وبلاگ شرکت در مورد Infineon IRFP150MPBF 100V/42A N-channel Power MOSFET در بسته TO-247M راه حل های تبدیل قدرت کارآمد را ارائه می دهد

شرکت الکترونیک شنژن مینگجیادا، با مسئولیت محدود اکنون موجودی بلندمدت دستگاه قدرت کلاسیک اینفینیون را ارائه می دهد—بسته بندی: TO-247-3 (سری TO-247 M). این ماسفت قدرت N-channel تک 100 ولتی، که در یک بسته سری TO-247 M قرار دارد، قابلیت تحمل جریان فوق العاده، تلفات هدایت بسیار کم و دوام بالایی را ارائه می دهد. این به عنوان راه حل ترجیحی برای مهندسانی است که با چالش های ولتاژ بالا و جریان بالا دست و پنجه نرم می کنند.

هسته محصول: ماسفت قدرت HEXFET با کارایی بالا اینفینیون

The بسته بندی: TO-247-3 (سری TO-247 M) یک ماسفت قدرت حالت تقویت N-channel با کارایی بالا است که توسط اینفینیون بر اساس فناوری مسطح بالغ و معماری HEXFET توسعه یافته است. برای کاربردهای سوئیچینگ با فرکانس فوق العاده بالا طراحی نشده است، اما به طور خاص برای کاربردهای صنعتی با فرکانس پایین و توان بالا زیر 100 کیلوهرتز بهینه شده است و دوام و قابلیت اطمینان استثنایی را در یک ناحیه عملکرد ایمن (SOA) گسترده ارائه می دهد.

بسته بندی: TO-247-3 (سری TO-247 M)1. فناوری HEXFET نسل پنجم

IRFP150MPBF از فناوری فرآیند HEXFET نسل پنجم پیشرفته اینفینیون استفاده می کند و به مقاومت در برابر سطح سیلیکون بسیار کم دست می یابد. این امر تلفات هدایت را به میزان قابل توجهی کاهش می دهد و راندمان کلی سیستم را افزایش می دهد. با ترکیب سرعت سوئیچینگ سریع مشهور ماسفت های قدرت HEXFET با طراحی دستگاه قوی، این فناوری راه حل های تبدیل توان بسیار کارآمد و قابل اعتمادی را در اختیار مهندسان قرار می دهد.

2. عملکرد الکتریکی استثنایی

رتبه ولتاژ بالا: ولتاژ درین-سورس (Vds) تا 100 ولت، حاشیه ولتاژ کافی را برای منابع تغذیه صنعتی و درایوهای موتور فراهم می کند

ظرفیت جریان بالا: جریان درین پیوسته (Id) تا 42 آمپر با قابلیت جریان پالس پیشرفته برای پاسخگویی به نیازهای کاربردهای با توان بالا

مقاومت در برابر کم: مقدار معمولی فقط 36mΩ @ 10V درایو گیت به طور موثر تلفات هدایت را کاهش می دهد و تولید گرما را به حداقل می رساند

اتلاف توان بالا: حداکثر اتلاف 160 وات (@25 درجه سانتیگراد دمای هیت سینک)، همراه با بسته TO-247 برای عملکرد حرارتی برتر

3. ویژگی های سوئیچینگ سریع

شارژ گیت کم: کل شارژ گیت (Qg) فقط 110nC@10V مصرف توان درایو را کاهش می دهد و راندمان سوئیچینگ را افزایش می دهد

ظرفیت ورودی کم: ظرفیت ورودی (Ciss) 1.9nF و ظرفیت انتقال معکوس (Crss) 230pF از کاربردهای سوئیچینگ با فرکانس بالا پشتیبانی می کند

سرعت سوئیچینگ بالا: زمان روشن/خاموش شدن سریع، تلفات سوئیچینگ را به حداقل می رساند، مناسب برای فرکانس های سوئیچینگ بالای 200 کیلوهرتز

4. طراحی بسته بندی مقاوم و قابل اعتماد

بسته TO-247-3: بسته قدرت کلاسیک با عملکرد حرارتی عالی، از اتصال هیت سینک برای مدیریت حرارتی پیشرفته پشتیبانی می کند

محدوده دمای عملیاتی گسترده: محدوده دمای اتصال از -55 درجه سانتیگراد تا +175 درجه سانتیگراد، مناسب برای محیط های صنعتی خشن و دماهای شدید

قابلیت اطمینان بالا: دارای گواهی AEC-Q101 (درجه خودرو)، الزامات درجه صنعتی را برای عملکرد پایدار بلندمدت برآورده می کند

مشخصات محصول IRFP150MPBF

بسته بندی: TO-247-3 (سری TO-247 M)نوع محصول: ماسفت

فناوری: Si

سبک نصب: از طریق سوراخ

بسته / کیس: TO-247-3

قطبیت ترانزیستور: N-Channel

تعداد کانال ها: 1 کانال

Vds - ولتاژ شکست درین-سورس: 100 ولت

Id - جریان درین پیوسته: 42 آمپر

Rds On - مقاومت درین-سورس روشن: 36 میلی اهم

Vgs - ولتاژ گیت-سورس: -20 ولت، 20 ولت

Vgs th - ولتاژ آستانه گیت-سورس: 1.8 ولت

Qg - شارژ گیت: 110 نانو فاراد

حداقل دمای عملیاتی: -55 درجه سانتیگراد

حداکثر دمای عملیاتی: +175 درجه سانتیگراد

Pd - اتلاف توان: 160 وات

حالت کانال: تقویت

اطلاعات سفارش

اگر به دنبال یک دستگاه سوئیچینگ هسته ای قابل اعتماد برای پروژه برق خود هستید،

IRFP150MPBF

یک انتخاب کلاسیک و بادوام است.بسته بندی: TO-247-3 (سری TO-247 M)IRFP150MPBF

نام تجاری: اینفینیونبسته بندی: TO-247-3 (سری TO-247 M)

بسته بندی: لوله، 25 عدد/لوله

حداقل مقدار سفارش: 1 عدد (تهیه نمونه موجود است)