وبلاگ شرکت در مورد ترانزیستورهای Infineon Automotive MOSFET IAUT165N08S5N029 OptiMOSTM-5

Infineon Automotive MOSFETIAUT165N08S5N029ترانزیستورهای OptiMOSTM-5 MOSFET خودرو

توضیحات محصولIAUT165N08S5N029
IAUT165N08S5N029ترانزیستورهای OptiMOSTM-5 N-Channel MOSFET اتومبیل 80V 2.9 mΩ است.

مشخصاتIAUT165N08S5N029
قطبیت ترانزیستور: کانال N
تعداد کانال ها: 1 کانال
Vds - ولتاژ شکستن منبع تخلیه:80 ولت
Id - جریان تخلیه مداوم:165 A
Rds On - مقاومت منبع تخلیه:2.9 mOhms
Vgs - ولتاژ منبع دروازه:- 20 V، + 20 V
Vgs th - ولتاژ آستانه منبع دروازه:2.2 ولت
Qg - شارژ دروازه:90 nC
حداقل دمای عملیاتی: 55 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای کار: + 175 C
Pd - از بین رفتن قدرت:167 W

ویژگی هایIAUT165N08S5N029
کانال N - حالت تقویت
صلاحیت AEC
MSL1 تا 260 درجه سانتیگراد حداکثر جریان مجدد
دمای کار 175°C
محصول سبز (مطابق با RoHS)
Rds بسیار پایین (در حال فعال شدن)
100درصد تست شده

استفاده ازIAUT165N08S5N029
48 ولت تا 12 ولت کنورتر DC-DC
کنورتر DC-DC ولتاژ بالا برای وسایل نقلیه الکتریکی
ماژول کنترل HVAC
نوارهای LED و نشانه گذاری