وبلاگ شرکت در مورد بازیافت بر روی محصول SiC: دیود های کربید سیلیکون، MOSFET های کربید سیلیکون، JFET های کربید سیلیکون

بازیافت بر روی محصول SiC: دیود های کربید سیلیکون، MOSFET های کربید سیلیکون، JFET های کربید سیلیکون

شركت الکترونيک شينزين مينگجيادابه عنوان یک ارائه دهنده خدمات بازیافت قطعات الکترونیکی پیشرو در صنعت، تمرکز بر ارائه خدمات بازیافت حرفه ای برای محصولات قطعات الکترونیکی برای مشتریان جهانی، از جمله IC IC،تراشه های 5G، IC های انرژی جدید، تراشه های IoT، تراشه های بلوتوث، تراشه های خودرو، AI ICs، Ethernet ICs، تراشه های حافظه، سنسورها و ماژول های IGBT.

فرآیند بازیافت:
اگر شما اجزای الکترونیکی موجود برای دفع دارید، می توانید موجودی IC / ماژول را برای فروش از طریق ایمیل ارسال کنید.شرکت ما متخصصین را به خانه شما می فرستد تا تست های اولیه و طبقه بندی موجودی قطعات الکترونیکی شما را انجام دهند، و با توجه به نوع قطعات بازیافت شده، مقدار، کیفیت و سایر عوامل برای دادن قیمت بازیافت مربوطه.ما ميتونيم روش هاي خاص معامله براي تحویل مذاکره کنيم.

1دیود سیلیکون کاربید (SiC Diode)
مدل نماینده: سری FFSHx065/120 (650V/1200V) ، FFSHx170 (1700V)
مشخصات فنی:
- صفر بار بازیافت معکوس (Qrr≈0nC) ، از دست دادن تغییر 80٪ کمتر از FRD های سیلیکون.
- تحمل دمای اتصال تا 175°C. از توپولوژی های سوئیچینگ سخت با فرکانس بالا (>100kHz) پشتیبانی می کند.
- سناریوی کاربرد:
- OBC وسایل نقلیه الکتریکی: مطابقت با معماری LLC پل کامل، بهره وری تا 97.5٪ (در مقابل 95٪ برای مبتنی بر Si).
- بهینه ساز PV: 3 برابر سریعتر ردیابی MPPT در سیستم 1500V.

2. سیلیکون کاربید MOSFET (SiC MOSFET)
محصولات پرچمدار: NVH4L015N170M1 (1700V/15mΩ) ، NVH4L040N120M1 (1200V/40mΩ)
-رويش نوآورانه:
- استفاده از تکنولوژی دو دریچه خندق، با مقاومت مخصوص روشنایی (Rsp) تا 2.5mΩ-cm2 (متوسط صنعت 3.8mΩ-cm2)
- سنسور دمای یکپارچه برای نظارت دقیق بر دمای اتصال ± 1 °C، افزایش عمر 30٪
-بازارهاي استراتژيک:
- سپر شارژر: از شارژ سریع 350 کیلو وات در پلت فرم 800 ولت با تراکم قدرت 50 کیلو وات / لیتر پشتیبانی می کند.
- واحد خدمات خدمات عمومی مرکز داده: گواهینامه بهره وری انرژی تیتانیوم (96٪ +) با PUE بهینه شده به 1.1.

3JFET کربید سیلیکون (SiC JFET)
مزاياي منحصر به فرد:
- طراحی به طور معمول بسته: مشکلات سازگاری درایو JFET سنتی را با جفت (Cascode) SiC JFET ها با MOSFET های مبتنی بر سیلیکون حل کنید.
- مقاومت در برابر تشعشعات: آستانه سوخت ذرات تک (LET) >100MeV-cm2/mg برای سیستم های انرژی ماهواره ای.
راه حل معمولی: سری JWSx065 (650V / 5A) برای محرک های موتور صنعتی با تحمل dv/dt تا 100V/ns.