وبلاگ شرکت در مورد مینگجیادا سپری اینفینیون F-RAM رم فلزی، سپری حافظه سریالی F-RAM، حافظه موازی F-RAM

مینگجیادا سپری اینفینیون F-RAM رم فلزی، سپری حافظه سریالی F-RAM، حافظه موازی F-RAM

شرکت الکترونیک Shenzhen Mingjiada Co., Ltd. ✓ یک تامین کننده طولانی مدت از طیف گسترده ای از محصولات حافظه Infineon، از جمله سریال RAM ferroelectric (F-RAM) و RAM ferroelectric موازی (F-RAM).این دستگاه ها قابلیت های خواندن / نوشتن سریع RAM را با عدم نوسان ROM ترکیب می کنندمزایای اصلی آنها در سرعت نوشتن بالا، مصرف انرژی بسیار کم و مقاومت خواندن / نوشتن تقریباً نامحدود است.Mingjiada Electronics سهام مدل های اصلی را حفظ می کند و از نمونه های دسته کوچک و سفارشات حجم بزرگ پشتیبانی می کندبا پشتیبانی از یک سیستم لجستیکی کارآمد، ما تحویل سریع محصولات را تضمین می کنیم.

F-RAM (فیرولکتریک حافظه دسترسی تصادفی یا FeRAM)یک حافظه مستقل غیر ناپایدار است که بلافاصله داده های حیاتی را در صورت قطع برق به دست می آورد و حفظ می کند. این به طور ایده آل برای برنامه های ثبت داده های مهم مناسب است،مانند کنترل کننده های منطقی قابل برنامه ریزی با عملکرد بالا (PLC) که نیاز به قابلیت اطمینان بالا دارند، کنترل و خروجی، یا دستگاه های نظارت بر بیمار طراحی شده برای بهبود کیفیت زندگی.

Mingjiada Electronics دستگاه های حافظه فرو الکتریکی سری F-RAM Infineon را عرضه می کند:
FM25V02A-G: 256 کیلو بایت (32K × 8) سریال RAM ferroelectric (F-RAM) با یک رابط SPI که در حداکثر 40 MHz کار می کند.

FM25V05-G: 512 کیلو بایت (64K × 8) سریال F-RAM با حافظه بسیار با دوام غیر ناپایدار، کار در 2.0 V تا 3.6 V، با محدوده دمایی از 40 °C تا + 85 °C، یک سرعت بس SPI تا 40 MHz،و پشتیبانی از حالت های 0 و 3.

FM25V10-G: حافظه F-RAM سریال 1 مگابیت (128K × 8) با رابط SPI، کار در 2.0 ولت تا 3.6 ولت، پشتیبانی از سرعت ساعت SPI تا 40 مگاهرتز، با NoDelay TM برای ذخیره سازی داده های فوری.

FM25V20A-DG: حافظه سریال F-RAM 2Mbit (256K × 8) ، با استفاده از فناوری پیشرفته فارو الکتریکی ، با ولتاژ عملیاتی 2.0V تا 3.6V و محدوده دمایی 40 °C تا + 85 °C.پشتیبانی از رابط SPI با حداکثر سرعت 40 MHz و NoDelay TM نوشتن سرعت اتوبوس.

FM25V20A-DGQ: حافظه سریال F-RAM 2 مگابیت (256K × 8) با قابلیت افزایش دمای، کار در 2.0 ولت تا 3.6 ولت، با قابلیت نوشتن سریع NoDelay TM و سرعت SPI تا 33 MHz (Modes 0/3)مناسب برای استفاده مکرر، کاربردهای ذخیره سازی غیر قابل فرار با سرعت بالا در بخش های صنعتی و پزشکی

FM25V20A-G: حافظه سریال F-RAM 2 مگابیت (256 K × 8) ، کار در 2.0 ولت تا 3.6 ولت، با محدوده دمایی از 40 °C تا + 85 °C؛ دارای یک رابط SPI حداکثر 40 MHz برای نوشتن سریع و بدون تاخیر،مناسب برای کاربردهایی که نیاز به نوشتن مکرر یا سریع دارند، مانند کنترل صنعتی و جمع آوری داده ها.

FM1808B-SG: 256 کیوبیت (32 K × 8) RAM فرارو الکتریکی موازی (F-RAM) در یک بسته SOIC 28 پین، سازگار با SRAM و EEPROM. ولتاژ عملیاتی: 4.5 V تا 5.5 V؛ محدوده دمایی: 40 °C تا + 85 °C.

FM18W08-SG: 256 Kbit (32 K × 8) باایت عرض حافظه دسترسی تصادفی فارو الکتریکی (F-RAM) ، کار در 2.7V تا 5.5V و در محدوده دمایی 40°C تا +85°C،مناسب برای نوشتن فرکانس بالا و کاربردهای با قابلیت اطمینان بالا مانند صنعتی، ابزار و ثبت اطلاعات.

راه حل های حافظه F-RAM اینفینیون طیف وسیعی از ویژگی ها را ارائه می دهند، از جمله:
NoDelay TM Write داده ها را به سلول های حافظه با سرعت اتوبوس بدون هیچ زمان تنظیم می نویسد
محصولات حافظه فیرو الکتریکی بسیار با دوام هستند، با بیش از 100 تریلیون چرخه نوشتن، آنها را با دوام تر از حافظه دروازه شناور می کنند.
مصرف برق بسیار کم، 200 برابر کمتر از EEPROM و 3000 برابر کمتر از NOR فلاش مصرف می کند.
مقاومت در برابر تشعشعات، تحت تاثیر خطاهای نرم ناشی از تشعشعات که باعث تغییر بیت می شود.

برای اطلاعات بیشتر در مورد محصولات F-RAM حافظه آهن الکتریکی [Infineon] و یا برای پرسیدن در مورد قیمت نمونه، لطفا به وب سایت Mingjiada Electronics مراجعه کنید (https://www.integrated-ic.com/) برای جزئیات بیشتر عرضه.