وبلاگ شرکت در مورد ?

شرکت الکترونیک Shenzhen Mingjiada Co., Ltd.عرضه کننده ی [Infineon] SRAM (Static Random-Access Memory) ، شامل CY7C25632 و CY7C25652 72Mbit QDR® II+ SRAM synchronous SRAM devices featuring a four-byte burst architecture.Mingjiada Electronics سهام مدل های اصلی را حفظ می کند و از نمونه های دسته کوچک و سفارشات حجم بزرگ پشتیبانی می کندبا تکیه بر یک سیستم لجستیکی کارآمد، ما تحویل سریع محصول را تضمین می کنیم.

[Infineon] CY7C25632 CY7C25652 72 مگابیت حافظه QDR® II+ SRAM

1. جزئیات: CY7C25632KV18 و CY7C25652KV18 SRAMهای 1.8V همگام لوله کشی شده با استفاده از معماری QDR II+ هستند.معماری QDR II+ شامل دو پورت مستقل است.: a read port and a write port for accessing the memory array. پورت خواندن دارای پین های خروجی داده اختصاصی برای پشتیبانی از عملیات خواندن است.در حالی که پورت نوشتن دارای پین های ورودی داده های اختصاصی برای پشتیبانی از عملیات نوشتن است..

2تنظیمات:

تاخیر چرخه خواندن 2.5 چرخه

CY7C25632KV18 × 4M × 18

CY7C25652KV18 × 2M × 36

3ویژگی های کلیدی:

فرکانس ساعت 550 مگاهرتز برای پهنای باند بالا

نسخه های موجود با تاخیر چرخه خواندن 2.5 چرخه ساعت

موجود در پیکربندی های ×18 و ×36

هماهنگی کامل داده ها، فراهم کردن آخرین داده ها

Core VDD = 1.8 V ± 0.1 V؛ I/O VDDQ = 1.4 V به VDD

از ولتاژ های 1.5 و 1.8 ولتاژ I/O پشتیبانی می کند

HSTL inputs and variable-drive HSTL output buffers (مورد های ورودی و خروجی HSTL)

در یک بسته 165-ball FBGA (13 × 15 × 1.4 mm) موجود است

مدل های انتخاب شده توسط Mingjiada Electronics:

CY7C25632KV18-550BZC

CY7C25652KV18-550BZXC

CY7C25632KV18-550BZXI

CY7C25652KV18-550BZXI

CY7C25632KV18-500BZC

CY7C25652KV18-500BZC

CY7C25652KV18-500BZI

CY7C25632KV18-500BZXC

CY7C25652KV18-500BZXC

CY7C25632KV18-500BZXI

CY7C25632KV18-450BZC

CY7C25652KV18-450BZI

CY7C25652KV18-450BZXC

CY7C25632KV18-450BZXI

CY7C25632KV18-400BZC

CY7C25652KV18-400BZC

CY7C25652KV18-400BZI

CY7C25652KV18-400BZXC

CY7C25632KV18-400BZXI

CY7C25652KV18-400BZXI

برای اطلاعات بیشتر در مورد [Infineon] CY7C25632https://www.integrated-ic.com/) برای جزئیات بیشتر عرضه.