کار کند.که پیچیدگی سیستم تبعید گرما را کاهش می دهدسوم، دستگاه های SiC عملاً هیچ جریان بازیافت معکوس ندارند، که به طور چشمگیری از دست دادن سوئیچ را کاهش می دهد و امکان عملکرد فرکانس بالاتر را فراهم می کند.رسانایی حرارتی عالی (حدود سه برابر سیلیکون) چگالی قدرت را بهبود می بخشد و امکان ایجاد یک سیستم فشرده تر را فراهم می کنددر نهایت، بهبود بهره وری کلی سیستم، مصرف انرژی و نیازهای تبعید گرما را کاهش می دهد و منجر به یک چرخه خوب می شود. ماژول های SiC شامل دو نوع ماژول هستند:ماژول های SiC خالص و ماژول های هیبریدی Si/SiC، با سطوح ولتاژ 1200V و 1200V. سطوح ولتاژ عمدتا 1200V و 1700V برای پاسخگویی به نیازهای برنامه های ولتاژ بالا است.