مینگجیادا تامین کننده حافظه SRAM همزمان QDR® II Infineon CY7C1510، CY7C1525، CY7C1512 و CY7C1514
شرکت الکترونیک شنزن مینگجیادا — متخصص در حافظه SRAM همزمان QDR® II Infineon؛ ما طیف کاملی از دستگاههای حافظه دسترسی تصادفی ایستا CY7C1510، CY7C1525، CY7C1512 و CY7C1514 را موجود داریم که از خرید نمونه و سفارشات عمده پشتیبانی میکنند و برای کاربردهای حافظه پنهان ارتباطات پرسرعت مناسب هستند.
[Infineon] SRAM همزمان QDR® II
1. جزئیات: CY7C1510KV18، CY7C1525KV18، CY7C1512KV18 و CY7C1514KV18 همگی SRAMهای پایپلاین همزمان 1.8 ولتی با معماری QDR II هستند. معماری QDR II شامل دو پورت مجزا است: یک پورت خواندن و یک پورت نوشتن برای دسترسی به آرایه حافظه. پورت خواندن دارای خروجی داده اختصاصی برای پشتیبانی از عملیات خواندن است، در حالی که پورت نوشتن دارای ورودی داده اختصاصی برای پشتیبانی از عملیات نوشتن است.
2. پیکربندی:
- CY7C1510KV18: 18 مگابیت، 1 مگابایت × 18 بیت
- CY7C1525KV18: 72 مگابیت، 2 مگابایت × 36 بیت
- CY7C1512KV18: 36 مگابیت، 2 مگابایت × 18 بیت
- CY7C1514KV18: 72 مگابیت، 4 مگابایت × 18 بیت
3. ویژگیهای کلیدی:
پورتهای داده خواندن و نوشتن مجزا و مستقل
پشتیبانی از تراکنشهای همزمان
کلاک 350 مگاهرتز، امکان انتقال داده با پهنای باند بالا
تمام دسترسیها به صورت بستههای 2 کلمهای هستند
رابطهای نرخ داده دوگانه (DDR) در هر دو پورت خواندن و نوشتن، امکان نرخ انتقال داده 700 مگاهرتز در 350 مگاهرتز را فراهم میکنند
دو کلاک ورودی (K و K) برای فعال کردن زمانبندی دقیق DDR
در پیکربندیهای ×8، ×9، ×18 و ×36 موجود است.
انسجام کامل داده، اطمینان از ارائه آخرین دادهها
VDD هسته = 1.8 ولت (±0.1 ولت)؛ VDDQ ورودی/خروجی = 1.4 ولت تا VDD
پشتیبانی از منابع تغذیه ورودی/خروجی 1.5 ولت و 1.8 ولت
بافرهای خروجی HSTL با قابلیت درایو قابل تنظیم
الکترونیک مینگجیادا حافظه SRAM همزمان QDR® II [Infineon] را تامین میکند، از جمله اما نه محدود به موارد زیر:
CY7C1512KV18-350BZC
CY7C1512KV18-333BZC
CY7C1514KV18-333BZC
CY7C1525KV18-333BZXC
CY7C1512KV18-333BZXC
CY7C1514KV18-333BZXC
CY7C1512KV18-333BZI
CY7C1514KV18-333BZI
CY7C1512KV18-333BZXI
CY7C1514KV18-333BZXI
CY7C1525KV18-300BZC
CY7C1512KV18-300BZC
CY7C1514KV18-300BZC
CY7C1525KV18-300BZXC
CY7C1512KV18-300BZXC
CY7C1514KV18-300BZXC
CY7C1512KV18-300BZI
CY7C1514KV18-300BZI
CY7C1512KV18-300BZXI
CY7C1514KV18-300BZXI
CY7C1525KV18-250BZC
CY7C1512KV18-250BZC
CY7C1514KV18-250BZC
CY7C1525KV18-250BZXC
CY7C1512KV18-250BZXC
CY7C1514KV18-250BZXC
CY7C1512KV18-250BZI
CY7C1514KV18-250BZI
CY7C1525KV18-250BZXI
CY7C1512KV18-250BZXI
CY7C1514KV18-250BZXI
برای اطلاعات بیشتر در مورد حافظه SRAM همزمان QDR® II Infineon CY7C1510، CY7C1525، CY7C1512، CY7C1514، یا برای درخواست نمونه، لطفاً از وبسایت الکترونیک مینگجیادا (https://www.integrated-ic.com/) برای جزئیات بیشتر تامین دیدن فرمایید.
تماس با شخص: Mr. Sales Manager
تلفن: 86-13410018555
فکس: 86-0755-83957753