وبلاگ شرکت در مورد IXYS IXTP160N10T ترانزیستورهای MOSFET قدرت N-Channel Enhancement Mode

IXYSIXTP160N10Tحالت تقویت کانال N 100V 160A ترانزیستورهای MOSFET قدرت

توضیحات محصولIXTP160N10T
IXTP160N10Tترانزیستورهای MOSFET قدرت 100V 160A N-Channel Enhancement Mode هستند.

مشخصاتIXTP160N10T
ولتاژ تخلیه به منبع (Vdss):100 V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C:160A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds On، حداقل Rds On):10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs:7mOhm @ 25A، 10V
Vgs ((th) (Max) @ Id:4.5V @ 250μA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs:132 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر):±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds:6600 pF @ 25 V
توزیع قدرت (حداکثر):430W (Tc)
دمای کار:-55°C ~ 175°C (TJ)

ویژگی هایIXTP160N10T
مقاومت بسیار کم
درجه ی برف باری
محرک کم بسته
رانندگی و حفاظت آسان
دمای کار 175 درجه سانتیگراد
دیود داخلی سریع

مزایاIXTP160N10T
آسان نصب
صرفه جویی در فضا
چگالی قدرت بالا

استفاده ازIXTP160N10T
ماشین آلات
موتورهای محرک
اتوبوس برق 42 ولت
سیستم های ABS
کنورترهای DC/DC و UPS های غیرفعال
سوئیچ اصلی برای سیستم های 24 و 48 ولت
معماری های توزیع شده قدرت و VRMs
سیستم های قطارهای الکتریکی دریچه
کاربرد های سوئیچینگ جریان بالا
گیرنده هم زمان ولتاژ بالا