وبلاگ شرکت در مورد بازیافت Nexperia GaN محصول: GaN دو جهت سوئیچ، GaN FETs

بازیافت Nexperia GaN محصول: GaN دو جهت سوئیچ، GaN FETs

شرکت الکترونیک Shenzhen Mingjiada Co., Ltd.یک شرکت پیشرو در بخش بازیافت قطعات الکترونیکی است که در بازیافت انواع قطعات الکترونیکی تخصص دارد.ما به مشتریان جهانی راه حل های موثر و سازگار برای دفع موجودی را ارائه می دهیم، به آنها کمک می کند تا به سرعت پول خود را به دست آورند و مدیریت انبار را بهینه کنند.

فرآیند بازیافت

جزئیات را ارسال کنید: به سادگی جزئیات تخته های ارزیابی Lattice را که باید بازیافت شوند، از طریق ایمیل یا تلفن، از جمله شماره مدل، مقدار، وضعیت و عکس ها ارائه دهید.

نقل قول دقیق: تیم متخصص ما معمولاً ارزیابی را تکمیل می کند و یک نقل قول رقابتی را در عرض 12 تا 24 ساعت ارائه می دهد.

مدیریت امن: ما یک سرویس رایگان دروازه به دروازه در سراسر کشور را ارائه می دهیم که چندین شهر را پوشش می دهد، یا خدمات لجستیکی جهانی بیمه شده را از طریق حمل کنندگان مانند DHL،UPS و SF Express برای تضمین حمل و نقل امن.

پرداخت پس از بازرسی: هنگامی که کالاها از بازرسی عبور کرده اند، ما تضمین می کنیم که پرداخت کامل در عرض 24 ساعت،پشتیبانی از روش های مختلف پرداخت از جمله انتقال بانکی و پول نقد با چرخه پرداخت به طور قابل توجهی کوتاه تر از میانگین صنعت.

I. Nexperia GaN سوئیچ دو جهت

سوئیچ دو طرفه Nexperia GaN یک دستگاه قدرت نوآورانه است که به طور خاص برای برنامه های کنترل جریان دو طرفه و مسدود کردن ولتاژ دو طرفه توسعه یافته است. It revolutionises the traditional bidirectional circuit design—which involves ‘two silicon MOSFETs connected back-to-back in series’—by leveraging the inherent properties of GaN to achieve native bidirectional conduction and voltage withstand capabilitiesاین امر معماری سیستم را به طور قابل توجهی ساده می کند، هزینه های قطعات و اثر PCB را کاهش می دهد و آن را به یک جزء ارتقاء اصلی برای مدیریت باتری، تغییر بار و حفاظت از مدار تبدیل می کند.

1تکنولوژی های اصلی و مزایای محصول

در مقایسه با راه حل های مدار دو طرفه سنتی مبتنی بر سیلیکون، سوئیچ های دو طرفه GaN Nexperia مزایای عملکرد جامع را ارائه می دهند.دستگاه ها دارای ویژگی های الکتریکی دو طرفه بومی هستند.، که امکان هدایت جریان دو طرفه و مسدود کردن ولتاژ را بدون نیاز به MOSFET های تطبیقی فراهم می کند.این به طور کامل از بین می رود مسائل مربوط به دستگاه مطابقت خطاها و تجمع پارامترهای انگل همراه با پیکربندی های سری سنتیدوم، با استفاده از تحرک الکترونی بالا GaN، دستگاه ها دارای مقاومت بسیار کم (Rds ((on)) و از دست دادن هدایت بسیار کم هستند.کاهش موثر افزایش دمای کار و کاهش نیازهای مدیریت حرارتی سیستم.

علاوه بر این، این سری از سوئیچ ها زمان پاسخ سوئیچ بسیار سریع را ارائه می دهند، با ازای بسیار کمتر از دستگاه های مبتنی بر سیلیکون در شرایط عملکرد فرکانس بالا.این پشتیبانی از طرح های تبدیل قدرت فرکانس بالا، کمک به افزایش تراکم قدرت و کاهش اندازه کلی تجهیزات. دستگاه ها دارای یکپارچگی بسیار بالا هستند، با یک تراشه واحد جایگزین معماری دو MOSFET،کاهش مستقیم تعداد اجزای، ساده سازی طرح PCB و کاهش هزینه های تولید و مونتاژ و همچنین احتمال شکست مدار.محصولات دارای ثبات حرارتی عالی و ایمنی در برابر تداخل هستند، با طیف گسترده ای از دماهای عملیاتی، آنها را برای کاربردهای صنعتی و خودرو مناسب می کند، در حالی که نیازهای RoHS، سرب و رعایت محیط زیست REACH را برآورده می کند.

2مدل های کلیدی محصول و ویژگی های مشخصات

Nexperia توسعه محصولات سوئیچ دو طرفه GaN ولتاژ پایین را اولویت بندی کرده است، با مدل پرچمدار GANB4R8-040CBA که به عنوان یک دستگاه معیار برای فشرده سازی،برنامه های کاربردی با عملکرد بالااین دستگاه دارای ولتاژ 40 ولت، مقاومت معمولی فقط 4.8 mΩ و از دست دادن مقاومت بسیار کم است؛ با استفاده از یک طراحی حالت تقویت به طور معمول با حالت خاموش پیش فرض،آن را ارائه می دهد امنیت مدار افزایش یافته و مناسب برای طیف گسترده ای از برنامه های کاربردی کنترل سوئیچدستگاه در یک بسته شیپ مقیاس 2.1mm × 2.1mm سطح وفر (WLCSP) قرار دارد.که فضای مورد نیاز را به حداقل می رساند و آن را برای کاربردهای محدود فضایی مانند الکترونیک مصرفی قابل حمل و دستگاه های ذخیره سازی انرژی در مقیاس کوچک مناسب می کند.

3سناریوهای کلیدی کاربرد

سوئیچ های دو طرفه GaN Nexperia به طور دقیق برای طیف گسترده ای از سناریوهای کنترل قدرت دو طرفه طراحی شده اند، با کاربردهای اصلی در سه زمینه اصلی.سیستم های مدیریت باتری (BMS)، برای کنترل دو طرفه شارژ و تخلیه باتری لیتیوم یون و همچنین محافظت از اتصال معکوس استفاده می شود؛ این ها جایگزین مدارهای حفاظت دوگانه MOSFET سنتی هستند،ساده سازی طراحی در حالی که سرعت پاسخ حفاظت را افزایش می دهددوم، سوئیچ های بار هوشمند، که برای کنترل دو طرفه در دستگاه های قابل حمل، برنامه های خانگی هوشمند و بار های صنعتی کوچک استفاده می شود، امکان تغییر کم مصرف را فراهم می کند.استفاده از محافظ برعکس مدار و محدودیت جریان، مناسب برای ماژول های ذخیره انرژی ولتاژ پایین، دستگاه های پوشیدنی و مدارهای ولتاژ پایین خودرو، ارائه حفاظت از مدار و تنظیم قدرت کارآمد و پایدار.

II. ترانزیستورهای اثر میدان GaN Nexperia (GaN FETs)

ترانزیستورهای اثر میدان Nexperia GaN دستگاه های جهانی دو طرفه برای تغییر قدرت هستند که بر اساس فناوری GaN HEMT ساخته شده اند. آنها به دو معماری فنی اصلی طبقه بندی می شوند:حالت افزایشی (E-mode) و کد Cascode منبع مشترک (Cascode)، پوشش طیف گسترده ای از ولتاژ از ولتاژ پایین (< 80V) ، ولتاژ متوسط (80 ′′ 200V) ، ولتاژ بالا (650 V) را پوشش می دهد. آنها با طیف گسترده ای از کاربردهای قدرت بالا و پایین کاملا سازگار هستند،از جمله لوازم الکترونیکی مصرفی، منابع برق صنعتی، محاسبات سرور، انرژی های تجدید پذیر فتوولتائیک و منابع برق مخابرات،و اجزای کلیدی برای جایگزینی MOSFETهای سیلیکونی سنتی و افزایش کارایی تامین برق و تراکم برق هستند.

1معماری فنی اصلی و مزایا

GaN FETs Nexperia® ترکیبی از فناوری اختصاصی GaN HEMT ولتاژ بالا با فرآیندهای MOSFET سیلیکون ولتاژ پایین بالغ است که عملکرد بالا و قابلیت اطمینان بالا را ارائه می دهد.کل طیف محصول از یک طراحی حالت افزایش به طور معمول خاموش استفاده می کند، از بین بردن خطر نشت جریان در حالت فعال. این امر کنترل ساده مدار و ایمنی بالا را تضمین می کند، در حالی که با منطق محرک سنتی سیلیکون MOSFET سازگار است.که امکان تعویض و ارتقاء بدون نیاز به اصلاحات قابل توجهی در مدار را فراهم می کند.

دستگاه ها از دست دادن های بسیار کم در جریان دینامیکی و معکوس و عملکرد سوئیچ نرم پیشرو در صنعت برخوردارند.آنها به طور موثر از دست دادن سوئیچ را در شرایط عملکرد فرکانس بالا کاهش می دهند، که کارایی تبدیل قدرت را تا 99 درصد یا بیشتر امکان پذیر می کند. علاوه بر این، آنها طیف گسترده ای از ولتاژ درایو دروازه (0 ¥ 12 V) را ارائه می دهند.طراحی های ساده و متنوع درایو را که با آی سی های اصلی درایور منبع برق سازگار هستند، امکان پذیر می کند.، در نتیجه کاهش هزینه های تحقیق و توسعه و عیب یابی. طیف محصول در انواع بسته های مختلف، از جمله گزینه های اصلی مانند DFN، TO-247, TOLL و CCPAK، در دسترس است.برای نیازهای برنامه های کاربردی کوچک مصرف کننده و برنامه های کاربردی صنعتی با قدرت بالاعلاوه بر این، با پارامترهای بسیار کم انگل، سرعت سوئیچ سریعتر و کاهش تداخل الکترومغناطیسی، این دستگاه ها طراحی های فشرده و فرکانس بالا را تسهیل می کنند.

2پورتفولیوی کامل محصولات و مدل های کلیدی

نمونه محصولات GaN FET Nexperia به طیف گسترده ای از برنامه های ولتاژ و قدرت می پردازد که به سه گروه اصلی محصول طبقه بندی شده است.مدل های اصلی تولید انبوه عملکرد برجسته و سازگاری استثنایی را ارائه می دهند.

(1) GaN FETهای ولتاژ بالا کلاس 650V

طراحی شده است عمدتا برای متوسط به قدرت بالا صنعتی و انرژی جدید برنامه های کاربردی، مدل های اصلی شامل GAN140-650EBE، GANC035-650VSH و GAN039-650NBB.GAN140-650EBE از یک بسته DFN 8mm × 8mm با مقاومت روشن شدن 140mΩ استفاده می کند؛ این قابلیت انعطاف پذیری بالایی را ارائه می دهد و برای طیف گسترده ای از تجهیزات تبدیل ولتاژ متوسط تا بالا مناسب است؛GANC035-650VSH از یک بسته TO-247-4 با قدرت بالا با مقاومت 35 mΩ استفاده می کند، قادر به مدیریت شرایط عملیاتی جریان بالا و مناسب برای منابع برق صنعتی و مایکرو اینورترهای خورشیدی؛ GAN039-650NBB از یک بسته CCPAK1212 استفاده می کند،با ارائه یک فاکتور فرم فشرده و از دست دادن بسیار کم، که آن را مناسب برای طراحی منبع برق ولتاژ بالا با چگالی بالا می کند.

(2) GaN FET های ولتاژ متوسط و پایین

پوشش برنامه های ولتاژ پایین تا 80 ولت، این در درجه اول در مورد الکترونیک مصرفی، شارژ سریع و سناریوهای ذخیره سازی انرژی در مقیاس کوچک هدف قرار می گیرد.با تشکر از مقاومت بسیار کم و سرعت سوئیچ بسیار سریع، آنها به طور گسترده ای در دستگاه هایی مانند شارژرهای سریع تلفن همراه، آداپتورها و بانک های برق قابل حمل استفاده می شوند، به طور موثر کارایی شارژ را بهبود می بخشند.کاهش اندازه شارژر و امکان ارتقاء محصولات که قدرت بالایی را در یک عامل فرم فشرده ارائه می دهند.

3سناریوهای کاربردی اصلی

Nexperia GaN FET ها، با پوشش ولتاژ کامل، ویژگی های کم و بالا از دست دادن، و قابلیت اطمینان بالا، برای کاربردهای اصلی در صنایع مختلف مناسب هستند.در بخش الکترونیک مصرفی، آنها در شارژرهای سریع GaN با قدرت بالا، آداپتورهای برق و دستگاه های ذخیره سازی انرژی قابل حمل برای دستیابی به کوچک سازی و شارژ کارآمد استفاده می شوند؛ در بخش های کامپیوتر و سرور،آنها در منابع برق سرورها و ماژول های برق مرکز داده استفاده می شونددر بخش های صنعتی و انرژی جدید،در منابع برق سوئیچینگ صنعتی استفاده می شوند، فتوولتائیک مایکرو اینورترها، محرک های موتور و منابع برق کمکی برای نقاط شارژ؛ در بخش ارتباطات،آنها در ماژول های تغذیه ایستگاه پایه 5G و منابع تغذیه ارتباطات استفاده می شوند.، که نیازهای عملیاتی برای فرکانس بالا، ثبات بالا و عمر طولانی را برآورده می کند.

۳- تفاوت های کلیدی بین دو دسته محصول و توصیه های انتخاب

سوئیچ های دو طرفه GaN و ترانزیستورهای اثر میدان GaN Nexperia به وضوح قرار گرفته و یکدیگر را تکمیل می کنند، که امکان انتخاب دقیق بر اساس سناریوی برنامه را فراهم می کند.سوئیچ های دو طرفه GaN برای کنترل دو طرفه ولتاژ پایین و ساده سازی مدار طراحی شده اند· مزیت اصلی آنها در جایگزینی دو MOSFET با یک تراشه واحد است. آنها برای کاربردهایی مانند محافظت از شارژ / تخلیه باتری مناسب هستند.جابجایی بار دو طرفه و محافظت عقب از ولتاژ پایین، با اولویت بندی ساده بودن مدار و حداقل اثر پا. GaN FET ها برای تبدیل یک طرفه قدرت فرکانس بالا و کاربردهای قدرت تمام ولتاژ طراحی شده اند.که محدوده ای از ولتاژ پایین تا بالا و از قدرت پایین تا بالا را پوشش می دهدآنها برای انواع اینورترهای منبع برق، تنظیم کننده ها و کاربردهای تبدیل قدرت مناسب هستند، با اولویت بهره وری بالا، تراکم قدرت بالا و سازگاری شرایط عملیاتی گسترده.