وبلاگ شرکت در مورد در ماژول کربید سیلیکون نیمه هادی NXH007F120M3F2PTHG EliteSiC، 7 Ohm SiC M3S MOSFET، 1200 V

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd بازیافت طولانی مدت در ماژول کربید سیلیکون نیمه هادی NXH007F120M3F2PTHG EliteSiC، 7 Ohm SiC M3S MOSFET، 1200 V، 4 بسته توپولوژی پل کامل،بسته F2

مقدمه

NXH007P120M3F2PTHG یک ماژول منبع برق در یک بسته F2 است که شامل یک پل کامل 7 mohm / 1200 V SiC MOSFET و ترمیستور با HPS DBC است.سوئیچ های SiC MOSFET توسط دروازه های 18V-20V با استفاده از فناوری M3S هدایت می شوند.

ویژگی ها

FOM فوق العاده [ = Rdson * Eoss ]

15 ولت تا 18 ولت دروازه

7 اوم / 1200 ولت M3S SiC MOSFET پل کامل

درخواست ها

تبدیل DC به AC

تبدیل DC-DC

تبدیل AC به DC

NXH007F120M3F2PTHG نقشه

image.png

این شرکت فقط منابع کانال معمولی را بازیافت می کند، مانند نمایندگان، معامله گران، کارخانه های ترمینال و غیره. ما منابع غیر کانال معمولی را قبول نمی کنیم.

اگر شما موجودی اضافی برای دفع دارید، لطفاً لیست موجودی خود را به chen13410018555@163.com بفرستید یا برای بحث با ما تماس بگیرید.

شخص تماس: آقای چن

شماره تلفن همراه: +86 13410018555

ایمیل: sales@hkmjd.com

وب سایت شرکت:www.hkmjd.com