وبلاگ شرکت در مورد تامین سری ماژول IGBT میکروچیپ: IGBT Trench 3, IGBT Trench 4, IGBT Trench 5, IGBT Trench 7

سری ماژول IGBT میکروچیپ: IGBT Trench 3, IGBT Trench 4, IGBT Trench 5, IGBT Trench 7

شرکت شنژن مینگجیادا الکترونیکس، با مسئولیت محدودبه عنوان یک توزیع کننده پیشرو قطعات الکترونیکی در چین، به اصل «خدمت به مشتریان و سود رساندن به مشتریان» پایبند است و قطعات الکترونیکی با کیفیت بالا و متنوع را به مشتریان خود ارائه می دهد.

محصولات اصلی شامل:تراشه های 5G، آی سی های انرژی نو، آی سی های اینترنت اشیا، آی سی های بلوتوث، آی سی های شبکه خودرو، آی سی های درجه خودرو، آی سی های ارتباطی، آی سی های هوش مصنوعی و غیره. علاوه بر این، این شرکت آی سی های حافظه، آی سی های حسگر، آی سی های میکروکنترلر، آی سی های فرستنده و گیرنده، آی سی های اترنت، تراشه های WiFi، ماژول های ارتباط بی سیم، کانکتورها و سایر قطعات الکترونیکی را عرضه می کند.

مزایای عرضه

1. اصالت تضمین شده

تمام محصولات از کانال های رسمی تهیه می شوند، همراه با گزارش های ردیابی کیفیت کامل و گواهی سازنده اصلی، که اطمینان حاصل می کند مشتریان محصولات 100٪ اصلی را دریافت می کنند.

2. موجودی کافی

این شرکت بیش از 2 میلیون مدل موجودی دارد که از موجودی کافی برای پشتیبانی از نیازهای مشتریان از تولید آزمایشی تحقیق و توسعه تا تولید انبوه اطمینان حاصل می کند.

3. قیمت رقابتی

با بهره گیری از مزایای تدارکات در مقیاس بزرگ، ما قیمت هایی کمتر از نرخ بازار ارائه می دهیم و استراتژی های قیمت گذاری چند سطحی را بر اساس حجم خرید اجرا می کنیم. شرکای بلندمدت نیز می توانند از خدمات قفل قیمت برای کنترل موثر هزینه های تدارکات بهره مند شوند.

4. خدمات تحویل سریع

ارسال 24 ساعته: پردازش سریع سفارشات استاندارد

پاسخگویی اضطراری 4 ساعته: خدمات ویژه تسریع شده

پوشش تحویل روز بعد: تحویل سریع به مناطق کلیدی

5. مدل های تدارکات انعطاف پذیر

تدارکات با حجم کم: حداقل سفارش 1 قطعه برای پاسخگویی به نیازهای تحقیق و توسعه

سفارشات عمده: پشتیبانی از VMI (موجودی تحت مدیریت فروشنده) و سایر مدل های همکاری

توافقنامه های بلندمدت: ارائه تضمین های عرضه پایدار

ماژول IGBT Trench 3

ماژول IGBT Trench 3 نتایج بالغ فناوری دروازه ترانشه اولیه را نشان می دهد.

از منظر معماری فنی، ماژول IGBT Trench 3 یک طراحی دروازه ترانشه اساسی را اتخاذ می کند و از طریق یک ساختار دروازه عمودی، به ویژگی های هدایت برتری نسبت به IGBT های دروازه صفحه ای دست می یابد. پارامترهای معمولی آن عبارتند از: ولتاژ هدایت (Vce(sat)) از 1.8 تا 2.2 ولت، فرکانس سوئیچینگ تا 20 کیلوهرتز و حداکثر دمای کار 150 درجه سانتیگراد. در حالی که این معیارهای عملکرد ممکن است با استانداردهای امروزی برجسته نباشند، اما برای اکثر کاربردهای صنعتی با فرکانس متغیر کاملاً مناسب هستند.

ماژول های IGBT Trench 4 و Trench 5

ماژول های IGBT Trench 4 و Trench 5 نشان دهنده تکامل قابل توجهی از فناوری دروازه ترانشه هستند که بهبودهای قابل توجهی در پارامترهای عملکرد و دامنه کاربرد در مقایسه با ماژول Trench 3 ارائه می دهند.

ماژول IGBT Trench 4 فناوری Field Stop را معرفی می کند، یک ساختار نوآورانه که ضخامت تراشه را به طور قابل توجهی کاهش می دهد و منجر به بهبودهای عملکردی متعدد می شود: ولتاژ حالت روشن (Vce(sat)) به محدوده 1.5 تا 1.8 ولت کاهش می یابد، تقریباً 15٪ کمتر از محصولات Trench 3؛ فرکانس سوئیچینگ به 30-40 کیلوهرتز افزایش یافته است و امکانات را برای کاربردهای با فرکانس بالا گسترش می دهد. در حالی که قابلیت تحمل اتصال کوتاه عالی را برای اطمینان از قابلیت اطمینان سیستم حفظ می کند.

به عنوان یک نقطه عطف دیگر در تکامل فناوری، ماژول IGBT Trench 5 بر اساس Trench 4، فناوری کنترل حامل را بیشتر بهینه می کند و به تعادل بهینه بین تلفات هدایت و تلفات سوئیچینگ دست می یابد. ویژگی های فنی اصلی آن عبارتند از: اتخاذ یک ساختار ترانشه ظریف برای افزایش تراکم سلول؛ بهینه سازی طراحی لایه بافر برای بهبود ویژگی های سوئیچینگ؛ و استفاده از فرآیندهای کنترل عمر پیشرفته برای تنظیم دقیق غلظت حامل های اقلیت. این پیشرفت های تکنولوژیکی باعث کاهش تلفات کلی ماژول Trench 5 به میزان 10-15٪ اضافی در مقایسه با ماژول Trench 4 شده است و به راندمان بیش از 98٪ دست یافته است و آن را به انتخابی ایده آل برای کاربردهای با راندمان بالا تبدیل کرده است.

ماژول IGBT Trench 7

ماژول IGBT Trench 7 نشان دهنده آخرین فناوری دروازه ترانشه است که چندین مفهوم طراحی پیشرفته و فرآیندهای تولید را ادغام می کند.

از منظر فنی، نوآوری های ماژول IGBT Trench 7 در درجه اول در سه جنبه منعکس می شود: اول، اتخاذ طراحی میکرو ترانشه، اندازه سلول را بیشتر کاهش می دهد، تراکم ترانشه را به طور قابل توجهی افزایش می دهد و مقاومت هدایت را به طور چشمگیری کاهش می دهد. دوم، معرفی فناوری لایه ذخیره سازی حامل پیشرفته، توزیع حامل را در حالت روشن بهینه می کند و به تلفات هدایت کمتری دست می یابد. سوم، ساختار دروازه بهبود یافته و فرآیندهای غیرفعال سازی، تلفات سوئیچینگ را 15٪ در مقایسه با نسل های قبلی کاهش می دهد و در عین حال پایداری در دمای بالا را افزایش می دهد. این پیشرفت های تکنولوژیکی عملکرد کلی ماژول ترانشه 7 را به ارتفاعات جدیدی ارتقا داده است: ولتاژ حالت روشن می تواند تا 1.2 تا 1.5 ولت باشد، فرکانس سوئیچینگ به راحتی از 50 کیلوهرتز فراتر می رود و حداکثر دمای کار به 175 درجه سانتیگراد افزایش یافته است.