وبلاگ شرکت در مورد منبع برق ROHM SCT4013DLL/SCT4013DLLTRDC: MOSFETهای SiC نسل چهارم طراحی های منبع برق با کارایی بالا را امکان پذیر می کنند

ROHMSCT4013DLL/SCT4013DLLTRDC750 ولت 120 آمپر نوع خندق SiC MOSFET Mingjiada الکترونیک جدید، اصیل، در انبار در شنژن، سفارشات عمده پذیرفته شده

I. معرفی محصول

SCT4013DLL و نسخه نوار و ریل آن ، SCT4013DLLTRDC ، MOSFET های SiC ساختاری خندق نسل چهارم ROHM هستند. آنها دارای ولتاژ شکستن 750 و جریان تخلیه مداوم 120A هستند.,و در یک بسته SMD 9 پین TOLL (TO-Leadless) قرار دارند.

تراشه ها یکسان هستند فقط بسته بندی متفاوت است:

SCT4013DLL: عمده / لوله

SCT4013DLLTRDC: نوار و رولر (نگرانی) ، 2000 عدد در هر رولر

مناسب برای ولتاژ بالا، برنامه های کاربردی با قدرت بالا مانند منابع برق سرور AI، اینورترهای فتوولتائیک، منابع برق صنعتی و سیستم های UPS ذخیره سازی انرژی.

II. مشخصات کلیدی

تولید کننده: ROHM (ROHM Semiconductor)

مدل:SCT4013DLL,SCT4013DLLTRDC

ساختار: MOSFET کربید سیلیکون (SiC) نوع خندق نسل چهارم

ولتاژ منبع تخلیه Vdss: 750V

جریان تخلیه مداوم Id (Tc=25°C): 120A

مقاومت روشن شدن Rds ((on) (حداکثر): 16.9 mΩ @ 58A، 18V

شارژ دروازه Qg (حداکثر): 170 nC @ 18V

ظرفیت ورودی Ciss (حداکثر): 4580 pF @ 500V

حداکثر از بین رفتن قدرت Pd: 405W

دمای اتصال کار Tj: ¥40°C تا +175°C

بسته بندی: TOLL-9 (9-pin SMD، ابعاد 11.68 × 9.9 × 2.3 mm)

بسته بندی:

SCT4013DLL: لوله

SCT4013DLLTRDC: نوار و ریمل (2000 عدد/ریمل)

انطباق زیست محیطی: پوشش بدون سرب، مطابق با RoHS

III. ویژگی های کلیدی

مقاومت بسیار کم: Rds ((on) تا 16.9 mΩ کم است، که در مقایسه با دستگاه های سنتی SiC تقریباً 40٪ کاهش می یابد

سوئیچینگ با سرعت بالا: مقاومت دروازه پایین و Qg کوچک از دست دادن سوئیچینگ را حدود 50٪ کاهش می دهد و آن را برای سوئیچینگ سخت فرکانس بالا مناسب می کند

بازیابی معکوس عالی: حداقل هزینه بازیابی معکوس زنگ و EMI را کاهش می دهد و کارایی سیستم را بهبود می بخشد

به راحتی به طور موازی: استحکام انگل کم و توزیع جریان یکنواخت به اشتراک گذاری جریان خوب در پیکربندی های موازی چند دستگاه و ساده سازی طراحی اطمینان می دهد

درایو ساده: ولتاژ درایو 15 ولت توصیه می شود؛ سازگار با مدارهای درایو سنتی Si-MOSFET، حذف نیاز به طرح های پیچیده

چگالی قدرت بالا: بسته TOLL 26٪ کمتر از TO-263 ارائه می دهد؛ مشخصات بسیار نازک 2.3mm، مناسب برای منابع انرژی بسیار نازک

قابلیت اطمینان بالا: مقاومت در برابر دمای بالا 175 درجه سانتیگراد؛ درجه بندی MSL1، مناسب برای عملکرد پایدار طولانی مدت در کاربردهای صنعتی و سرور

IV. کاربردهای معمول

سرورهای AI / منابع برق مرکز داده: ±400V معماری HVDC BBU ( واحد پشتیبان باتری)

اینورترهای PV: اینورترهای رشته ای / مرکزی، مدار های تقویت MPPT

منابع برق صنعتی: SMPS فرکانس بالا، منابع برق جوش، منابع برق الکترواستات

ذخیره انرژی و UPS: تشکیل باتری، تبدیل کننده های ذخیره انرژی (PCS) ، UPS آنلاین

وسایل نقلیه انرژی جدید: شارژرهای داخل خودرو (OBC) ، تبدیل کننده های DC/DC

V. Mingjiada الکترونیک. تضمین عرضه.

Shenzhen Mingjiada Electronics متخصص در توزیع دستگاه های اصلی قدرت ROHM SiC است.

محصولات 100٪ اصلی: از طریق کانال های رسمی ROHM تهیه شده است؛ هیچ واحد تجدید شده یا جدید نیست

موجوديت موجود: SCT4013DLL و SCT4013DLLTRDC هميشه در موجوديت هستند، با تحویل سريع در عرض 1 روز

قیمت رقابتی: زنجیره تامین پایدار؛ پشتیبانی از سوالات عمده و ذخیره سازی طولانی مدت

تکمیل یک توقف سفارش: به طور همزمان طیف گسترده ای از ROHM SiC MOSFETs (به عنوان مثال SCT4013DR، SCT4013DE) ، دیود های SiC و ماژول های قدرت را تامین کنید