شرکت الکترونیک شنژن مینگجیادا، با مسئولیت محدوددر حال عرضه استUJ3C065080B3: EliteSiC™ 650V/25A دستگاه قدرت کاربید سیلیکون (SiC) JFET آبشاری (بسته D2PAK-3) برای مدت طولانی. ما محصولات اصلی و اصل را با موجودی کافی ارائه می دهیم. لطفاً برای اطلاعات بیشتر فوراً با ما تماس بگیرید!
UJ3C065080B3 مروری بر محصول
UJ3C065080B3 یک دستگاه قدرت کاربید سیلیکون (SiC) JFET آبشاری 650V/25A است که توسط UnitedSiC عرضه شده است و در بسته D2PAK-3 (TO-263-3) بسته بندی شده است، مناسب برای سوئیچینگ با فرکانس بالا، تبدیل توان با راندمان بالا و کاربردهای الکترونیک خودرو. UJ3C065080B3 عملکرد برتر مواد SiC را با هم ترکیب می کند و مقاومت کم در حالت روشن، سوئیچینگ با سرعت بالا و پایداری در دمای بالا را ارائه می دهد و آن را به یک جایگزین ایده آل برای MOSFET ها و IGBT های مبتنی بر سیلیکون سنتی تبدیل می کند.
UJ3C065080B3 ویژگی های کلیدی
قابلیت ولتاژ بالا، جریان بالا
650 ولت ولتاژ شکست درین-سورس (Vds)، 25 آمپر جریان درین پیوسته (Id)، با جریان پالس تا 65 آمپر، مناسب برای کاربردهای با توان بالا.
مقاومت بسیار کم در حالت روشن (Rds(on))
80mΩ (معمولی)، کاهش تلفات هدایت و بهبود راندمان سیستم.
عملکرد سوئیچینگ با سرعت بالا
13ns زمان صعود، 11ns زمان سقوط، کاهش تلفات سوئیچینگ، مناسب برای کاربردهای با فرکانس بالا.
عملکرد در محدوده دمایی وسیع
محدوده دمای عملیاتی -55°C تا +175°C، مناسب برای محیط های سخت.
ساختار SiC FET پیشرفته
دارای طراحی JFET آبشاری، سازگار با درایورهای MOSFET استاندارد، نیازی به خاموش شدن ولتاژ منفی نیست.
مطابق با گواهینامه خودرو AEC-Q101
مناسب برای سیستم های الکترونیکی خودرو مانند شارژرهای داخلی خودرو (OBC) و مبدل های DC-DC.
UJ3C065080B3 کاربردهای اصلی
سیستم های درایو خودروهای برقی (EV)
UJ3C065080B3 می تواند در اینورترهای پلتفرم ولتاژ بالا 800 ولت برای بهبود راندمان انرژی و کاهش نیازهای اتلاف حرارت استفاده شود.
منابع تغذیه صنعتی و اینورترهای فتوولتائیک
مناسب برای منابع تغذیه سوئیچینگ با فرکانس بالا و اینورترهای خورشیدی برای کاهش تلفات انرژی.
منابع تغذیه سرور و مراکز داده
راندمان بالای UJ3C065080B3 مبدل های 48 ولت DC-DC را بهینه می کند و چگالی توان را افزایش می دهد.
شارژ بی سیم و دستگاه های شارژ سریع
استفاده از مزایای فرکانس بالای SiC برای بهبود راندمان شارژ و کاهش اندازه اجزای مغناطیسی.
درایوهای موتور و اتوماسیون صنعتی
UJ3C065080B3 برای درایوهای سروو و اینورترها مناسب است و قابلیت اطمینان سیستم را افزایش می دهد.
UJ3C065080B3 مشخصات دقیق
مدل: UJ3C065080B3
برند: UnitedSiC
بسته بندی: D2PAK-3 (TO-263-3)
فناوری: SiC (کاربید سیلیکون)
ولتاژ درین-سورس (Vds): 650 ولت
جریان درین پیوسته (Id): 25 آمپر
جریان درین پالس (Idm): 65 آمپر
مقاومت در حالت روشن (Rds(on)): 80 (معمولی) mΩ
شارژ گیت (Qg): 51 نانو کولن
ولتاژ گیت-سورس (Vgs): ±25 ولت
ولتاژ آستانه (Vgs(th)): 4 ولت
زمان سوئیچینگ (tr/tf): 13/11 نانوثانیه
محدوده دمای عملیاتی: -55 تا +175 °C
اتلاف توان (Pd): 115 وات
UJ3C065080B3 زنجیره تامین و موجودی
Mingjiada Electronics در دسترس بودن UJ3C065080B3 را با موجودی کافی و پشتیبانی برای تحویل سریع ارائه می دهد.
ما محصولات اصلی و اصل تولید کننده را ارائه می دهیم و از تأییدیه گواهینامه AEC-Q101 پشتیبانی می کنیم.
نمونه هایی برای کاربردها در انرژی های نو، الکترونیک خودرو، منابع تغذیه صنعتی و سایر زمینه ها در دسترس هستند.
خلاصه
به عنوان بخشی از سری UnitedSiC EliteSiC™، UJ3C065080B3 یک دستگاه قدرت SiC 650V/25A است. تلفات هدایت کم، سوئیچینگ با سرعت بالا و پایداری در دمای بالا را ارائه می دهد و آن را به یک انتخاب ایده آل برای کاربردهایی مانند خودروهای برقی، اینورترهای فتوولتائیک و منابع تغذیه صنعتی تبدیل می کند. بسته بندی D2PAK-3 UJ3C065080B3 طراحی PCB را تسهیل می کند، در حالی که گواهینامه AEC-Q101 قابلیت اطمینان آن را در الکترونیک خودرو تضمین می کند.
برای قیمت گذاری یا اطلاعات بیشتر در مورد محصول، لطفاً با آقای چن تماس بگیرید:
تلفن: +86 13410018555
ایمیل: sales@hkmjd.com
وب سایت: www.integrated-ic.com
پیام شما باید بین 20 تا 3000 کاراکتر باشد!