وبلاگ شرکت در مورد عرضه Infineon IQE220N15NM5 OptiMOS TM 5 ولتاژ پایین قدرت MOSFET 150 ولت

شرکت Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd عرضه کننده Infineon IQE220N15NM5 OptiMOSTM 5 Low Voltage Power MOSFET 150 V در بسته منبع قطره ای PQFN 3.3x3.3 ، خرید MOSFET های N-Channel Power

توضیحات

IQE220N15NM5 بخشی از سری Source-Down با RDS ((on) 22 mOhm است. فناوری Source-Down از یک تراشه سیلیکونی flip-flop استفاده می کند که در داخل قطعه معکوس است.

این تکنولوژی جدید با دو نوع مختلف در دسترس است: دروازه استاندارد و دروازه مرکزی (به منظور موازی سازی بهینه شده).

ویژگی ها

• RDS ((on) از 22 mOhm
• RthJC بهتر در مقایسه با بسته های PQFN
• ردپای استاندارد دروازه در دسترس است
• امکانات جدید طراحی بهینه شده

مزایا

• بیشترین تراکم و عملکرد قدرت
• عملکرد حرارتی عالی
• استفاده موثر از فضا
• دروازه استاندارد برای نصب آسان طرح
• کاهش ضایع PCB
• کاهش انگل ها

کاربرد های بالقوه

• درایو
• SMPS
• سرورها
• مخابرات
• مدیریت باتری

آدرس اصلی:http://www.hkmjd.com/