وبلاگ شرکت در مورد تامین قطعات الکترونیکی مینگجیادا، Infineon IRF6894MTRPBF: ماسفت HEXFET کانال N 25 ولت، مقاومت روشن بسیار کم 1.3mΩ

شرکت الکترونیک شنژن مینگجیادا، عرضه پایدار و بلندمدت IRF6894MTRPBF ماسفت قدرت HEXFET با کانال N با عملکرد بالا را ارائه می دهد.

IRF6894MTRPBF مروری بر محصول
IRF6894MTRPBF یک ماسفت با کانال N با عملکرد بالا است که توسط شرکت Infineon Technologies معرفی شده است. این دستگاه قدرت، مدل IRF6894MTRPBF، از فناوری پیشرفته HEXFET برای ارائه عملکرد الکتریکی برجسته استفاده می کند.

به عنوان یک محصول کلیدی در سبد محصولات الکترونیک مینگجیادا، IRF6894MTRPBF به دلیل مقاومت بسیار کم در حالت روشن 1.3mΩ، به رسمیت شناخته شده است. با ولتاژ درین-سورس 25 ولت، این محصول یک انتخاب ایده آل برای کاربردهای ولتاژ متوسط ​​تا پایین است. IRF6894MTRPBF از پکیج DirectFET MX استفاده می کند. این طراحی منحصر به فرد پکیج نه تنها عملکرد حرارتی را افزایش می دهد، بلکه ردپای PCB را نیز کاهش می دهد.

ویژگی های فنی کلیدی IRF6894MTRPBF عبارتند از:
• ولتاژ درین-سورس (Vdss): 25 ولت
• جریان درین پیوسته (Id): 32A (Ta)، 160A (Tc)
• مقاومت در حالت روشن (Rds(on)): 1.3mΩ @ 33A، 10V
• ولتاژ درایو گیت: 4.5 ولت تا 10 ولت
• محدوده دمای عملیاتی: -40 درجه سانتیگراد تا 150 درجه سانتیگراد (TJ)
• نوع پکیج: DirectFET™ MX Surface Mount

مشخصات فنی دقیق
سازنده: Infineon Technologies
شماره قطعه: IRF6894MTRPBF
نوع دستگاه: ماسفت قدرت با کانال N
پلتفرم فناوری: HEXFET®، DirectFET™
ولتاژ شکست (V_DSS): 25 ولت (حداقل)
مقاومت در حالت روشن (R_DS(on)): 1.3mΩ @ V_GS=10V، I_D=20A (معمولی)
جریان درین پیوسته (I_D): 200A @ T_C=100°C، 320A @ T_C=25°C
جریان درین پالس (I_DM): 750A @ T_pulse=10μs، V_GS=10V
ولتاژ آستانه گیت (V_GS(th)): 1.6 ولت ~ 2.5 ولت (معمولی 2.0 ولت)
ولتاژ درایو گیت (V_GS): توصیه شده +10 ولت، حداکثر ±20 ولت
شارژ کل گیت (Q_g): 26nC @ V_GS=0V~10V
شارژ گیت-سورس (Q_gs): 12nC
شارژ گیت-درین (Q_gd): 6nC
ظرفیت ورودی (C_iss): 6800pF @ V_DS=12.5V
ظرفیت خروجی (C_oss): 1800pF @ V_DS=12.5V
ظرفیت انتقال معکوس (C_rss): 360pF
شارژ بازیابی معکوس (Q_rr): 120nC (معمولی)
انرژی بهمنی (E_AS): 600mJ (تک پالس)
جریان بهمنی (I_AR): 200A
دمای عملیاتی: -55 درجه سانتیگراد تا +175 درجه سانتیگراد (دمای اتصال)
نوع پکیج: DirectFET™ Medium Can
ابعاد پکیج: 7.0mm × 6.0mm × 0.7mm
تعداد پین ها: 7+1 (7 پین عملکردی + 1 پد حرارتی)
مقاومت حرارتی (R_thJC): 0.5°C/W (پایین) + 1.2°C/W (بالا)
AEC-Q101: درجه 0 پاس شده
رتبه ESD: HBM کلاس 1C (1000V~2000V)
وضعیت RoHS: مطابق با RoHS3، بدون سرب
بدون هالوژن: بله

IRF6894MTRPBF ویژگی های محصول:
از فناوری سیلیکون نسل بعدی IR استفاده می کند
بهره وری بهینه را برای کاربردهای باک همزمان ورودی 12 ولت ارائه می دهد

IRF6894MTRPBF کاربردها:
سرورهای نسل بعدی، کامپیوترهای رومیزی و رایانه های لپ تاپ

اطلاعات خرید
شماره قطعه: IRF6894MTRPBF
سازنده: Infineon Technologies
نوع دستگاه: ماسفت HEXFET با کانال N
پلتفرم فناوری: DirectFET™ Medium Can
AEC-Q101: درجه 0 پاس شده
وضعیت RoHS: مطابق با RoHS3، بدون سرب
حداقل مقدار سفارش: پشتیبانی انعطاف پذیر، نمونه ها موجود است
در دسترس بودن: موجود در انبار، حمل و نقل در همان روز
محدوده قیمت: قیمت گذاری چند سطحی بر اساس حجم خرید

برای استعلام یا نیازهای خرید مربوط به IRF6894MTRPBF، لطفاً در هر زمان با ما تماس بگیرید:
تلفن: +86 13410018555
ایمیل: sales@hkmjd.com
صفحه اصلی: https://www.integrated-ic.com/