وبلاگ شرکت در مورد مینگجیادا عرضه بزرگ Infineon IMZC120R007 سیلیکون کربید MOSFETs: 1200V / 7mΩ، بسته TO-247-4، عرضه موجود در شنژن

شرکت الکترونیک Shenzhen Mingjiada Co., Ltd.(Mingjiada Electronics) به عنوان یک توزیع کننده حرفه ای اجزای الکترونیکی در انبار، مدت ها است که MOSFETهای کربید سیلیکون (SiC) سری Infineon CoolSiCTM را عرضه می کند.IMZC120R007(شماره کامل مدل:IMZC120R007M2H) یکی از محصولات پرچمدار پلت فرم تکنولوژی CoolSiC TM نسل دوم Infineon است.حمایت از تحویل سریع برای نمونه های دسته کوچک و تولید حجم بزرگ، ارائه راه حل های نیمه هادی قدرت کارآمد و قابل اعتماد به مشتریان.

I. کلیۀ محصولات

درIMZC120R007یک MOSFET قدرت 1200V کربید سیلیکون (SiC) است که توسط Infineon Technologies عرضه شده است و متعلق به سری CoolSiCTM G2 (نسل دوم) است.استفاده از تکنولوژی پیشرفته خندق دروازه و استفاده از تخصص گسترده Infineon در زمینه SiC، این دستگاه به مقاومت بسیار پایین (RDS ((on)) و سرعت سوئیچ بسیار بالا می رسد و در عین حال ثبات و قابلیت اطمینان عالی در دمای بالا را ارائه می دهد.

این مدل از یک بسته پین TO-247-4 (منبع کلوین چهار پین) استفاده می کند ، که در مقایسه با بسته های سنتی سه پین ، باعث کاهش قابل توجهی در محرک مداری می شود.به طور قابل توجهی عملکرد سوئیچ را بهبود می بخشد، و از دست دادن سوئیچ را کاهش می دهد، که آن را به ویژه برای فرکانس بالا، کاربردهای تبدیل قدرت با کارایی بالا مناسب می کند.استفاده از شبکه جهانی خرید و مرکز توزیع شنجه، مينگجيادا الکترونيک ها در دسترس بودن مواد اصلي را تضمین مي کنندIMZC120R007دستگاه های موجود در انبار برای پاسخگویی به نیازهای مختلف کاربردهای صنعتی و خودرو.

II. ویژگی ها و مزایا کلیدی

مقاومت فوق العاده کم: ارزش معمولی 7 mΩ (RDS ((on)) ، با حداکثر 9 mΩ (در 25 °C) ، به طور قابل توجهی کاهش زیان رسانایی و بهبود بهره وری سیستم

ولتاژ بلوکی بالا: 1200 ولت VDS، که با الزامات بار بس ولتاژ بالا مطابقت دارد و برای وسایل نقلیه الکتریکی 800 ولت و سیستم های خورشیدی مناسب است

از دست دادن کم سوئیچینگ: با توجه به ویژگی های فوق العاده فرکانس بالای مواد SiC، از دست دادن سوئیچینگ بسیار کمتر از IGBT های مبتنی بر سیلیکون با مشخصات معادل است.امکان استفاده از فرکانس های سوئیچ بالاتر (تا چند صد کیلوهرتز) و کاهش اندازه اجزای منفعل

طیف گسترده ای از دماهای عملیاتی: دمای تقاطع تا 175 °C، پاسخگویی به الزامات قابلیت اطمینان طولانی مدت در محیط های خشن

بسته TO-247-4: پین منبع کلوین باعث از بین رفتن استحکام منبع مشترک در مدار درایو می شود و امکان انتقال سریع تر و زنگ کمتر را فراهم می کند و در نتیجه قابلیت اطمینان درایو دروازه را بهبود می بخشد

دیود بدن یکپارچه: دارای بار بازیافت معکوس کم (Qrr) ،امکان هدایت معکوس بدون ضرر بدون نیاز به دیود آزاد چرخ خارجی (مناسب برای توپولوژی های اصلاح هم زمان)

مقاومت بالا در برابر برف باری: مقاومت قوی در برابر برف باری را ارائه می دهد و پایداری سیستم را افزایش می دهد

سازگار با ولتاژ های استاندارد دروازه: از ولتاژ 0 ولت تا 18 ولت دروازه پشتیبانی می کند (ولتاژ روشن شدن توصیه شده 15 ولت است) ، اطمینان از سازگاری با رانندگان موجود

با استاندارد خودرو AEC-Q101 مطابقت دارد (برای مدل های خودرو) یا با الزامات قابلیت اطمینان صنعتی مطابقت دارد

III. مشخصات دقیق

مشخصات فنی اصلی IMZC120R007 (IMZC120R007M2H) عبارتند از:

نوع محصول: سیلیکون کاربید MOSFET

بسته / مسکن: PG-TO247-4-U07

تعداد کانال ها: 1 کانال

ولتاژ Vds ️ ولتاژ قطع منبع تخلیه: 1.2 kV

Id جریان تخلیه مداوم: 201 A

Rds On منبع تخلیه در مقاومت: 20 mOhms

ولتاژ دروازه: -10 ولت، +25 ولت

ولتاژ Vgs th ️ ولتاژ آستانه دروازه-منبع: 5.1 V

Qg

حداقل دمای کار: -55 °C

حداکثر دمای کار: +175 °C

Pd پراکندگی برق: 711 وات

نام تجاری: CoolSiC

پیکربندی: ارتقا

زمان سقوط: 33.6 ns

ترانسکندکتانس جلو: حداقل: 60 ثانیه

زمان بالا رفتن: 21.5 ns

سری: CoolSiC G2

قطبیت ترانزیستور: کانال N

نوع ترانزیستور: 1 کانال N

نوع: SiC MOSFET

تاخیر معمولی خاموش شدن: 76.3 ns

تاخیر معمول روشن شدن: 32.4 ns

IV. کاربردهای معمول

با عملکرد برجسته 1200 V/7 mΩ،IMZC120R007مناسب برای سیستم های تبدیل قدرت با الزامات بسیار بالا برای کارایی، تراکم قدرت و قابلیت اطمینان است، به ویژه شامل:

ایستگاه های شارژ خودروهای الکتریکی: مراحل PFC و DC-DC در ماژول های شارژ سریع DC، که طراحی های با کارایی بالا و چگالی قدرت بالا را امکان پذیر می کند

اینورترهای خورشیدی: مراحل MPPT و اینورتر در اینورترهای رشته ای، بهبود بهره وری سیستم و کاهش اندازه

سیستم های ذخیره انرژی (ESS): تبدیل کننده های دو طرفه DC-DC، که تبدیل انرژی کارآمد را امکان پذیر می کند

منابع برق صنعتی: منابع برق سوئیچینگ با قدرت بالا مانند منابع برق سرورها، منابع برق مخابرات و منابع برق الکتروپلاستی

شارژر های داخل خودرو (OBC) و کنورترهای DC-DC (مطابق با الزامات قابلیت اطمینان خودرو)

اینورترهای کششی (دستورهای دستی یا اصلی که نیاز به مطابقت با AEC-Q101 دارند)

منابع برق بدون وقفه (UPS) و فیلترهای قدرت فعال (APF)

V. عرضه و خدمات

Mingjiada Electronics برای مدت زمان طولانی مقادیر زیادی از Infineon IMZC120R007 سیلیکون کاربید MOSFET را تامین کرده است. انبار Shenzhen ما یک انبار ثابت از این محصولات را حفظ می کند.ما 100درصد اصيل رو تضمین ميکنيم، محصولات اصلی و ارائه خدمات زیر:

تدارکات انعطاف پذیر: از خرید نمونه های دسته کوچک و سفارشات تولید حجم بزرگ پشتیبانی می کند

تحویل سریع: در شنجن موجود است؛ ظرف 24 ساعت پس از سفارش ارسال می شود

لجستیک جهانی: با استفاده از شبکه های انبار ما در هنگ کنگ و شنژن، ما از حمل و نقل داخلی و بین المللی پشتیبانی می کنیم

برای آخرین موجودی، قیمت گذاری یا درخواست نقل قول، لطفا به وب سایت Mingjiada Electronics (www.hkmjd.com) مراجعه کنید یا با تیم فروش ما تماس بگیرید.

اطلاعات تماس:

تلفن همراه: 86 13410018555

ایمیل: sales@hkmjd.com

آدرس: اتاق های 1239-1241، ساختمان گوولی، جاده Zhenzhong، منطقه Futian، شنژن، استان گوانگدونگ

برچسب ها:IMZC120R007M2H,IMZC120R007M2,IMZC120R007M,IMZC120R007