وبلاگ شرکت در مورد بازیافت MOSFET TI:N-Channel MOSFETs،P-Channel MOSFETs، بلوک های برق

بازیافت MOSFET TI:N-Channel MOSFETs،P-Channel MOSFETs، بلوک های برق

شرکت الکترونیک Shenzhen Mingjiada Co., Ltd.یکی از پیشروان خدمات بازیافت قطعات الکترونیکی در چین است که در بازیافت قطعات الکترونیکی تخصص دارد، از جمله: مدارهای یکپارچه، تراشه های 5G، مدارهای یکپارچه انرژی جدید,مدارهای یکپارچه اینترنت اشیا، IC بلوتوث، IC خودرو به همه چیز (V2X) ، IC درجه خودرو، IC ارتباطات، IC هوش مصنوعی، IC ذخیره سازی، IC سنسور، IC میکروکنترلر،IC های گیرنده، IC های اترنت، تراشه های وای فای، ماژول های ارتباطات بی سیم، کانکتورها و بیشتر با بینش حرفه ای بازار و یک شبکه فروش گسترده،ما به مشتریان رقابتی ترین قیمت های بازیافت را ارائه می دهیم و متعهد به تبدیل شدن به مورد اعتماد ترین شریک آنها در صنعت بازیافت قطعات الکترونیکی هستیم.

فرآیند بازیافت:

1. فهرست IC / ماژول اضافی خود را مرتب کنید ، مدل ، مارک ، تاریخ تولید و مقدار را شناسایی کنید.

2فهرست موجودی را از طریق فکس یا ایمیل به تیم ارزیابی ما بفرستید.

3. منتظر پيشنهاد مشتريات حرفه اي شرکت باشيد. بعد از رسيدن به توافق، هر دو طرف روش معامله خاص را براي تحویل مذاکره مي کنند.

4این شرکت تنها اجزای تهیه شده از کانال های رسمی مانند توزیع کنندگان، معامله گران و کارخانه های مصرف کننده نهایی را بازیافت می کند و اجزای غیر رسمی را قبول نمی کند.

NexFET TM MOSFET طیف گسترده ای از ماژول های قدرت کانال N و کانال P و همچنین راه حل های قدرت جداگانه را ارائه می دهد.چگالی قدرت بالاتراین مزایای انعطاف پذیری را برای طرح های کوچک فراهم می کنند و مهندسان طراحی را قادر می سازند تا زمان به بازار را کاهش دهند.

MOSFET کانال N

MOSFET های کانال N یک جزء کلیدی از خط تولید T Power Semiconductor هستند که مزایای مانند مقاومت کم و سرعت سوئیچ سریع را ارائه می دهند.

MOSFETهای کانال N TI عمدتا شامل انواع زیر هستند:

MOSFETهای N-channel ولتاژ پایین (<100V): مانند CSD17313Q2، CSD18532Q5B و غیره، مناسب برای مدیریت برق، رانندگان LED و سایر کاربردهای الکترونیک مصرفی.

MOSFETهای N-channel ولتاژ متوسط تا بالا (100V~600V): از جمله مدل هایی مانند CSD19536Q5A و CSD19535KCS، که معمولاً در محرک های موتور صنعتی، منبع تغذیه سوئیچ و سایر برنامه ها استفاده می شوند.

MOSFET های کانال N با ولتاژ فوق العاده بالا (>600V): عمدتاً در کاربردهای با قدرت بالا مانند تولید انرژی تجدید پذیر و ایستگاه های شارژ خودروهای الکتریکی استفاده می شود.

این MOSFET های N-channel از فناوری های پیشرفته فرآیند استفاده می کنند، مانند فناوری NexFET TM قدرت MOSFET TI، با ویژگی های بارگذاری گیت بهینه (Qg) و مقاومت کم (RDS ((on)) ،افزایش قابل توجهی در بهره وری سیستم.

MOSFETهای کانال P

MOSFET های P-channel معمولاً در طراحی مدار برای ساده سازی معماری های مدیریت برق استفاده می شوند. محصولات P-channel TI به دلیل عملکرد و قابلیت اطمینان بالایی شناخته شده اند.

MOSFETهای کانال TI شامل:

MOSFET های P-channel استاندارد: مانند مدل های CSD25404Q3 و CSD25402Q3، مناسب برای تغییر بار، مدیریت مسیر برق و سایر برنامه ها.

MOSFETهای P-channel درجه خودرو: محصولات سازگار با گواهینامه AEC-Q101، مانند CSD25401Q3A، مناسب برای سیستم های الکترونیکی خودرو.

MOSFETهای P-channel سیگنال کوچک: با استفاده از بسته های جمع و جور مانند SOT-23، این دستگاه ها برای دستگاه های قابل حمل و برنامه های کاربردی محدود به فضا طراحی شده اند.

MOSFETهای P-channel TI دارای شارژ پایین دروازه و ویژگی های دیود بدنی بهینه شده، کاهش تلفات سوئیچ و افزایش بهره وری کلی سیستم هستند.

بلوک های برق

بلوک های قدرت MOSFET ها، مدارهای راننده و توابع حفاظت را ادغام می کنند، مناسب برای برنامه هایی که نیاز به تراکم و کارایی قدرت بالا دارند.

مدل های کلیدی عبارتند از:

LMG3410R050: یک FET GaN 600V را با مدارهای راننده ادغام می کند، از تبدیل قدرت کارآمد پشتیبانی می کند، مناسب برای منابع برق سرور، مراکز داده و سیستم های برق صنعتی است.

LMG3522R030: ماژول قدرت 650V GaN با حفاظت از جریان بیش از حد و عملکردهای نظارت بر دمای، به طور گسترده ای در ایستگاه های شارژ خودروهای الکتریکی، اینورترهای خورشیدی،و سایر کاربردهای قدرت بالا.

ماژول های قدرت سنتی مبتنی بر سیلیکون: از جمله انواع کنورترهای DC-DC، ماژول های POL (Point-of-Load) و غیره

بلوک های برق TI از فناوری بسته بندی پیشرفته و طراحی مدیریت حرارتی برای افزایش چگالی قدرت و قابلیت اطمینان سیستم استفاده می کنند.