وبلاگ شرکت در مورد دیود شاتکی کاربید سیلیکونی Infineon IDW20G120C5B 1200V 20A

Infineon : دیود شاتکی سیلیکون کاربید 1200 ولت 20 آمپر

شرکت شنژن مینگجیادا الکترونیک، با مسئولیت محدود، به عنوان یک تامین کننده جهانی پیشرو در زمینه قطعات الکترونیکی، به طور مداوم در حال ذخیره و عرضه Infineon : — یک دیود شاتکی سیلیکون کاربید CoolSiC™ نسل پنجم 1200 ولت/20 آمپر است.

: مروری بر محصول و ویژگی های فنی:

IDW20G120C5B دیود شاتکی سیلیکون کاربید نسل پنجم در سری CoolSiC™ اینفینیون است که دارای بسته بندی استاندارد TO-247-3 است و به طور خاص برای کاربردهای با توان بالا و فرکانس بالا طراحی شده است. به عنوان یک نماینده فناوری پیشرو از دیودهای مانع شاتکی سیلیکون کاربید، محصول : فناوری ویفر نازک اینفینیون را که در محصول نسل دوم معرفی شده است، با فناوری اتصال pn ادغام شده نوآورانه ادغام می کند و به طور قابل توجهی قابلیت جریان هجومی و قابلیت اطمینان سیستم دیود را افزایش می دهد.

از نظر پارامترهای اساسی، : دارای مقدار نامی 1200 ولت ولتاژ معکوس تکراری (Vrrm) و 20 آمپر جریان مستقیم (If) است، با افت ولتاژ مستقیم (Vf) فقط 1.4 ولت در جریان 10 آمپر، که هدایت عالی را نشان می دهد. از نظر ویژگی های معکوس، دیود دارای جریان نشتی معکوس بسیار کم (Ir) در ولتاژ معکوس 1200 ولت است، با مقادیر معمولی به اندازه 6-12μA، که عملکرد کارآمد سیستم را تضمین می کند.

نکات برجسته فنی این دیود شاتکی سیلیکون کاربید : در درجه اول در جنبه های زیر منعکس می شود:

عدم شارژ بازیابی معکوس (Qrr=0): در مقایسه با دیودهای مبتنی بر سیلیکون سنتی، به طور کامل تلفات بازیابی معکوس را از بین می برد و آن را به ویژه برای کاربردهای سوئیچینگ با فرکانس بالا مناسب می کند

وابستگی دمای ولتاژ مستقیم خفیف: عملکرد پایدار را در دماهای عملیاتی مختلف حفظ می کند

قابلیت جریان هجومی پیشرو در صنعت (Ifsm=190A): قادر به تحمل شرایط اضافه بار کوتاه مدت است

عملکرد حرارتی عالی: از یک طراحی بسته بندی بهینه شده برای اطمینان از اتلاف گرما استفاده می کند

IDW20G120C5B:IDW20G120C5B:IDW20G120C5B

:رتبه ولتاژ معکوس (Vr): 1200 ولت

متوسط جریان اصلاح شده (Io): 20A (پیوسته)

افت ولتاژ مستقیم (Vf): 1.4 ولت @ 10A

جریان نشتی معکوس (Ir): 6μA @ 1200V

جریان هجومی (Ifsm): 190A

بسته بندی: TO-247-3 (نصب از طریق سوراخ)

محدوده دمای عملیاتی: -55 درجه سانتیگراد تا +175 درجه سانتیگراد

ویژگی های کلیدی

IDW20G120C5B:سیستم های اینورتر فتوولتائیک: به ویژه برای مدارهای تقویت کننده و اینورتر در اینورترهای رشته ای مناسب است، که به طور قابل توجهی راندمان تبدیل را بهبود می بخشد و هزینه های سیستم را کاهش می دهد

افت ولتاژ مستقیم کم (Vf): تلفات هدایت را کاهش می دهد، مناسب برای کاربردهای سوئیچینگ با فرکانس بالا.

ضریب دمای مثبت (Vf با دما کمی افزایش می یابد): هنگام استفاده موازی به تعادل جریان کمک می کند.

قابلیت جریان هجومی عالی: قابلیت اطمینان سیستم را افزایش می دهد.

ویژگی های EMI کم: مناسب برای کاربردهای حساس به تداخل الکترومغناطیسی.

IDW20G120C5B

:دیود شاتکی سیلیکون کاربید IDW20G120C5B به دلیل عملکرد الکتریکی استثنایی و مزایای سطح سیستم، رقابت پذیری قوی را در چندین بخش بازار با رشد بالا نشان می دهد. در مقایسه با دیودهای قدرت مبتنی بر سیلیکون سنتی، این محصول پیشرفت های قابل توجهی در راندمان سیستم، چگالی توان و قابلیت اطمینان به دست می آورد.

مزایای رقابتی اصلی

IDW20G120C5B:سیستم های اینورتر فتوولتائیک: به ویژه برای مدارهای تقویت کننده و اینورتر در اینورترهای رشته ای مناسب است، که به طور قابل توجهی راندمان تبدیل را بهبود می بخشد و هزینه های سیستم را کاهش می دهد

IDW20G120C5B:چگالی توان پیشرفته: به دلیل کاهش تلفات سوئیچینگ و عملکرد حرارتی بهینه شده، سیستم ها می توانند فرکانس های سوئیچینگ بالاتری را اتخاذ کنند، در نتیجه اندازه و وزن اجزای غیرفعال (مانند سلف ها و ترانسفورماتورها) را کاهش داده و به چگالی توان بالاتری دست یابند. این ویژگی به ویژه برای کاربردهای محدود به فضا (مانند وسایل نقلیه الکتریکی) مهم است.

قابلیت اطمینان سیستم پیشرفته: مواد سیلیکون کاربید ذاتاً قابلیت دمای عملیاتی بالاتر و هدایت حرارتی بهتری را ارائه می دهند. همراه با فناوری بسته بندی بهینه شده اینفینیون،

IDW20G120C5B:کاهش تداخل الکترومغناطیسی (EMI): عدم وجود ویژگی های بازیابی معکوس، نوسانات ولتاژ و جریان را در هنگام سوئیچینگ به حداقل می رساند، در نتیجه تابش نویز با فرکانس بالا را کاهش داده و طراحی فیلتر EMI را ساده می کند.

مناطق کاربردی معمولی برای

IDW20G120C5B:سیستم های اینورتر فتوولتائیک: به ویژه برای مدارهای تقویت کننده و اینورتر در اینورترهای رشته ای مناسب است، که به طور قابل توجهی راندمان تبدیل را بهبود می بخشد و هزینه های سیستم را کاهش می دهد

تجهیزات شارژ وسایل نقلیه الکتریکی: از جمله شارژرهای داخلی (OBC) و ایستگاه های شارژ سریع DC، که در آن ویژگی های فرکانس بالای دیودهای سیلیکون کاربید به کاهش اندازه و وزن تجهیزات کمک می کند

درایوهای موتور صنعتی: مورد استفاده در مدارهای یکسو کننده و آزاد چرخ درایوهای فرکانس متغیر و درایوهای سروو، بهبود دقت کنترل و راندمان انرژی

منابع تغذیه بدون وقفه (UPS): جایگزینی دیودهای سیلیکونی سنتی در سیستم های UPS با کارایی بالا، کاهش تلفات و افزایش چگالی توان

سیستم های تولید انرژی تجدیدپذیر: از جمله مبدل های انرژی بادی و سیستم های ذخیره انرژی، که در آن دستگاه های سیلیکون کاربید می توانند نوسانات بالای ورودی های انرژی تجدیدپذیر را مدیریت کنند