وبلاگ شرکت در مورد تجهیزات الکترونیکی مینگجیادا، ترانزیستورهای ماسفت قدرت اینفینیون، راه حل های قدرت با کارایی بالا

تجهیزات الکترونیکی Mingjiada ترانزیستورهای MOSFET قدرت Infineon، راه حل های قدرت با کارایی بالا

شرکت الکترونیک Shenzhen Mingjiada، با مسئولیت محدود وmdash; تامین کننده بلندمدت محصولات MOSFET با کارایی بالای مختلف از Infineon، از جمله: IRFP4110PBF، IRFB3306GPBF، BSZ440N10NS3G، BSZ520N15NS3G، BSC052N08NS5 و غیره، ارائه راه حل های دستگاه قدرت اصلی برای منابع تغذیه صنعتی، انرژی نو و کاربردهای درایو موتور.

محصولات سری MOSFET قدرت Infineon ارائه شده توسط Mingjiada Electronics طیف گسترده ای از ولتاژ، رتبه بندی جریان و الزامات کاربردی را پوشش می دهد. در زیر اطلاعات مربوط به محصولات ارائه شده آمده است:
1. IRFP4110PBF: سوئیچ قدرت با جریان بالا
پارامترهای اساسی: دارای بسته TO-247-3 و طراحی کانال N، دارای ولتاژ شکست درین-سورس 100 ولت و ظرفیت جریان درین پیوسته 180 آمپر، با مقاومت کم در حالت روشن 3.7mΩ.
ویژگی های سوئیچینگ: شارژ گیت (Qg) 150nC، پشتیبانی از محدوده ولتاژ گیت-سورس گسترده از -20 ولت تا +20 ولت.
عملکرد حرارتی: حداکثر اتلاف توان 370 وات در 25 درجه سانتیگراد، محدوده دمای کار از -55 درجه سانتیگراد تا +175 درجه سانتیگراد.
مزایای کاربردی: به طور خاص برای یکسوسازی همزمان کارآمد و منابع تغذیه سوئیچینگ با جریان بالا طراحی شده است، عملکرد فوق العاده ای در سیستم های UPS و کاربردهای تبدیل توان با فرکانس بالا دارد.

2. IRFB3306PBF: یکسوسازی همزمان با راندمان بالا
بسته بندی و ویژگی های الکتریکی: بسته TO-220، ولتاژ درین-سورس 60 ولت، جریان درین پیوسته 160 آمپر، مقاومت در حالت روشن به اندازه 3.3mΩ کم.
عملکرد دینامیکی: شارژ گیت 85nC، پشتیبانی از ولتاژ گیت-سورس ±20 ولت، سرعت سوئیچینگ سریع، مناسب برای کاربردهای با فرکانس بالا.
مدیریت حرارتی: حداکثر اتلاف توان 230 وات، مقاومت حرارتی اتصال به کیس فقط 0.65 درجه سانتیگراد/وات، عملکرد اتلاف حرارت عالی.
سناریوهای کاربردی: به ویژه برای مدارهای یکسوسازی همزمان در منابع تغذیه سرور و SMPS های درجه صنعتی مناسب است، افزایش قابلیت dV/dt دیود بدنه.

3. BSZ440N10NS3G: دستگاه کم تلفات نسل بعدی
پیشرفت فنی: مشخصات 100 ولت/70 آمپر، فناوری OptiMOS به مقاومت فوق العاده کم در حالت روشن (مقدار معمولی 4.4mΩ) دست می یابد.
راندمان سوئیچینگ: Qg بهینه شده به طور قابل توجهی تلفات سوئیچینگ را کاهش می دهد و راندمان منبع تغذیه با فرکانس بالا را بهبود می بخشد.
مزایای بسته بندی: از بسته بندی استاندارد TO-263 استفاده می کند، سازگار با فرآیندهای مونتاژ خودکار.
ارزش کاربردی: به ویژه برای مبدل های DC-DC و طرح های منبع تغذیه ابزار برقی مناسب است (توجه: ویژگی های پارامتر بر اساس فناوری مشترک سری BSZ نسل جدید Infineon است).

4. BSC052N08NS5 & BSZ520N15NS3G: ترکیب با راندمان بالا و ولتاژ متوسط
ویژگی های BSC052N08NS5: مشخصات 80 ولت/100 آمپر، مقاومت در حالت روشن به اندازه 5.2mΩ کم، با طراحی Qgs بهینه شده.
ویژگی های BSZ520N15NS3G: مشخصات 150 ولت/70 آمپر، درایو گیت 15 ولت، متعادل کردن تلفات هدایت و عملکرد سوئیچینگ.
اشتراکات فنی: هر دو بسته SuperSO8 را اتخاذ می کنند که عملکرد حرارتی عالی و چگالی توان بالا را ارائه می دهد.
ترکیب کاربردی: پوشش ولتاژ کاملی را در کاربردهای OBC خودروهای برقی و درایو موتور صنعتی ارائه می دهد (توجه: ویژگی های سری BSZ بر اساس تجزیه و تحلیل مشترک از مستندات فنی Infineon است).

برای اطلاعات بیشتر در مورد ترانزیستورهای MOSFET قدرت Infineon یا استعلام قیمت مدل های خاص، لطفاً از وب سایت رسمی Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) برای بررسی جزئیات عرضه دیدن فرمایید.