وبلاگ شرکت در مورد بازیافت ترانزیستورهای قدرت ST: IGBT ها، MOSFET های قدرت، PowerGaN، MOSFET های SiC

بازیافت ترانزیستورهای قدرت ST: IGBTها، MOSFETهای قدرت، PowerGaN، SiC MOSFETها

شرکت شنژن مینگجیادا الکترونیک، با مسئولیت محدود به عنوان یک ارائه دهنده خدمات پیشرو در زمینه بازیافت قطعات الکترونیکی در چین، از تخصص حرفه ای صنعت، شبکه بازیافت جهانی و فرآیندهای دفع مطابق با الزامات قانونی خود استفاده می کند تا خدمات بازیافت جامعی را برای محصولات مختلف قطعات الکترونیکی به انواع مشاغل ارائه دهد. این خدمات طیف گسترده ای از محصولات، از جمله مدارهای مجتمع، تراشه های 5G، ICهای انرژی جدید، ICهای IoT، ICهای بلوتوث، ICهای خودرو به هر چیز (V2X)، ICهای درجه خودرو، ICهای ارتباطی، ICهای هوش مصنوعی (AI)، ICهای ذخیره سازی، ICهای حسگر، ICهای میکروکنترلر، ICهای فرستنده و گیرنده، ICهای اترنت، تراشه های Wi-Fi، ماژول های ارتباط بی سیم، کانکتورها و موارد دیگر را پوشش می دهد. این به مشتریان کمک می کند تا موجودی خود را کاهش دهند، فضای ذخیره سازی را به حداقل برسانند و هزینه های ذخیره سازی و مدیریت را کاهش دهند.

فرآیند بازیافت:

اگر قطعات الکترونیکی موجودی دارید که نیاز به دور انداختن دارند، می توانید یک ایمیل برای ما ارسال کنید که در آن ICها/ماژول هایی را که می خواهید بفروشید فهرست کرده اید. شرکت ما کارکنان حرفه ای را به محل شما اعزام می کند تا یک بازرسی اولیه و طبقه بندی از قطعات الکترونیکی موجودی شما انجام دهند و بر اساس عواملی مانند نوع، کمیت و کیفیت قطعات بازیافتی، قیمت بازیافت مربوطه را ارائه می دهد. پس از توافق، می توان ترتیبات تحویل خاصی را مذاکره کرد.

【IGBTها】

ST مجموعه ای جامع از ترانزیستورهای دوقطبی گیت عایق (IGBT) را ارائه می دهد که از 300 تا 1700 ولت متغیر است و متعلق به خانواده STPOWER است.

بهترین تعادل بین تلفات هدایت و خاموش شدن

حداکثر دمای اتصال تا 175 درجه سانتیگراد

محدوده فرکانس سوئیچینگ گسترده

گزینه دیود ضد موازی بسته بندی شده برای بهبود اتلاف توان و مدیریت حرارتی بهینه.

برنامه های کاربردی

با ارائه یک تعادل بهینه بین عملکرد سوئیچینگ و رفتار در حالت روشن، IGBTهای ST برای بخش های صنعتی و خودرو (دارای گواهی AEC-Q101) در برنامه هایی مانند اینورترهای همه منظوره، کنترل موتور، لوازم خانگی، HVAC، UPS/SMPS، تجهیزات جوشکاری، گرمایش القایی، اینورترهای خورشیدی، اینورترهای کششی و شارژرهای داخلی و شارژرهای سریع مناسب هستند.

【MOSFETهای قدرت】

مجموعه MOSFETهای قدرت ST طیف گسترده ای از ولتاژهای شکست از -100 تا 1700 ولت را ارائه می دهد که بسته بندی پیشرفته را با بار گیت کم و مقاومت کم در حالت روشن ترکیب می کند. فناوری فرآیند ما راه حل های با راندمان بالا را از طریق هندلینگ توان پیشرفته با MOSFETهای قدرت ولتاژ بالا MDmesh و STMESH و MOSFETهای قدرت ولتاژ پایین STripFET تضمین می کند.

برنامه های کاربردی

منبع تغذیه سرور و مخابرات

میکرو اینورترها

شارژ سریع

خودرو

لوازم خانگی و حرفه ای

【PowerGaN】

ترانزیستورهای ST POWER GaN ترانزیستورهای بسیار کارآمدی هستند که بر اساس گالیم نیترید (GaN) ساخته شده اند، یک ترکیب شکاف باند نسبتاً جدید که ارزش افزوده واقعی را در راه حل های تبدیل توان ارائه می دهد.

چالش اصلی الکترونیک قدرت امروزه، رسیدگی به نیاز فزاینده برای بهبود راندمان و عملکرد توان و در عین حال، پیگیری مداوم کاهش هزینه و اندازه است.

معرفی فناوری گالیم نیترید (GaN) در این جهت حرکت می کند و با افزایش دسترسی تجاری آن، استفاده از آن در برنامه های تبدیل توان در حال افزایش است.

ترانزیستورهای قدرت GaN با داشتن یک شاخص برتری (FOM) بهتر، مقاومت در حالت روشن (RDS(on)) و شارژ گیت کل (QG) نسبت به همتایان سیلیکونی، همچنین قابلیت ولتاژ درین به سورس بالایی، شارژ بازیابی معکوس صفر (یا ناچیز در مورد دستگاه های آبشاری) و ظرفیت های ذاتی بسیار کم را ارائه می دهند. راه حل پیشرو برای بهبود راندمان در برنامه های تبدیل توان، فناوری GaN است که امکان برآورده کردن سختگیرانه ترین الزامات انرژی را همراه با چگالی توان بالاتر فراهم می کند، زیرا می تواند با فرکانس های بسیار بالاتر کار کند و در نتیجه اندازه سیستم را کاهش می دهد. ترانزیستورهای STPOWER GaN نشان دهنده یک پیشرفت واقعی در برنامه های صنعتی و خودرو برای راندمان و راه حل های فرکانس بالا هستند.

【SiC MOSFETها】

سیستم های کارآمدتر و فشرده تر از همیشه را با SiC MOSFETهای STPOWER ایجاد کنید

به لطف SiC MOSFETها، مزایای مواد شکاف باند گسترده (WBG) نوآورانه را به طراحی بعدی خود بیاورید. MOSFETهای کاربید سیلیکون ST با محدوده ولتاژ گسترده، از 650 تا 2200 ولت، یکی از پیشرفته ترین پلتفرم های فناوری را ارائه می دهند که عملکرد سوئیچینگ عالی را با مقاومت بسیار کم در حالت روشن در هر ناحیه ترکیب می کند.

ویژگی های اصلی SiC MOSFETهای ما عبارتند از:

دستگاه های دارای گواهی درجه خودرو (AG)

قابلیت تحمل دمای بسیار بالا (حداکثر TJ = 200 درجه سانتیگراد)

عملکرد فرکانس سوئیچینگ بسیار بالا و تلفات سوئیچینگ بسیار کم

مقاومت کم در حالت روشن

درایو گیت سازگار با ICهای موجود

دیود بدنه ذاتی بسیار سریع و قوی

مجموعه SiC MOSFET ما شامل بسته های پیشرفته (HiP247، H2PAK-7، TO-247 سرب های بلند، STPAK و HU3PAK) است که به طور خاص برای پاسخگویی به الزامات سختگیرانه برنامه های خودرو و صنعتی طراحی شده اند.